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[发明专利]锗硅沟道的形成方法-CN202310615127.3在审
发明人：岳双强;汪韬;李妍;辻直树 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种锗硅沟道的形成方法，提供绝缘体上硅衬底，绝缘体上硅衬底由自下而上的硅层、绝缘体层和薄半导体层组成，在绝缘体上硅衬底上形成垫氧化层以及位于垫氧化层上的硬掩膜层，在硬掩膜层上形成光刻胶层，之后光刻打开光刻胶层使得PMOS区域的硬掩膜层裸露；去除裸露的硬掩膜层及其下方的垫氧化层，使得PMOS区域的绝缘体上硅衬底裸露；在裸露的绝缘体上硅衬底上形成锗硅外延层；利用快速退火使得锗离子扩散至薄半导体层的底部形成锗硅沟道，锗硅外延层的表面形成第一氧化层，锗硅沟道的厚度均匀性位于设置范围内；刻蚀去除硬掩膜层以及所需厚度的第一氧化层。本发明能够解决目前锗硅沟道厚度均匀性极差的问题。
沟道形成方法

[发明专利]降低外延电阻的方法-CN202310150236.2在审
发明人：岳双强;汪韬;李妍;辻直树 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种降低外延电阻的方法，提供半导体结构，在半导体结构至少包括：NMOS区域的源漏区和栅极叠层；PMOS区域的源漏区和栅极叠层；源漏区以及栅极上覆盖有第一保护层；利用光刻和刻蚀打开PMOS区域上的第一保护层，形成位于栅极叠层侧壁的第一侧墙；在PMOS区域的源漏区上形成第一包含离子掺杂的第一外延层和位于第一外延层上的第一帽层；对PMOS区域的源漏区进行快速热退火处理，使得第一外延层中的掺杂离子扩散至侧墙底部的区域第一外延层；去除剩余的第一保护层，之后形成覆盖NMOS区域和PMOS区域的第二保护层。本发明降低了PMOS源漏区到栅极边缘的沟道电阻，改善了器件的Idsat(饱和电流)、Ioff(关态电流)性能。
降低外延电阻方法

[发明专利]一种SONOS存储器及其制造方法-CN202010698851.3有效
发明人：唐小亮;辻直树;陈昊瑜;邵华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种SONOS存储器及其制造方法，上述制造方法包括：提供衬底，衬底上形成有SONOS存储器的第一晶体管栅极和用以形成第二晶体管栅极的第一层，第一层覆盖第一晶体管栅极和衬底；在第一层的上表面形成图案化的第二层，第二层暴露对应第二晶体管栅极外侧的第一层；对被第二层暴露的第一层进行第一刻蚀；去除第二层，以重新暴露第一层；以及对第一层进行第二刻蚀，以形成第二晶体管栅极。本发明还提供了根据上述制造方法所制造的SONOS存储器。根据本发明所提供的制造方法所制造的SONOS存储器，其选择管和存储管的外侧均能够具有垂直结构，从而能够在后续工艺中形成垂直侧墙，以提高器件性能。
一种 sonos 存储器及其制造方法

[发明专利]车辆控制系统和车辆控制方法-CN202210124287.3在审
发明人：兼子俊海;成濑忠司;森山和哉;辻直树 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B60W30/182 文献下载
摘要：提供车辆控制系统和车辆控制方法，能够抑制在选择了不适当的行驶模式的状态下持续车辆的行驶的情况。车辆控制系统(10)具有：行驶模式适合与否判定部(24)，其判定由行驶模式设定部(22)设定的行驶模式是否适合行驶环境；行驶模式不适合应对部(25)，其在由行驶模式适合与否判定部(24)判定为由行驶模式设定部设定的行驶模式不适合行驶环境时执行行驶模式不适合应对处理，该行驶模式不适合应对处理是进行以下处理中的至少任意一方：进行催促变更行驶模式的报知的处理；以及将由行驶模式设定部(22)设定的行驶模式变更为适合行驶环境的行驶模式的处理。
车辆控制系统控制方法

[发明专利]供电系统、供电装置及供电方法-CN202180016781.1在审
发明人：藤井正明;辻直树 -专利权人：美蓓亚三美株式会社
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H02J50/90 文献下载
摘要：提供一种能以简单的结构即可进行无线供电的供电系统、供电装置及供电方法。供电系统包括：第1红外线输出部，设置在第1物体上，具有向与所述第1物体相对移动的第2物体出现的第1方向输出第1红外线的第1方向性，并输出所述第1红外线；反射体，设置在所述第2物体上，并以回射的方式对所述第1红外线进行反射；第2红外线输出部，设置在所述第2物体上，具有向相对移动的所述第1物体存在的第2方向输出第2红外线的第2方向性，并通过藉由无线供电而接收到的电力输出所述第2红外线；及供电部，设置在所述第1物体上，接收到所述反射体对所述第1红外线进行反射的反射红外线、或所述第2红外线后，沿所述反射红外线或所述第2红外线的到达方向输出光束。
供电系统供电装置方法

