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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储器器件-CN202111262267.4在审
发明人：陈学深;蔡新树;卓荣发 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本文的实施例涉及半导体存储器器件及其形成方法。提供了一种半导体存储器器件。该半导体存储器器件包括双栅极晶体管和存储器基元。存储器基元与双栅极晶体管相邻，其中存储器基元与双栅极晶体管共用公共电极。
半导体存储器器件

[发明专利]半导体存储器器件-CN202011246638.5在审
发明人：薮内诚 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G11C7/18 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体存储器器件。随着半导体存储器器件的小型化，布线的电阻和寄生电容变大，这阻止了半导体存储器器件加速。在半导体存储器器件中，该半导体器件具有：半导体衬底，该半导体衬底具有主表面；第一存储器单元行，该第一存储器单元行具有多个第一存储器单元，该多个第一存储器单元与平面图中的第一方向平行地被布置在主表面上；第一字线，该第一字线被连接至多个第一存储器单元；第一字线驱动器，该第一字线驱动器用于改变第一字线的电位；以及控制电路，该控制电路用于响应于时钟信号和地址信号经由第一预解码线，向第一字线驱动器输出第一预解码信号；中继器，该中继器被插入在控制电路与第一字线驱动器之间。
半导体存储器器件

[发明专利]半导体存储器器件-CN202111419999.X在审
发明人：黎佳俊;卓荣发;陈学深 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本文的实施例涉及半导体存储器器件及其形成方法。提供了一种半导体存储器器件。该半导体存储器器件包括具有第一电极、第二电极、切换层和过孔结构的存储器基元。
半导体存储器器件

[发明专利]半导体存储器器件-CN201811551957.X在审
发明人：新居浩二;石井雄一郎;泽田阳平;薮内诚 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： G11C11/417 文献下载
摘要：提供了一种具有低功耗写入辅助电路的半导体存储器器件。半导体存储器器件包括多个字线、多个位线对、多个存储器单元、多个辅助线对、写入驱动器电路、写入辅助电路和选择电路。存储器单元被耦合到字线和位线对，以使得一个存储器单元被耦合到一个字线和一个位线对的方式。辅助线对平行于位线对延伸，以使得一个辅助线对平行于一个位线对延伸的方式。选择电路根据选择信号将从位线对中选择的一个位线对耦合到写入驱动器电路，并且将平行于所选择的位线对延伸的相关联的辅助线对耦合到写入辅助电路。
位线辅助线耦合到半导体存储器器件写入辅助电路存储器单元字线写入驱动器电路平行选择电路个位延伸选择信号低功耗关联

[发明专利]半导体存储器器件-CN201611208652.X在审
发明人：船木寿彦 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种堆栈存储器，包括基础芯片；存储器芯片，叠置在所述基础芯片上方；以及过孔，提供在基础芯片和存储器芯片之间。基础芯片具有外部接口电路和迟写入控制电路。迟写入控制电路至少具有存储通过所述外部接口电路从外部提供的写入数据的寄存器。存储器芯片具有存储器单元阵列；和迟写入控制电路，迟写入控制电路至少具有存储通过所述第一过孔从上述寄存器提供的写入数据的寄存器。
半导体存储器器件

[发明专利]半导体存储器器件-CN202010756097.4在审
发明人：金熙中;安泰炫;李基硕;金根楠;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：一种半导体存储器器件包括：堆叠，包括垂直地堆叠在衬底上的多个单元层，每个单元层包括在第一方向上延伸的位线和在与第一方向交叉的第二方向上从位线延伸的半导体图案；栅电极，沿着垂直地堆叠的半导体图案中的每个；垂直绝缘层，在栅电极上；停止物层；以及数据存储元件，分别电连接到半导体图案中的每个。数据存储元件中的每个包括：第一电极，电连接到半导体图案中的相应半导体图案；在第一电极上的第二电极；以及电介质层，在第一电极与第二电极之间。停止物层在垂直绝缘层与第二电极之间。
半导体存储器器件

[发明专利]半导体存储器器件-CN201310039084.5有效
发明人：金光淳;金根国 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：一种半导体存储器器件，包括第一核心区域和第二核心区域，沿着与主轴平行的第一参考线而布置，第一参考线连接输入焊盘和输出焊盘；第一单元块和第二单元块，沿着第一参考线设置在第一核心区域中；第三单元块和第四单元块，沿着第一参考线设置在第二核心区域中；以及重复器，位于第三单元块和第四单元块之间，被配置成接收从第一单元块或第二单元块输出的数据，放大接收的数据和将放大的数据传送到第二全局输入/输出线。而且，由于针对有限数目的单元块在读取操作驱动重复器，可以减少信号增益，由此减少整体功耗。
半导体存储器器件

