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[发明专利]膜型半导体封装和方法,测试器件,半导体器件和方法-CN200610064300.1有效
发明人：许南重 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-28 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种使用被输出通道共用的测试垫的膜型半导体封装和方法、一种测试器件、以及使用被测试通道共用的图案的半导体器件和方法。该半导体器件包括膜型半导体封装和测试器件。该膜型半导体封装通过多个测试垫输出测试信号。该测试器件利用测试信号测试该膜型半导体封装。该测试器件的印刷电路板包括多个公共图案，其每个将多个测试通道中的至少两个连接到输入端子，该测试通道将该输入端子连接到测试引脚。当该膜型半导体封装、测试该膜型半导体封装的方法、该半导体器件和该测试器件、以及测试该半导体器件中的该膜型半导体封装的方法被使用时，该膜型半导体封装可以被测试而不替换现有的测试器件。
半导体封装方法测试器件半导体器件

[发明专利]一种基于结构函数的半导体器件寿命分析方法及系统-CN202111014636.8有效
发明人：杨连乔;张驰;简毛亮;张建华 -专利权人：上海大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G06F17/13 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于结构函数的半导体器件寿命分析方法及系统。该方法包括：对待分析半导体器件进行寿命循环试验；对寿命循环试验后的待分析半导体器件进行热测试，得到待分析半导体器件的瞬态响应曲线；根据瞬态响应曲线确定待分析半导体器件的结构函数；待分析半导体器件的结构函数包括积分结构函数和微分结构函数；积分结构函数为待分析半导体器件的热阻与热容之间的函数，微分结构函数为待分析半导体器件的热阻与热容对热阻一阶导数之间的函数；根据积分结构函数和微分结构函数对待分析半导体器件内部的各层结构进行分析，得到待分析半导体器件的寿命分析结果本发明可以实现半导体内部结构的分析，从而指导半导体性能的优化。
一种基于结构函数半导体器件寿命分析方法系统

[发明专利]具有栅极堆叠件的半导体器件的结构和形成方法-CN201410811892.3有效
发明人：张哲诚;施胜棨;陈臆仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了具有栅极堆叠件的半导体器件的结构和形成方法。本发明提供了半导体器件的结构和形成方法。半导体器件包括半导体衬底和位于该半导体衬底上方的第一栅电极。半导体器件还包括介于第一栅电极和半导体衬底之间的第一栅极介电层。半导体器件还包括位于半导体衬底上方的第二栅电极。第二栅电极具有上部和介于上部与半导体衬底之间的下部，并且上部宽于下部。此外，半导体器件包括介于第二栅电极和半导体衬底之间的第二栅极介电层。
具有栅极堆叠半导体器件结构形成方法

[发明专利]集成电路布图结构-CN201810967221.4在审
发明人：赵奂 -专利权人：湖南格兰德芯微电子有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路布图结构，包括传导半导体器件和被传导半导体器件，传导半导体器件的至少一层金属层向被传导半导体器件延伸插入或覆盖被传导半导体器件的至少一层金属层，传导半导体器件延伸金属层是传导金属层，被传导半导体器件被插入金属层或被覆盖金属层是被传导金属层，该传导金属层与传导半导体器件其他金属层通过接触孔连接，该传导金属层与被传导半导体器件无接触。本发明的布图结构能在满足集成电路布图最小物理规则前提下，使相邻半导体器件满足温度耦合或感应要求。
半导体器件传导金属层传导金属层集成电路布图相邻半导体器件覆盖金属层布图结构物理规则接触孔无接触耦合延伸覆盖

[实用新型]集成电路布图结构-CN201821363910.6有效
发明人：赵奂 -专利权人：湖南格兰德芯微电子有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成电路布图结构，包括传导半导体器件和被传导半导体器件，传导半导体器件的至少一层金属层向被传导半导体器件延伸插入或覆盖被传导半导体器件的至少一层金属层，传导半导体器件延伸金属层是传导金属层，被传导半导体器件被插入金属层或被覆盖金属层是被传导金属层，该传导金属层与传导半导体器件其他金属层通过接触孔连接，该传导金属层与被传导半导体器件无接触。本实用新型的布图结构能在满足集成电路布图最小物理规则前提下，使相邻半导体器件满足温度耦合或感应要求。
半导体器件传导金属层传导金属层集成电路布图本实用新型相邻半导体器件覆盖金属层布图结构物理规则接触孔无接触耦合延伸覆盖

