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[发明专利]只读存储器及其制造方法-CN98115215.5有效
发明人：张格荥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 1998-06-24 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种只读存储器及其制造方法，依序形成隧穿氧化层、第一多晶硅层、底面氧化层与第一氮化硅层于半导体基底上，掩模限定使第一多晶硅层为浮置栅。再在基底形成掺杂区，并形成顶端氧化层及第二氮化硅层于第一氮化硅层上。后回蚀第二氮化硅层，使浮置栅侧壁形成氮化硅间隙壁。后使氧化掺杂区形成蚀刻阻挡层，在间隙壁形成氮氧化硅层并使顶端氧化层致密，形成第二多晶硅层并限定控制栅，再进行源/漏极区的掺杂并完成存储器制作。
只读存储器及其制造方法

[发明专利]全硅化金属栅极-CN200580022861.9有效
发明人：格伦·A·比利;米切尔·L·斯廷 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-03-10 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：本发明提供一种包括全硅化金属栅极以及硅化源极和漏极区的先进栅极结构，其中全硅化金属栅极具有大于硅化源/漏极区厚度的厚度。本发明也提供形成该先进栅极结构的方法。
全硅化金属栅极

[发明专利]一种检测原油馏分渗漏过程中表层土壤光谱变化的装置和使用方法-CN201910776654.6有效
发明人：崔鑫;赵英俊;秦凯;邱骏挺;杨越超 -专利权人：核工业北京地质研究院
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G01N15/08 文献下载
摘要：提供了对地下油藏中不同馏分从地下渗漏至地表过程中的地表土壤、相关蚀变矿物光谱变化规律的研究，填补了油气渗漏过程中地表浅层土壤及相关蚀变矿物的光谱变化机理研究的空白，有利于明确地下油气渗漏过程中地表浅层土壤及相关蚀变矿物的光谱变化特征识别，为利用机载或星载高光谱技术探测油气渗漏，圈定油气勘探潜力区提供重要的依据。
一种检测原油馏分渗漏过程表层土壤光谱变化装置使用方法

[发明专利]含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法及硅化合物-CN202111577055.5在审
发明人：新井田惠介;甲斐佑典;荻原勤 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法及硅化合物。本发明的课题是：提供可形成无论负显影、正显影，对于任何抗蚀剂图案均具良好的密接性，而且对于如EUV曝光的更微细的图案也具良好的密接性的抗蚀剂下层膜的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法及硅化合物一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物，其特征为：含有1种以上的下列通式(1)表示的硅化合物(A‑1)的水解物或水解缩合物中的任一者、或其两者。
抗蚀剂下层形成组成图案方法化合物

[发明专利]一种硅基复合材料烧蚀形貌的确定方法及相关装置-CN202211555376.X有效
发明人：国义军;李睿智;周述光;朱言旦;刘骁;曾磊;邱波;石友安;张昊元 -专利权人：中国空气动力研究与发展中心计算空气动力研究所
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基复合材料烧蚀形貌的确定方法及相关装置，应用于硅基材料烧蚀计算技术领域，包括获取硅基复合材料中成分的质量分数，以及热环境参数；根据质量分数、热环境参数、以及通用反应方程确定实际反应方程；当实际反应方程表征在烧蚀过程中硅基复合材料表面存在液态层时，根据包括表征液态层参与反应的实际反应方程建立质量守恒方程、能量守恒方程以及动量守恒方程；根据质量守恒方程、能量守恒方程以及动量守恒方程建立封闭方程组；根据封闭方程组确定硅基复合材料的烧蚀外形，可以准确对硅基复合材料的烧蚀形貌进行确定。
一种复合材料形貌确定方法相关装置

[发明专利]半导体元件及其形成方法-CN200610141051.1无效
发明人：吴成堡;曾健庭;汤乾绍 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-09-28 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件及其形成方法，包括：一栅极电极以及接近该栅极电极的一源极区与一漏极区。一硅化区位于该栅极电极、该源极区或该漏极区的顶部表面上。一非硅化区，邻近该硅化区并位于该栅极电极、该源极区或该漏极区顶部表面的边缘。本发明所述的半导体元件及其形成方法，改善了传统硅化制程所产生的问题，避免硅化物形成在栅极电极以及/或源极及漏极的边缘，从而使漏电流降低。
半导体元件及其形成方法