[发明专利]FDSOI源漏外延生长方法-CN202210394301.1在审
发明人：岳双强;汪韬;李妍;辻直树 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种FDSOI源漏外延生长方法，包括：按现有工艺制造FDSOI直至沉积第一层隔离侧墙；刻蚀去除绝缘体硅顶部和栅极顶部的第一层隔离侧墙，保留栅极两侧的第一层隔离侧墙；绝缘体硅顶部生长硅外延，打开沟槽窗口；NMOS源漏区域第一材料外延生长；PMOS源漏区域第二材料外延生长，锗硅生长前清洗后所剩余的锗硅层厚度大于PMOS源漏外延生长所需要厚度的最小值；刻蚀去除第一层隔离侧墙底部旁的外延硅。
fdsoi 外延生长方法

[实用新型]用于空调安装的预制混凝土结构-CN202123219290.3有效
发明人：陆荣秀;伊凡;滨口真一;辻直树;徐松林;姚定宇;林意 -专利权人：深圳万前建筑技术有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： E04B1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于空调安装的预制混凝土结构，所述建筑物包括两堵平行设置的空调侧板墙，且两堵所述空调侧板墙之间的间距与空调外机的宽度相适配，所述预制混凝土结构包括预制混凝土载板以及两个混凝土支架；两个所述混凝土支架分别与两堵所述空调侧板墙浇筑一体，且所述两个混凝土支架位于同一水平高度；所述预制混凝土载板的两端分别架设于两个所述混凝土支架上，并由所述预制混凝土载板的上表面构成固定空调外机的安装面。本实用新型通过空调侧板墙上的混凝土支架为预制混凝土载板提供支撑，使得用于空调安装的预制混凝土结构仅存在混凝土与混凝土的衔接，取消了预制混凝土载板的预留钢筋，同时提高了现场施工效率。
用于空调安装预制混凝土结构

[实用新型]卫生间楼板预制件-CN202123233602.6有效
发明人：陆荣秀;徐松林;林意;辻直树;滨口真一;姚定宇;伊凡 -专利权人：深圳万前建筑技术有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： E04B5/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种卫生间楼板预制件，包括预制件主体，预制件主体包括呈平面状的楼板部、位于楼板部的上表面的反坎部和位于楼板部的下表面的横梁部，每一反坎部的下方设置有一个横梁部，并通过横梁部提供支撑；楼板部、反坎部及横梁部通过钢筋混凝土材料一体浇筑成型，以消除每一反坎部与楼板部及横梁部之间的渗水空隙；楼板部的多个侧面分别构成浇筑面，每一浇筑面分别具有多个突出设置的第一连接筋，且预制件主体通过楼板部的多个浇筑面与楼体的卫生间部分的承重结构浇筑在一起。本实用新型的预制件主体的楼板部、反坎部及横梁部一体浇筑成型，可有效简化建造工序，且产生的建筑垃圾少，防水性能好，还保证了预制件主体的整体结构强度。
卫生间楼板预制件

[实用新型]预制混凝土平板外墙的侧向连接结构-CN202123251526.1有效
发明人：陆荣秀;林意;徐松林;辻直树;滨口真一;伊凡;姚定宇 -专利权人：深圳万前建筑技术有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： E04B1/38 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种预制混凝土平板外墙的侧向连接结构，包括钢筋混凝土现浇部和浇筑槽位；预制混凝土平板外墙包括突出于浇筑槽位的底壁的多个连接筋，连接筋突出于底壁的高度小于突出部突出于底壁的高度；钢筋混凝土现浇部包括钢筋网格和现浇混凝土，钢筋网格在预制混凝土平板外墙吊装到位后放置到浇筑槽位，且钢筋网格由浇筑槽位延伸到待连接的外部结构件；现浇混凝土浇筑于浇筑槽位及待连接的外部结构件，且连接筋和钢筋网格均埋于现浇混凝土内。本实用新型可在预制混凝土平板外墙吊装到位后再把钢筋网格布置于浇筑槽位内，可避免连接筋与待连接的外部结构件上的预留钢筋碰撞，从而保证施工质量，提高连接的稳定性和可靠性。
预制混凝土平板外墙侧向连接结构

[实用新型]混凝土建筑反坎的预埋钢板辅装工具-CN202123254025.9有效
发明人：陆荣秀;姚定宇;辻直树;徐松林;滨口真一;林意;伊凡 -专利权人：深圳万前建筑技术有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： E04G21/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种混凝土建筑反坎的预埋钢板辅装工具，包括多个横向连接组件和多个竖向调节组件；每一横向连接组件分别固定在用于浇筑混凝土建筑反坎的两个铝模上；每一竖向调节组件以可沿混凝土建筑反坎的高度方向移动的方式固定到一个横向连接组件上，竖向调节组件设有装配部，并通过装配部与预埋钢板以可拆卸的方式固定；在竖向调节组件装配到横向连接组件时，预埋钢板嵌入到两个铝模之间的用于浇筑混凝土建筑反坎的浇筑位内，并通过竖向调节组件调整预埋钢板在浇筑位内的位置。本实用新型可有效定位预埋钢板，提高施工精度，保证了预埋钢板的标高，解决成型质量差的问题，且可调节性强，有效解决了预埋钢板的位置调整较为困难的问题。
混凝土建筑钢板工具

