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[实用新型]耦合电感结构-CN201821392428.5有效
发明人：赵奂 -专利权人： 湖南格兰德芯微电子有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于集成电路的耦合电感结构，具有至少两个金属耦合结构,该金属耦合结构作为集成电路中变压器件的电感，每个金属耦合结构两端分别连接于半导体器件衬底上的金属层，在满足集成电路工艺的条件下，金属耦合结构之间通过空间位置关系获得不同的耦合电感。本实用新型利用焊接在半导体器件衬底上的键合线构成变压器件的主次电感，避免了集成电路领域金属层工艺的限制。使耦合电感的能够尽量利用集成电路布图的所有空间，提高芯片面积利用率。主次电感能够在制造时制成适应布图结构的形状，尽可能的使用主次电感的形状提供最佳耦合互感系数。
电感金属耦合结构耦合电感半导体器件本实用新型衬底集成电路芯片面积利用率集成电路布图集成电路工艺集成电路领域空间位置关系金属层工艺布图结构互感系数最佳耦合键合线金属层变压器焊接制造

[实用新型]集成电路布图结构-CN201821363910.6有效
发明人：赵奂 -专利权人： 湖南格兰德芯微电子有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成电路布图结构，包括传导半导体器件和被传导半导体器件，传导半导体器件的至少一层金属层向被传导半导体器件延伸插入或覆盖被传导半导体器件的至少一层金属层，传导半导体器件延伸金属层是传导金属层，被传导半导体器件被插入金属层或被覆盖金属层是被传导金属层，该传导金属层与传导半导体器件其他金属层通过接触孔连接，该传导金属层与被传导半导体器件无接触。本实用新型的布图结构能在满足集成电路布图最小物理规则前提下，使相邻半导体器件满足温度耦合或感应要求。
半导体器件传导金属层传导金属层集成电路布图本实用新型相邻半导体器件覆盖金属层布图结构物理规则接触孔无接触耦合延伸覆盖

[发明专利]耦合电感结构-CN201810988332.3在审
发明人：赵奂 -专利权人： 湖南格兰德芯微电子有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于集成电路的耦合电感结构，具有至少两个金属耦合结构,该金属耦合结构作为集成电路中变压器件的电感，每个金属耦合结构两端分别连接于半导体器件衬底上的金属层，在满足集成电路工艺的条件下，金属耦合结构之间通过空间位置关系获得不同的耦合电感。本发明利用焊接在半导体器件衬底上的键合线构成变压器件的主次电感，避免了集成电路领域金属层工艺的限制。使耦合电感的能够尽量利用集成电路布图的所有空间，提高芯片面积利用率。主次电感能够在制造时制成适应布图结构的形状，尽可能的使用主次电感的形状提供最佳耦合互感系数。
电感金属耦合结构耦合电感半导体器件衬底集成电路芯片面积利用率集成电路布图集成电路工艺集成电路领域空间位置关系金属层工艺布图结构互感系数最佳耦合键合线金属层变压器焊接制造

[发明专利]集成电路布图结构-CN201810967221.4在审
发明人：赵奂 -专利权人： 湖南格兰德芯微电子有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路布图结构，包括传导半导体器件和被传导半导体器件，传导半导体器件的至少一层金属层向被传导半导体器件延伸插入或覆盖被传导半导体器件的至少一层金属层，传导半导体器件延伸金属层是传导金属层，被传导半导体器件被插入金属层或被覆盖金属层是被传导金属层，该传导金属层与传导半导体器件其他金属层通过接触孔连接，该传导金属层与被传导半导体器件无接触。本发明的布图结构能在满足集成电路布图最小物理规则前提下，使相邻半导体器件满足温度耦合或感应要求。
半导体器件传导金属层传导金属层集成电路布图相邻半导体器件覆盖金属层布图结构物理规则接触孔无接触耦合延伸覆盖

[发明专利]射频电感变换器-CN201611145827.7在审
发明人：赵奂 -专利权人： 湖南格兰德芯微电子有限公司
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H02M5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频电感变换器，包括：第一电感(L1)、第二电感(L2)和开关器件(S)；第一电感(L1)设置于半导体器件第一层(B1)，其作为输出电感；第二电感设置于半导体器件第二层(B2)，其作为控制电感；两个电感之间的距离为d；开关器件(S)并联在第二电感(L2)两端。本发明的射频电感变换器能够改变电感，在射频电路中与现有技术相比具有更高实用性和更广应用范围。
电感射频电感变换器半导体器件开关器件高实用性射频电路输出电感第一层应用

