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[发明专利]OVJP系统和升华源-CN202210471267.3在审
发明人： W·E·奎因;C·A·奥滕;G·麦格劳;M·金;徐欣 -专利权人：环球展览公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本申请案涉及OVJP系统和升华源。提供了有机蒸气喷射印刷OVJP装置和技术，其使用固体材料升华源提供用于沉积在衬底上的材料。来自载气源的载气夹带来自每一升华源内的所述固体材料的蒸气以用于输送到沉积腔室内的印刷头。所述升华源包括足够长的内部流动路径以实现所述载气中的材料的可接受饱和度。
ovjp 系统升华

[发明专利]用于X射线成像的大面积CdZnTe单晶制备方法-CN201910003032.X在审
发明人：查钢强;吴思红;付京华;曹昆;介万奇 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：技术方案是将生长的CdZnTe多晶锭切片作为升华源，将GaAs(100)衬底经过化学腐蚀、超声清洗，再升华源与GaAs(100)衬底放入生长腔室，调整好升华源与GaAs(100)衬底之间的距离，关闭炉门
生长单晶制备升华源衬底单晶生长腔室超声清洗化学腐蚀缓慢降温缓慢升温抽真空多晶锭叠层放入炉门切片保温

[实用新型]具备连续投料功能的钙钛矿膜层升华系统-CN202222342566.5有效
发明人：王雪戈;李明洁;吴俊杰;杨建 -专利权人：无锡极电光能科技有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具备连续投料功能的钙钛矿膜层升华系统。该系统包括近空间升华设备和基片加热退火设备；近空间升华设备包括准备腔室、升华腔室和出片腔室，其中，升华腔室与准备腔室连通，升华腔室内设有升华源、基底载台、投料管道和投料装置，投料管道从升华腔室上方伸入到升华腔室内且投料管道的出料口位于升华源正上方，出料口处设有第二阀门，投料装置可拆卸的安装于投料管道上；出片腔室与升华腔室连通，基片加热退火设备与出片腔室连通。该系统可以制备大面积均匀的钙钛矿膜层，沉积速率高，沉积时间短，同时采用了投料装置，实现了不破升华腔室真空的前提下完成前驱体物料的持续加入，保证生产的连续性，进一步提高了生产效率。
具备连续投料功能钙钛矿膜层升华系统

[发明专利]一种复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法-CN201710318230.6有效
发明人：沈悦;张宗坤;徐宇豪;沈意斌;黄健;顾峰;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，其步骤为：(1)将商用CdZnTe多晶体研磨成粉末作为升华源；(2)镀有氮化镓(GaN)的单晶硅片作为衬底，再用氮气吹干，放入近空间升华反应室内；(3)将升华室内气压抽至5pa以下；开卤素灯将升华源和衬底加热到600℃、550℃；生长20min，冷却至室温，取出，即得到GaN/CdZnTe薄膜；(4)用蒸镀法向上述GaN/CdZnTe薄膜表面蒸镀金属电极
一种复合结构 gan cdznte 薄膜紫外光探测器制备方法

[发明专利]用于在基板上连续沉积薄膜层的系统的密封配置-CN201110112892.0有效
发明人： R·W·布莱克;S·D·费尔德曼-皮博迪;M·J·帕沃尔;M·W·里德 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：提供用于将升华源材料气相沉积为离散光伏模块基板上的薄膜的设备(60)和相关操作方法，基板以连续不停方式输送经过设备。该设备包括配置成接纳源材料且使之升华的沉积头(62)。升华源材料移动经过分配板且在基板输送经过沉积区时沉积到基板上表面上。基板通过由横向延伸的入口和出口密封(96)限定的入口槽(120)和出口槽(122)移动进出沉积区。
用于基板上连续沉积薄膜系统密封配置

[发明专利]一种硒化锑薄膜太阳能电池的制备方法-CN202011005558.0在审
发明人：查钢强;张文玉;胡瑞琪;李易伟;曹昆;李阳 -专利权人：西北工业大学深圳研究院;西北工业大学
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种硒化锑薄膜太阳能电池的制备方法，在摇摆合料炉中合成硒化锑晶体；升华源准备步骤，对合成的硒化锑晶体进行处理得到硒化锑升华源；衬底处理步骤，对FTO衬底进行清洗、氮气吹干、真空干燥；窗口层形成步骤
一种硒化锑薄膜太阳能电池制备方法

[发明专利]一种基于CdZnTe薄膜的X射线探测器的制备方法-CN201410107249.2在审
发明人：王林军;陶骏;唐荣烨;秦凯丰;王君楠;黄健;唐可;沈忠文 -专利权人：上海大学
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：所述制备方法是基于近空间升华（CSS）技术。该方法以CdZnTe单晶切片为升华源，使用氩气作为工作气体，并通过一定的表面处理获得理想的整流电极接触。
一种基于 cdznte 薄膜射线探测器制备方法