[发明专利]一种SONOS存储结构及其制造方法-CN201811444528.2有效
发明人：唐小亮;陈广龙;辻直树;邵华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明提供了一种SONOS存储结构及其制造方法，SONOS存储结构包括衬底和形成在衬底上的选择管栅极和存储管栅极，其中，衬底为复合衬底，包括具有硅基体层、掩埋氧化物层和硅表面层，硅基体层的上部为存储管阱区；选择管栅极和存储管栅极形成在硅表面层上；选择管栅极包括选择管第一栅极和选择管第二栅极，选择管第一栅极和选择管第二栅极分别位于存储管栅极两侧，并与存储管栅极通过存储管栅极两侧的第一侧墙电性隔离；以及选择管第一栅极和选择管第二栅极外侧的硅表面层上表面分别形成有与选择管第一栅极和选择管第二栅极毗邻的硅外延层。本发明提供的制造方法能够兼容现有的FDSOI工艺，能够制造出结构更小，性能更优的上述SONOS存储单元。
一种 sonos 存储结构及其制造方法

[发明专利]隐形眼镜及其制造方法-CN201680085426.9有效
发明人：泽田洋平;中岛隆治;辻直树 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G02C7/04 文献下载
摘要：一种隐形眼镜及其制造方法，该隐形眼镜具有凸形的前表面和凹形的后表面，在前表面划定有光学部、边缘、配置于光学部的外周的第一平滑部、配置于第一平滑部的外周的周边部、以及连接周边部和边缘的第二平滑部，前表面具有镜像对称性，周边部包括具有在水平子午线上成为最大壁厚的形状的第一周边部、具有使隐形眼镜在垂直子午线上成为最小壁厚的形状的第二周边部、是与第一周边部相邻的部分且具有壁厚恒定的面形状的第一周边部辅助部以及是连接第一周边部辅助部和第二周边部而作为连续面的部分且具有使壁厚变化的面形状的倾斜部。
隐形眼镜及其制造方法

[发明专利]二次电池的劣化判定系统以及劣化判定方法-CN201980051850.5在审
发明人：増田重巳;辻直树 -专利权人：美蓓亚三美株式会社
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01M10/48 文献下载
摘要：本发明提供一种劣化判定系统，包括：体积变化检测部，其用于检测锂离子电池的体积变化；容量变化检测部，其用于检测锂离子电池的容量变化；以及充电控制部，其用于控制锂离子电池的充电，充电控制部在通过体积变化检测部检测到锂离子电池的体积膨胀的状态且通过容量变化检测部未检测到锂离子电池的容量降低的状态的时候，判定锂离子电池处于劣化状态。
二次电池判定系统以及方法

[发明专利]一种SONOS存储器及其制造方法-CN202010757304.8在审
发明人：唐小亮;辻直树;陈昊瑜;邵华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种SONOS存储器及其制造方法，上述的SONOS存储器的制造方法具体包括：提供衬底，存储区域的衬底上形成有选择管栅极和存储管栅极；在上述选择管栅极两侧和上述存储管栅极两侧的存储区域的衬底上表面形成硅外延层，上述硅外延层用以分别构成选择管和存储管的源漏极；以及在上述硅外延层的上部形成金属硅化物层。本发明还提供了根据上述制造方法所形成的SONOS存储器。根据本发明所提供的制造方法，能够通过简单具有高度兼容性的工艺有效地提高所形成的SONOS存储器的良率，并且有效地提高了所形成的SONOS存储器的器件性能。
一种 sonos 存储器及其制造方法

[发明专利]奶味浓厚的鲜奶油及其制造方法-CN201380060324.8有效
发明人： 辻直树;横山茜 -专利权人：株式会社明治
申请日： 2013-12-16 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： A23C13/12 文献下载
摘要：本发明提供一种即使使用脱脂浓缩奶、脱脂奶粉也不增强盐味的奶味浓厚的鲜奶油及其制造方法。本发明的鲜奶油的制造方法包括分离工序(S101)和稀释工序(S102)。分离工序(S101)是对原料奶进行离心分离，得到脂肪率为51质量％以上65质量％以下的分离奶油的工序。稀释工序(S102)是在分离奶油中添加脱脂浓缩奶和脱脂奶粉中的任一种或两种，得到脂肪率为45质量％以上50质量％以下、无脂肪奶固体成分量为6质量％以上15质量％以下的稀释奶油的工序。
奶油鲜奶油稀释分离工序脱脂奶粉脱脂浓缩奶脂肪率奶味制造奶固体原料奶盐味脂肪

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