[发明专利]一种软弱蚀变岩圆形隧洞下半圆开挖加强稳定性支护方法-CN202211197167.2在审
发明人：陈涛;闫生存;何本国;薛瑞华;佟强;李萌;樊菊平 -专利权人：四川华能泸定水电有限公司;东北大学;中国电建集团成都勘测设计研究院有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： E21D20/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种软弱蚀变岩圆形隧洞下半圆开挖加强稳定性支护方法，针对Ⅳ类岩体上层开挖采用超前小导管进行超前注浆预加固后全断面开挖支护，在中层开挖前施工小导管注浆与锚筋桩进行加强支护。本发明能够在面对软弱蚀变岩体进行隧洞下半洞施工时，弥补锁脚锚杆对初期支护的限制作用的不足，控制围岩变形与塑性区发展，保证施工期间围岩稳定性。
一种软弱蚀变岩圆形隧洞半圆开挖加强稳定性支护方法

[发明专利]浅沟槽形成方法-CN200810204557.1有效
发明人：赵林林 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-09 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：一种浅沟槽形成方法，包括：在半导体基底上形成钝化层及图形化的抗蚀剂层；以所述图形化的抗蚀剂层为掩膜，采用第一刻蚀气体去除部分厚度的所述钝化层；以刻蚀后的所述钝化层为硬掩膜，采用异于所述第一刻蚀气体的第二刻蚀气体去除剩余的所述钝化层并刻蚀部分深度的所述半导体基底可减小甚至消除所述浅沟槽的侧壁顶端存在的尖角缺陷，继而，减小甚至消除浅沟槽隔离区顶角缺失。
沟槽形成方法

[发明专利]图案化结构的制作方法-CN202110207970.9有效
发明人：吴成华;白源吉;谈文毅 -专利权人：联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开一种图案化结构的制作方法，其包括下列步骤，在材料层上形成第一掩模层，并在第一掩模层上形成图案化光致抗蚀剂层。在形成图案化光致抗蚀剂层之后，对第一掩模层进行注入制作工艺，用以于第一掩模层中形成被处理区。在注入制作工艺之后，第一掩模层具有一未被处理区与被处理区相邻设置。在注入制作工艺之后，进行第一蚀刻制作工艺，用以移除被处理区的至少一部分。第一掩模层被第一蚀刻制作工艺蚀刻成为第一图案化掩模层，且第一蚀刻制作工艺对被处理区的蚀刻速率高于第一蚀刻制作工艺对未被处理区的蚀刻速率。
图案结构制作方法

[发明专利]反应性有机硅触变剂、有机硅封装胶和LED元件-CN202011611398.4有效
发明人：邓祚主;马静;刘慧娟 -专利权人：北京康美特科技股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C08G77/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种反应性有机硅触变剂、包含所述反应性有机硅触变剂的有机硅封装胶以及由其封装的LED元件。在本发明中，通过使含苯基的环状含氢聚硅氧烷或支化含氢聚硅氧烷与不饱和聚醚，在保证所述环状含氢聚硅氧烷或者所述支化含氢聚硅氧烷中SiH键总量与所述不饱和聚醚中烯键总量之比大于1的条件下，进行硅氢加成反应制得反应性有机硅触变剂，其能够同时赋予有机硅封装胶以稳定的触变性能、高透明度以及优异的力学性能和粘合性能，并由此制造封装性能优良的LED元件。
反应有机硅触变剂封装 led 元件

[发明专利]具有完全硅化闸电极的拉伸型通道CMOS装置及其形成方法-CN200510073532.9有效
发明人：詹博文;丘远鸿;陶宏远 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-06-02 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明是有关于一种具有完全硅化闸电极的拉伸型通道NMOS和PMOS装置对及其形成方法。该方法包含提供一半导体基板，该半导体基板包含具有个别闸结构的NMOS和PMOS装置区，该个别闸结构包含多晶硅闸电极；在具有该NMOS和PMOS装置区中至少一者的一通道区的任一侧上形成凹槽区；以一半导体硅合金回填部分该凹槽区，使施加一应变予该通道区；在该闸结构的任一侧上形成间隔片；将该多晶硅闸电极弄薄为硅化厚度，使容许透过硅化厚度的完全金属硅化作用；离子布植该多晶硅闸电极，以调整功函数；以及透过该硅化厚度形成金属硅化物，使形成金属硅化物闸电极
具有完全硅化闸电极拉伸通道 cmos 装置及其形成方法

