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[发明专利]耐受扩散的III-V族半导体异质结构及包括其的器件-CN201480083487.2有效
发明人： H·W·肯内尔;M·V·梅茨;W·拉赫马迪;G·杜威;C·S·莫哈帕特拉;A·S·默西;J·T·卡瓦列罗斯;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：说明了包括包括第一III‑V族化合物半导体的子鳍状物和包括第二III‑V族化合物半导体的沟道的半导体器件。在一些实施例中，半导体器件包括包括由至少两个沟槽侧壁限定的沟槽的衬底，其中，第一III‑V族化合物半导体沉积在沟槽内的衬底上，第二III‑V族化合物半导体在第一层III‑V族化合物半导体上外延生长。在一些实施例中，第一III‑V族化合物半导体和第二III‑V族化合物半导体之间的导带偏移大于或等于约0.3电子伏特。还说明了制造这种半导体器件的方法和包括这种半导体器件的计算设备。
耐受扩散 iii 半导体结构包括器件

[发明专利]半导体光学装置，在半导体光学装置中形成接触的方法-CN200410062177.0无效
发明人：中村孝夫;森大树;片山浩二 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2004-07-02 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种半导体光学装置包括超晶格接触半导体区和金属电极。超晶格接触半导体区具有超晶格结构。超晶格接触半导体区包括II－VI化合物半导体区和II－VI化合物半导体层。II－VI化合物半导体区含有锌、硒和碲，II－VI化合物半导体层含有锌和硒。金属电极在所述超晶格接触半导体区上提供，金属电极与第一II－VI化合物半导体层电连接。
半导体光学装置形成接触方法

[发明专利]化合物半导体与硅基互补金属氧化物半导体晶圆的异构集成方法及异构集成器件-CN201910691211.7有效
发明人：常虎东;孙兵;刘洪刚;金智 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料领域，具体涉及一种化合物半导体与硅基互补金属氧化物半导体晶圆的异构集成方法，包括：选区刻蚀化合物半导体外延层，以在化合物半导体上形成腐蚀槽；在外延层的刻蚀面以及腐蚀槽的内槽壁上形成键合介质层；在硅基衬底上涂敷热固性胶层；将上述化合物半导体、硅基互补金属氧化物半导体晶圆键合；刻蚀化合物半导体的衬底、形成部分键合介质层以及胶层。本发明通过选区刻蚀形成的腐蚀槽，利于热固性胶层中气泡的排出，在化合物半导体上形成键合介质层，保护了化合物半导体的表面，通过热固性胶层与键合介质层的键合，实现了化合物半导体的外延层与硅基互补金属氧化物半导体晶圆的良好键合
化合物半导体互补金属氧化物集成方法器件

[发明专利]半导体装置-CN201510555757.1在审
发明人：鬼泽岳;高田贤治 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够判定龟裂有无的半导体装置。实施方式的半导体装置(1)包含：衬底(30)；第1化合物半导体层(32)，设于衬底(30)上；第2化合物半导体层(33)，设于第1化合物半导体层(32)上，且带隙比第1化合物半导体层(32)大；元件分离区域(21)，设于第1化合物半导体层(32)及第2化合物半导体层(33)内；导电区域(23)，包含配置在比元件分离区域(21)更外侧的第1及第2化合物半导体层(32、33)；以及第1及第2电极垫(24)，电连接于导电区域
半导体装置

[发明专利]一种基于硅基载板的化合物半导体晶圆正面加工方法-CN202110204734.1在审
发明人：严立巍;符德荣;文锺;陈政勋;李景贤 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造领域，公开一种基于硅基载板的化合物半导体晶圆正面加工方法，包括以下步骤：S1、通过蚀刻或磨边制作在化合物半导体基板正面边缘进行缓坡处理；S2、将多个化合物半导体基板背面永久键合在硅基载板上；S3、完成化合物半导体基板正面的晶圆制程；S4、将化合物半导体基板正面暂时键合玻璃载板，去除硅基载板并完成化合物半导体基板背面减薄，再进行后续的晶圆背面制程。本发明运用将小尺寸化合物半导体基板永久性键合于硅基载板上，实现了利用现行的主力尺寸硅片的生产线量产化合物半导体元件，可以一次进行多片化合物半导体晶圆的制造，提高了化合物半导体晶圆的产线效益。
一种基于硅基载板化合物半导体正面加工方法

[发明专利]一种化合物半导体的背面脱离工艺-CN202210975686.0在审
发明人：严立巍;马晴;刘文杰;林春慧 -专利权人：中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工技术领域，具体的是一种化合物半导体的背面脱离工艺，本发明包括S1将多个化合物半导体基板背面通过碳沉积反应永久键合在耐高温载板上，完成化合物半导体基板正面的晶圆制程；S2采用透明有机薄膜填充化合物半导体基板空隙，完成正面平坦化，然后将化合物半导体基板正面暂时键合玻璃载板；S3通过激光穿透玻璃载板与透明有机薄膜，将化合物半导体基板与耐高温载板之间以及化合物半导体基板与化合物半导体基板之间键合的碳打断；本发明通过碳沉积反应将化合物半导体基板的背面键合在耐高温基板上，然后通过激光可以将键合的碳打断，从而可以直接将化合物半导体基板与耐高温基板分离，方便快捷，提高了分离的效率。
一种化合物半导体背面脱离工艺