[发明专利]一种半导体器件和电子装置-CN201410167025.0在审
发明人：丁士成;傅丰华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-04-24 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件，包括半导体衬底以及位于半导体衬底上的核心器件和虚拟器件；其中，所述核心器件包括位于半导体衬底上的栅极以及位于所述栅极两侧的应力层，所述虚拟器件包括位于半导体衬底上的栅极以及位于所述栅极两侧的应力层，并且，当所述虚拟器件与所述核心器件的类型相同时，所述虚拟器件的应力层与所述核心器件的应力层的材料相同。本发明的半导体器件由于所包括的虚拟器件与核心器件一样具有应力层，因此可以保证位于应力层之上的膜层具有良好的交叠表现，可以提高半导体器件的良率和可靠性。本发明的电子装置，由于使用了上述半导体器件，因而同样具有上述优点。
一种半导体器件电子装置

[发明专利]有机半导体薄膜的形成方法、以及使用该方法的有机半导体器件及其制造方法-CN201580038837.8有效
发明人：酒井正俊;工藤一浩;贞光雄一 -专利权人：日本化药株式会社
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供可以通过短时间的处理形成有机半导体薄膜的有机半导体薄膜的形成方法，并且提供利用上述有机半导体薄膜的有机半导体器件，以及生产量高的有机半导体器件的制造方法。在包含有机半导体材料(7)的有机半导体薄膜(4)的形成方法中，对有机半导体材料(7)一边施加压力一边赋予超声波振动，由此将有机半导体材料(7)制成薄膜。有机半导体器件的制造方法为包含有机半导体薄膜的有机半导体器件的制造方法，其中，通过上述形成方法形成有机半导体薄膜。有机半导体器件为通过上述制造方法制造的有机半导体器件。
有机半导体薄膜形成方法以及使用有机半导体器件及其制造

[发明专利]半导体器件的特性参数的规格的预测方法及装置、终端-CN202211428890.7有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：全芯智造技术有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：一种半导体器件的特性参数的规格的预测方法及装置、终端，方法包括：确定多个半导体器件芯片的静态漏电流IDDQ与工作电压，并建立所述半导体器件的IDDQ以及工作电压之间的第一拟合关系；确定所述半导体器件的IDDQ的上限值；确定所述半导体器件芯片的器件综合速度IDSAT，并建立各个半导体器件的IDDQ以及IDSAT之间的第二拟合关系；确定所述半导体器件的IDSAT的上限值；建立所述半导体器件的工作电压以及所述IDSAT之间的第三拟合关系，确定所述半导体器件的IDSAT的下限值。本发明可以提高对器件的特性参数的规格的预测准确性。
半导体器件特性参数规格预测方法装置终端

[发明专利]半导体器件的检测方法、半导体器件及电子设备-CN202010270702.7在审
发明人：李其衡;贺晓彬;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体器件的检测方法、半导体器件及电子设备，包括如下步骤：提供一个半导体器件组；根据检查规则检测所述半导体器件组，使得所述半导体器件组中的各个半导体器件的检测步骤数量均一化。其中各个检测步骤组中的某两个或者多个检测步骤，不会都测量同一个半导体器件组中的同一个半导体器件。这种情况下，检测步骤组中的其他检测步骤则被省略。对于每个检测步骤，根据该检测步骤的预设检查概率，当该检测步骤被连续两个以上的半导体器件排除时，在下一个半导体器件执行该检测步骤。本公开的优点在于，使每个半导体器件组的测量次数均一化；使每个半导体器件组的整体工艺时间均一化。
半导体器件检测方法电子设备

[实用新型]一种功率半导体器件保护装置-CN201821548271.0有效
发明人：李百尧;贾捷;王平生;何卫华 -专利权人：广东智科电子股份有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率半导体器件保护装置，包括PCB板以及设置在PCB板上的功率半导体器件、散热器和温度传感器，温度传感器通过导热垫粘贴在功率半导体器件的下表面，直接采样功率半导体器件表面的温度，而且导热垫可以填充功率半导体器件和温度传感器之间的间隙，增大功率半导体器件和温度传感器之间的热传递界面，导热垫优良的热传导率提高了温度传感器对功率半导体器件温度上升的响应时间，使功率半导体器件的温度保护具有较好的保护效果，另一方面，散热器设置在功率半导体器件的上表面对功率半导体器件进行散热的同时，可以作为功率半导体器件的保护外壳，避免在运输、安装过程中功率半导体器件受到损伤。
功率半导体器件温度传感器导热垫散热器保护装置半导体器件本实用新型安装过程热传导率温度保护增大功率直接采样热传递上表面下表面散热填充粘贴损伤响应运输