[实用新型]偏置电路及其构成的射频功率放大器-CN201721350798.8有效
发明人：张长伟;赵奂 -专利权人： 湖南格兰德芯微电子有限公司
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H03F3/19 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于射频功率放大器的偏置电路，包括：串联的偏置电路一和偏置电路二；偏置电路一的第一端连接放大器件的基极，其第二端连接偏置电路二的第一端，偏置电路二的第二端接地；本实用新型还公开了一种具有上述偏置电路的射频功率放大器，包括功率源一端接地另一端通过串联的输入匹配网络和电容C3连接放大器件的基极，放大器件的发射极接地，放大器件的集电极通过扼流圈连接电路电源并通过输出匹配网络连接天线端。本实用新型用于射频功率放大器，能同时提高射频功率放大器的线性度和射频功率放大器的热稳定性。
偏置电路及其构成射频功率放大器

[发明专利]偏置电路及其构成的射频功率放大器-CN201710979182.5在审
发明人：张长伟;赵奂 -专利权人： 湖南格兰德芯微电子有限公司
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H03F3/19 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于射频功率放大器的偏置电路，包括串联的偏置电路一和偏置电路二；偏置电路一的第一端连接放大器件的基极，其第二端连接偏置电路二的第一端，偏置电路二的第二端接地；本发明还公开了一种具有上述偏置电路的射频功率放大器，包括功率源一端接地另一端通过串联的输入匹配网络和电容C3连接放大器件的基极，放大器件的发射极接地，放大器件的集电极通过扼流圈连接电路电源并通过输出匹配网络连接天线端。本发明用于射频功率放大器，能同时提高射频功率放大器的线性度和射频功率放大器的热稳定性。
偏置电路及其构成射频功率放大器

[发明专利]射频功率放大器功率合成装置-CN201510705059.5在审
发明人：赵奂;何山暐;陈肯乐 -专利权人： 湖南格兰德芯微电子有限公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频功率放大器功率合成装置包括第一、第二晶体管第二端通过第五、第六电容相连并通过输入网络接该合成装置第一端；第一、第二晶体管第三端通过输出网络接该合成装置第二端；第一晶体管第三端通过第一电感接第一外部电源接入端并通过第二电容接地；第二晶体第三端通过第二电感接第二外部电源接入端并通过第四电容接地；第一输入偏置电路一端接第一晶体管第二端另一端接第一偏置电压并通过第一电容接地；第二输入偏置电路一端接第二晶体管第二端另一端接第二偏置电压并通过第三电容接地；第一晶体管第一端和第二晶体管第一端分别接地，第一和第二偏置电压不相等；本发明与现有射频功率放大器功率合成装置相比具有更高线性度。
射频功率放大器功率合成装置

[发明专利]复合管射频功率放大器-CN201510707943.2在审
发明人：赵奂;何山暐;陈肯乐 -专利权人： 湖南格兰德芯微电子有限公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合管射频功率放大器，包括第一晶体管和第二晶体管的第二端通过输入网络接复合管射频功率放大器的第一端；第一晶体管和第二晶体管的第三端相连通过输出网络接复合管射频功率放大器的第二端并通过第一电感接外部电源接入端，外部电源接入端通过第二电容接地；第一晶体管和第二晶体管的第一端分别接地；第一输入偏置电路一端接第一晶体管第二端另一端接第一偏置电压并通过第一电容接地；第二输入偏置电路一端连接第二晶体管第二端另一端接第二偏置电压并通过第三电容接地；隔直交短装置连接在第一晶体管和第二晶体管第二端之间,第一偏置电压不等于第二偏置电压。本发明与现有功率合成放大器相比具有更高线性度。
复合管射频功率放大器

[发明专利]射频信号峰值探测器-CN201510588785.3在审
发明人：何山暐;赵奂 -专利权人： 湖南格兰德芯微电子有限公司
申请日： 2015-09-16 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： G01R19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频信号峰值探测器，包括：耦合电容的负极作为射频信号峰值探测器的射频耦合输入端，耦合电容的正极连接第一电阻的一端，第一电阻的另一端连接第二电阻一端、第三电阻一端以及第四电阻的一端；第二电阻的另一端接二极管的负极，二极管的正极接地；第三电阻的另一端接地；第四电阻的另一端作为射频信号峰值探测器的射频耦合输出端并通过低通电容滤波接地。本发明的射频信号峰值探测器与现有射频信号峰值探测器相比结构简单，制造成本低。
射频信号峰值探测器

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