[发明专利]一种全硅环境隔离MEMS器件的制备方法-CN201810976261.5有效
发明人：何凯旋;郭群英;宋东方;郭立建;曹卫达;房立峰 -专利权人：北方电子研究院安徽有限公司
申请日： 2018-08-25 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：本发明公开一种全硅环境隔离MEMS器件的制备方法，包括以下步骤：在第一单晶硅片顶面中部刻蚀加热电阻图形、在顶面四周刻蚀悬臂梁图形；在第一SOI硅片的衬底硅四周刻蚀形成预埋空腔；第一SOI与第一单晶硅片硅硅直接键合；在第一SOI硅片的顶层硅上制备MEMS底部电极晶圆；在第二SOI硅片上制备MEMS敏感可动结构；第一SOI与第二SOI硅片硅硅直接键合；在第二单晶硅片顶面集成MEMS结构处理电路与温度控制电路；制备盖帽，盖帽与MEMS底部电极晶圆玻璃浆料键合，形成晶圆级真空封装；对第一单晶硅片底面减薄，形成加热电阻与悬臂梁；划片使加热电阻露出引线键合区；在引线键合区制备加热电阻PAD；划片露出MEMS器件PAD，完成所述全硅环境隔离
一种环境隔离 mems 器件制备方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200610091220.5无效
发明人：韩昌熏 -专利权人：东部电子有限公司
申请日： 2006-06-07 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种制造CMOS图像传感器的方法，包括：在半导体衬底的像素区上形成栅电极，同时，在中间电阻区上形成多晶硅图形，在光电二极管区上形成第一轻掺杂的n型扩散区，在晶体管区上形成第二轻掺杂的n型扩散区，在半导体衬底的整个表面上连续形成第一和第二绝缘层，除去在晶体管区和中间电阻区上形成的第二绝缘层的第一预定部分，在半导体衬底的整个表面上形成第三绝缘层，通过对第三绝缘层进行回蚀工艺在栅电极和多晶硅图形上形成第三和第一绝缘侧壁，以及在晶体管区和多晶硅图形中重掺杂
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]多晶硅的刻蚀方法-CN202111252518.0在审
发明人：陈敏杰;许进;唐在峰;任昱 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种多晶硅的刻蚀方法。所述多晶硅的刻蚀方法包括依次进行的以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括多晶硅层；使得所述多晶硅层上形成掩模层；对所述掩模层进行第一次刻蚀，使得所述第一次刻蚀完成后的剩余掩模层形成第一刻蚀图案结构；在所述第一刻蚀图案结构的表面沉积形成补偿层，所述补偿层用于补偿所述第一刻蚀图案结构缺失的关键尺寸；对带有所述补偿层的第一刻蚀图案结构进行第二次刻蚀，使得所述第二次刻蚀完成后的剩余掩模层形成第二刻蚀图案结构；基于所述第二刻蚀图案结构，对所述多晶硅层进行刻蚀，使得所述第二刻蚀图案结构的图案转移到所述多晶硅层。
多晶刻蚀方法

[发明专利]硅通孔背面露头的方法和装置-CN201380075888.9有效
发明人：王晖;陈福平;张晓燕 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一种硅通孔背面露头的方法和装置。该方法包括如下步骤：提供硅衬底(101)，硅衬底(101)内形成有若干硅通孔(102)；旋转硅衬底(101)并向硅衬底(101)的背面喷洒第一刻蚀剂以刻蚀硅衬底(101)的背面，在硅通孔(102)从硅衬底(101)的背面露出之前停止刻蚀；旋转硅衬底(101)并向硅衬底(101)的背面喷洒第二刻蚀剂以刻蚀硅衬底(101)的背面直到硅通孔(102)从硅衬底(101)的背面露出，其中在向硅衬底(101)的背面喷洒第二刻蚀剂期间，在设定的时间间隔内，使硅衬底(101)的旋转方向反向。
硅通孔背面露头方法装置