[发明专利]半导体晶片的制造方法及半导体晶片-CN201310288712.3无效
发明人：牧野亮平;熊田贵夫;江户雅晴;高木启史 -专利权人：古河电气工业株式会社;富士电机株式会社
申请日： 2013-07-10 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能够很好地抑制半导体晶片外周部中的裂纹产生的半导体晶片的制造方法及半导体晶片。半导体晶片的制造方法包括：在基板的主表面上形成种类不同于上述基板的化合物半导体层的化合物半导体层形成工序；和通过蚀刻除去形成于上述基板主表面的外周部的化合物半导体层的除去工序。另外，还包括在基板的主表面上形成种类不同于上述基板的化合物半导体层的化合物半导体层形成工序，在上述化合物半导体层形成工序中，将上述基板主表面的外周部遮蔽的同时形成该化合物半导体层。
半导体晶片制造方法

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201210575964.X有效
发明人：山田敦史 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。具体而言，本发明提供一种AlGaN/GaN HEMT，所述AlGaN/GaN HEMT包括化合物半导体层叠结构、形成在化合物半导体层叠结构上方的栅电极、以及形成在化合物半导体层叠结构与栅电极之间的p型半导体层，并且该p型半导体层具有在平行于化合物半导体层叠结构的表面的方向上的拉伸应变。
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]化合物半导体装置及其制造方法-CN201010578769.3有效
发明人：金子信男 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供能够与化合物半导体元件的动作无关地防止漏电流的化合物半导体装置及其制造方法。化合物半导体装置(1)具有：第1化合物半导体层(31)，其具有2DEG(310)；第2化合物半导体层(32)，其配置在第1化合物半导体层(31)上，作用为载流子供给层；化合物半导体元件(10)以及外周区域(11)，该化合物半导体元件(10)具有：第1电极(61)，其配置在2DEG(310)上；以及第2电极(42)，其在2DEG(310)上与第1电极(61)分开配置，该外周区域(11)在包围化合物半导体元件
化合物半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410443424.5有效
发明人：李东洙;李明宰;赵成豪;穆罕默德·拉基布·乌丁;大卫·徐;梁炆承;李商文;李成训;许智贤;黄义澈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括处于第Ⅲ‑Ⅵ主族化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。所述半导体器件可包括化合物半导体层、布置在化合物半导体层上的电介质层以及插入在化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。氧吸附层包含与化合物半导体的材料相比对氧有更高亲和性的材料。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]化合物半导体构件的损伤评价方法-CN200610088704.4无效
发明人：八乡昭广;西浦隆幸 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2006-06-01 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供可以评价表面的损伤程度的化合物半导体构件的损伤评价方法以及损伤的程度小的化合物半导体构件的制造方法、氮化镓类化合物半导体构件及氮化镓类化合物半导体膜。首先，进行化合物半导体基板(10)的表面(10a)的光致发光测定，然后，在利用光致发光测定得到的发光光谱中，使用与化合物半导体基板(10)的能带间隙对应的波长(λP₁的半高宽W₁，评价化合物半导体基板(10)的表面(10a)的损伤。
化合物半导体构件损伤评价方法

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201310319658.4在审
发明人：牧山刚三 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2013-07-26 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。化合物半导体器件包括：化合物半导体层；保护绝缘膜，其覆盖化合物半导体层的顶部，并且其上形成有开口；以及填充开口的电极，该电极与化合物半导体层接触并且形成在保护绝缘膜上，其中电极与化合物半导体层之间的接触部分的取向状态和电极与保护绝缘膜之间的接触部分的取向状态相同
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体基板、半导体基板的制造方法、半导体基板的判定方法以及电子器件-CN201080014373.4无效
发明人：中野强 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2010-04-02 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：提供改善了电压-电流特性线性度的高性能化合物半导体外延基板、其制造方法及其判定方法。提供一种半导体基板，具备：生成二维载流子气体的化合物半导体；对该化合物半导体供给载流子的载流子供给半导体；以及迁移率降低半导体，其配置于该化合物半导体与该载流子供给半导体之间，并具有使载流子的迁移率小于该化合物半导体中的载流子的迁移率的迁移率降低因素
半导体制造方法判定以及电子器件

[发明专利]量子点、其制备方法以及包括量子点的光学构件-CN202111551199.3在审
发明人：郑濬赫;朴昇元;宋政勋;李栢熙;李准宇;张宰福 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：量子点包括：包括与镓(Ga)形成合金的第III‑V族半导体化合物的核；围绕核的第一壳；和围绕第一壳的第二壳，其中第一壳包括第一化合物，所述第一化合物包括第II‑VI族半导体化合物、第III‑V族半导体化合物或第III‑VI族半导体化合物，第二壳包括第二化合物，第二化合物包括第II‑VI族半导体化合物、第III‑V族半导体化合物或第III‑VI族半导体化合物，第一化合物和第二化合物彼此不同，并且核的材料中的特定元素的原子百分数
量子制备方法以及包括光学构件

[发明专利]半导体光电阴极-CN200710196170.1无效
发明人：新垣实;中嶋和利;广畑彻;菅博文 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2007-11-29 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：一种半导体光电阴极，包括：掺杂有p型杂质且互相异质接合的第一以及第二III－V族化合物半导体层。第二III－V族化合物半导体层作为光吸收层而起作用，第二III－V族化合物半导体层的能带宽度小于第一III－V族化合物半导体层的能带宽度，使用Be或C作为各半导体层中的p型掺杂物。这时，第二III－V族化合物半导体层可以层压在第一III－V族化合物半导体层上。另外，第一III－V族化合物半导体层和第二III－V族化合物半导体层可以含有(In、Ga、Al)和(As、P、N)中的至少各一种以上。
半导体光电阴极