[实用新型]一种半导体器件栅偏测试装置-CN202221433436.6有效
发明人：李尧圣;陈艳芳;李金元;陈中圆;李翠;杨晓亮 -专利权人：国网智能电网研究院有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件栅偏测试装置，半导体器件栅偏测试装置包括：加热装置，用于放置待进行半导体器件栅偏测试的半导体器件以及用于为半导体器件提供预设温度的环境；正栅压施加电路，用于为半导体器件施加正向电压；负栅压施加电路，用于为半导体器件施加负向电压；电流检测装置，用于测量在半导体器件栅偏测试的过程中半导体器件的栅极泄漏电流；测试控制端，与正栅压施加电路、负栅压施加电路和电流检测装置分别连接，并用于控制正栅压施加电路和负栅压施加电路交替工作本实用新型在半导体器件栅偏测试的过程中实时监控并实时记录半导体器件的栅极泄漏电流，半导体器件栅偏测试装置的测试可靠性高。
一种半导体器件测试装置

[实用新型]一种半导体器件控制模块-CN200920132233.1无效
发明人：杨斌 -专利权人：杨斌
申请日： 2009-05-26 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种半导体器件控制模块，包括壳体、半导体器件和控制电路板，壳体包括一个安装平面和设置在安装平面上的安装槽，半导体器件包括一个散热平面，控制电路板安装在壳体上安装平面相对的一侧；半导体器件安装在安装槽内并与控制电路板连接，半导体器件的散热平面高于壳体的安装平面。本实用新型取消了现有封装半导体器件控制模块的封装板，克服了现有技术对半导体器件控制模块必须在壳体顶面设置封装板的技术偏见，保证半导体器件控制模块可靠使用，提高控制模块使用寿命，便于半导体器件控制模块故障时对其内部部件进行检修更换；降低半导体器件控制模块的生产成本，便于对故障半导体器件控制模块进行维修，提高了半导体器件控制模块材料的利用率。
一种半导体器件控制模块

[发明专利]用于使静态随机存取存储器(SRAM)中的工艺耐受电流漏泄降低的电路、方法和装备-CN201480067702.X有效
发明人： C·古拉蒂;A·阿希列什;V·纳拉亚南 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：公开了一种存储器设备偏置电路，该电路具有耦合以接收具有适于在活跃模式中操作存储器设备的电源电压电平的电源电压的半导体器件对，并且该半导体器件对可操作用于向该存储器设备提供可调节偏置电压，该可调节偏置电压大于用于在数据保留模式中操作存储器设备的最小电压电平该半导体器件对包括第一半导体器件；以及，包括与该第一半导体器件相反类型的半导体器件的第二半导体器件，从而该半导体器件对包括N型半导体器件和P型半导体器件中的每一者。该存储器设备偏置电路进一步包括耦合到第二半导体器件并且配置成基于该电源电压调节该第二半导体器件的操作的偏置调节电路。
通过电源电压偏置电路静态随机存取存储器 sram 中的工艺耐受电流漏泄降低

[发明专利]功率半导体器件、控制方法、装置及系统-CN202011227251.5在审
发明人：朱袁正;黄薛佺;杨卓;叶鹏 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种功率半导体器件，功率半导体器件被划分为终端区和元胞区，终端区环绕元胞区设置，其中，功率半导体器件包括第一MOSFET器件和第二MOSFET器件，第一MOSFET器件的源极与第二MOSFET器件的源极连接后作为功率半导体器件的源极，第一MOSFET器件的漏极和第二MOSFET器件的漏极连接后作为功率半导体器件的漏极，第一MOSFET器件的栅极作为功率半导体器件的第一栅极，第二MOSFET器件的栅极作为功率半导体器件的第二栅极，位于元胞区内的第一MOSFET器件的元胞的数量大于第二MOSFET器件的元胞的数量。本发明还公开了一种功率半导体器件的控制方法、装置及系统。本发明提供的功率半导体器件具有高可靠性的优势。
功率半导体器件控制方法装置系统

[发明专利]半导体器件及半导体存储装置-CN201110114256.1有效
发明人：梁擎擎;童小东;钟汇才;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-05-04 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及半导体存储装置。该半导体器件可以用作存储单元，且包括：依次设置的第一P型半导体层、第一N型半导体层、第二P型半导体层和第二N型半导体层。可以通过在第一P型半导体层与第二N型半导体层之间施加大于穿通电压VBO的正向偏置，在该器件中存储第一数据状态。也可以通过在第一P型半导体层与第二N型半导体层之间施加处于该半导体器件的反向击穿区的反向偏置，在该器件中存储第二数据状态。因此，可以有效地将该半导体器件用于存储数据。该半导体存储装置包括由上述半导体器件构成的存储单元的阵列。
半导体器件半导体存储装置