[发明专利]自支撑CdZnTe薄膜的制备方法-CN201510174196.0有效
发明人：陶骏;张月璐;徐文强;徐海涛;徐闰;张继军;黄健;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2015-04-14 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种自支撑CdZnTe薄膜的制备方法，采用近空间升华方法，通过对沉积后的薄膜进行后处理，来分离薄膜与衬底，获取连续平整的样品。本发明工艺以CdZnTe单晶切片为升华源，通过表面处理获得理想的欧姆电极接触。
支撑 cdznte 薄膜制备方法

[发明专利]在石墨烯衬底上定向生长碲锌镉薄膜的制备方法-CN201810204992.8有效
发明人：黄健;谷青苗;周新雨;杨帆;邹天宇;唐可;黄浩斐;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种在石墨烯衬底上定向生长碲锌镉薄膜的制备方法，先采用CVD方法在铜箔上制备出单层石墨烯，再以石墨烯为衬底采用近空间升华法制备一层定向碲锌镉薄膜。本发明通过设定衬底和升华源之间距离实现近空间升华制备薄膜的方案，采用石墨烯材料作为衬底结构，与目标CdZnTe薄膜晶格匹配度高，从而实现定向性好的CdZnTe薄膜的制备。本发明旨在石墨烯衬底上采用进空间升华方法制备定向CdZnTe薄膜，实现制成器件时载流子在上下极之间传输损耗低，提高器件载流子传输速度，提高器件传输速度。
石墨衬底定向生长碲锌镉薄膜制备方法

[发明专利]一种生长可变禁带宽度的Cd_1-xZn_xTe薄膜的方法-CN201210039923.9无效
发明人：王林军;徐闰;贡伟明;汤敏燕;徐海涛;黄健 -专利权人：上海大学
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：其中CZT薄膜制备方法是：采用掺少量Zn(x小于1%)的Cd1-xZnxTe多晶或单晶圆盘做升华源，用近空间升华法直接制备x<50%的Cd1-xZnxTe薄膜。
一种生长可变宽度 cd sub zn te 薄膜方法

[发明专利]在线淀积系统和用于淀积薄膜层的过程-CN201280059330.7有效
发明人： R.W.布莱克;C.拉思维格;S.D.菲尔德曼-皮博迪 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供一种用于将升华的源材料气相淀积为基板上的薄膜的设备。该设备包括：容器，其配置成保持源材料；分配板，其定位于容器上方。分配板限定穿过它的通路图案。该设备还包括输送器，输送器配置成以连续环路行进使得转移表面在第一方向在分配板上方传递以在其上接收穿过分配板的通路的升华的源材料。输送器也配置成当在凸起边缘上运载基板时在第二方向上行进。提供一种用于气相淀积升华源材料以形成薄膜的过程。
在线系统用于薄膜过程

[发明专利]用于连续沉积掺杂薄膜层到基底上的汽相沉积设备及方法-CN201110451791.6在审
发明人： J·N·约翰森;赵宇;S·D·费尔德曼-皮博迪 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：具体而言，提供了一种将升华的源材料作为掺杂薄膜汽相沉积到光伏(PV)模块基底上的设备及相关工艺。容器设置在真空头部室内且构造成用于接收从第一进料管供送的源材料。第二进料管可提供掺杂材料到沉积头部中。容器由分配歧管间接地加热至足以升华容器内的源材料的程度。分配板设置在分配歧管下方且处在传送穿过设备的基底的水平面上方限定距离，以便将穿过分配歧管的升华源材料进一步分配到下方基底的上表面上。
用于连续沉积掺杂薄膜基底设备方法

[发明专利]无机分子晶体封装二维材料的结构及其封装与解封装方法-CN202011003478.1在审
发明人：翟天佑;刘立昕;刘开朗;李会巧 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明封装方法包括以下步骤：(1)将无机分子晶体升华形成气态无机分子氛围；(2)使气态无机分子在二维材料表面沉积形成保护层。本发明利用无机分子晶体材料为升华源，由于分子晶体之间较弱的作用力，在高真空环境中，较低温度下即可升华，将其沉积到二维材料表面进行封装，所得封装层与二维材料之间通过范德华力相连接，避免改变二维材料表面化学状态
无机分子晶体封装二维材料结构及其解封方法

[发明专利]III族氮化物单晶生长方法-CN200780001063.7有效
发明人：宫永伦正;水原奈保;藤原伸介;中幡英章;川濑智博 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2007-03-22 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种III族氮化物单晶生长方法，该方法是一种通过升华以生长Al_xGa_1－xN单晶(4)的方法，包括步骤，将源材料(1)放置在坩埚(12)中；并且升华源材料(1
iii 氮化物生长方法

[发明专利]一种柱状结构CdZnTe薄膜的制备方法-CN201310280052.4无效
发明人：王林军;王君楠;黄健;姚蓓玲;唐可;朱悦;张凯勋;陶骏;沈心蔚 -专利权人：上海大学
申请日： 2013-07-05 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种柱状结构CdZnTe薄膜及其制备方法，本方法包括如下步骤：（a）CdZnTe单晶升华源的准备；（b）衬底预处理；（c）CdZnTe薄膜生长；（d）CdZnTe薄膜抛光、腐蚀及退火；制得的柱状结构的
一种柱状结构 cdznte 薄膜制备方法

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