[发明专利]半导体存储器器件-CN200610007300.8有效
发明人：原浩太;菊竹阳 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2006-02-16 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有突发读操作功能的半导体存储器器件，包括内部地址生成电路、存储器核心和存储器核心控制电路，其中在突发读操作中，内部地址生成电路将外部地址设置为初始值，从而顺序产生内部地址。存储器核心具有多个存储单元并且响应于列选择信号的激活在突发读操作中顺序输出数据，所述数据是从对应于内部地址的存储单元读取的。在突发读操作中，存储器核心控制电路中的列控制电路在外部控制信号的激活时段期间在某个时间段内重复激活列选择信号，并且与外部控制信号的去活同步地强制去活列选择信号。在突发读操作中，在从外部控制信号的去活开始经过了预定时间之后，存储器核心控制电路中的操作状态控制电路去活操作状态控制信号。
半导体存储器器件

[发明专利]半导体存储器器件-CN200510062845.4有效
发明人：稻场恒夫 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-03-31 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种半导体器件包括利用流过导线的电流的多个存储器单元(MTJ)。多个第一写入线(WBL)与存储器单元电或磁或电磁连接，并沿第一方向设置。第一连接线(CONWBL)将其中至少两个第一写入线相互电连接。
半导体存储器器件

[发明专利]半导体存储器器件-CN200910151046.2无效
发明人：石垣佳之;辻直树;音居尚和;向井博纪;九之里勇一 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2009-07-07 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：为了提供一种由于抑制栅极绝缘膜的退化而具有提高的写入效率的半导体存储器器件，元件形成区域形成于半导体衬底的夹入于元件隔离区域之间的区域中。在元件隔离区域中，氧化硅膜填充于具有预定深度的沟槽中。
半导体存储器器件

[发明专利]半导体存储器器件-CN200510115247.9无效
发明人：池田仁史;森郁;奥山好明 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-11-11 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体存储器器件。均衡电路响应于激活均衡控制信号将一对位线彼此连接，并将该对位线连接到预充电电压线。均衡控制电路响应于第一定时信号的激活，将均衡控制信号去激活。
半导体存储器器件

[发明专利]半导体存储器器件-CN200610009243.7无效
发明人：小谷秀人;三嶌智史;土岐和启;春山星秀 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-02-15 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：通过使用用于监控重写状态的电路和用于对应于重写操作次数而改变读取条件的电路，基于监控重写状态的结果来优化数据“0”和数据“1”二者的可靠性容限或者数据“0”或数据“1”之一的可靠性容限，以实现高可靠性和较大的重写操作次数。
半导体存储器器件

[发明专利]用于通过多个通道来控制半导体存储器件的存储系统-CN201510993931.0有效
发明人：赵圣烨 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种存储系统，包括：多个通道；多个半导体存储器件，连接到通道；以及控制器，经由通道来控制半导体存储器件，其中，该控制器将程序数据写入到所述多个半导体存储器件的第一半导体存储器件中，以及其中，在所述程序数据的写入失败时，程序数据被暂时储存在所述多个半导体存储器件的第二半导体存储器件的页缓冲单元中，第二半导体存储器件连接到除与第一半导体存储器件相对应的通道之外的通道。
用于通过通道控制半导体存储器件存储系统

[发明专利]包括分叉存储器模块的高容量半导体器件-CN201910575708.2在审
发明人：杨旭一;马世能;张聪;邱进添 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明题为“包括分叉存储器模块的高容量半导体器件”。本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括堆叠的集成存储器模块的晶圆。本发明技术的半导体器件可包括多个存储器阵列半导体晶圆和CMOS控制器晶圆，所述多个存储器阵列半导体晶圆和所述CMOS控制器晶圆一起作为单个集成闪存存储器半导体器件工作。在实施方案中，所述CMOS控制器晶圆可包括半导体管芯，所述半导体管芯包括与存储器阵列逻辑电路集成在一起的ASIC逻辑电路。
包括分叉存储器模块容量半导体器件

[发明专利]提供对共享存储器的存取的片上系统及其操作方法和系统-CN201310181327.9有效
发明人：许祯训;金载烈;李宰坤;赵南泌 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： G06F15/167 文献下载
摘要：提供了包括经由芯片对芯片链接提供对共享存储器的存取的片上系统（SoC）的电子系统。该电子系统包括存储器设备、第一半导体器件、以及第二半导体器件。第一半导体器件包括第一中央处理单元（CPU）和存储器存取路径，该存储器存储路径被配置为启用对存储器设备的存取。第二半导体器件被配置为经由第一半导体器件的存储器存取路径对存储器设备进行存取。当存储器存取路径激活并且第一CPU未激活时，第二半导体器件被准许对存储器设备进行存取，并且存储器存取路径被配置为变为激活而无需第一CPU的介入。
提供共享存储器存取系统及其操作方法

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