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- [发明专利]显示元件及其制造方法-CN200710186078.7有效
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林汉涂;陈建宏;詹勋昌
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友达光电股份有限公司
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2007-11-15
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2008-04-09
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H01L21/84
- 一种显示元件及其制造方法，该方法包括提供基板，该基板具有薄膜晶体管区、像素区、栅极线区与数据线区；依序形成透明导电层与第一金属层于基板上，并对其图案化，以分别于薄膜晶体管区、像素区、栅极线区与数据线区的末端内形成导电叠层；依序形成第一绝缘层与半导体层于基板上并覆盖导电叠层，再对其图案化后于薄膜晶体管区的导电叠层上形成图案化第一绝缘层与图案化半导体层；形成第二金属层于基板上，并覆盖图案化半导体层与导电叠层，并形成第一光致抗蚀剂层于第二金属层上；以第一光致抗蚀剂层为掩模图案化第二金属层与第一金属层，其中在薄膜晶体管区中形成沟道。之后，对第一光致抗蚀剂层进行热回流使部分的第一光致抗蚀剂层保护沟道。
- 显示元件及其制造方法
- [发明专利]基于小波包变差的多光谱蚀变分带方法-CN200410048344.6无效
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甘甫平;王润生
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中国国土资源航空物探遥感中心
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2004-06-29
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2005-03-16
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G01N21/25
- 本发明基于小波包变差的多光谱蚀变分带方法，克服了小波变换难以进行蚀变信息的提取与分割的缺点，利用的小波包分解相对于一般小波变换，其不仅对低通滤波器作递归分解，同时也对高通滤波器作递归分解，这样可以有效地从小波包分解的细节分量中提取蚀变信息因此，本方法可获取蚀变带或蚀变岩分布信息，提取岩矿蚀变的细微结构信息，对蚀变带作进一步的细分。其选择适当的小波包基；分别对两个波段的图像进行适当层数的小波包分解；有目的地选择不同节点系数，尤其是细节分量系数，求解两波段所选节点系数的差分量；利用节点的差分量之和，重建蚀变图像；利用重构图像与任一原始图像的散点图进行蚀变带细分
- 基于波包光谱分带方法
- [发明专利]热烧蚀性涂料组合物-CN96199486.X无效
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R·L·加斯米纳
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阿迈隆国际公司
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1996-12-02
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1999-02-03
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B05D3/02
- 一种热烧蚀性涂料组合物,通过将环氧硅烷树脂、环氧树脂、聚硅氧烷中间体、硅改性聚醚、氨基硅烷、至少一种有机金属催化剂、至少一种有机溶剂、水、至少一种填料、非必要的不含硅胺催化剂和非必要的颜料和触变剂混合制备将该热烧蚀性涂料组合物涂于基材上形成具有干膜厚度约0.1至0.5英寸的薄膜,该薄膜可在环境室外温度下在约7天内固化,取决于环境条件。如此形成的热烧蚀性薄膜被设计为当暴露于高温条件下时进行慢速热分解,而不着火或造成过量烟雾,并被设计为具有良好的导热性以防止下面的基材热分解。该热烧蚀性薄膜具有抗冲击性和柔韧性这样的弹性体性能,起到防止颗粒或其它接触对下面的基材的机械损坏并有助于与柔韧性基材一起使用。
- 热烧蚀性涂料组合
- [发明专利]硅通孔形成方法-CN201310626965.7有效
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严利均;倪图强
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中微半导体设备（上海）有限公司
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2013-11-28
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2014-03-19
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H01L21/768
- 一种硅通孔形成方法，包括：根据待形成的硅通孔获取第一刻蚀阶段和与第二刻蚀阶段；在第一刻蚀温度下，在第一刻蚀阶段采用第一博世工艺对所述硅衬底进行刻蚀，形成第一通孔；在第二刻蚀温度下，在第二刻蚀阶段沿第一通孔采用第二博世工艺对所述硅衬底进行刻蚀直至形成硅通孔，所述第二博世工艺包括：采用第一刻蚀对所述硅衬底进行刻蚀，形成开口；采用钝化沉积在所述开口的侧壁和底部形成保护层；依次循环采用所述第一刻蚀、钝化沉积直至形成硅通孔；其中，第二刻蚀温度小于第一刻蚀温度，或第二刻蚀温度大于第一刻蚀温度本发明的硅通孔形成方法形成的硅通孔质量高。
- 硅通孔形成方法
- [发明专利]一种硅化钢铝材料-CN202310055996.5在审
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熊进;张桂生
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江门市盈德餐厨实业有限公司
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2023-01-18
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2023-05-16
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C22C21/02
- 本发明公开了一种硅化钢铝材料，包括：基体，为碳钢或铝合金；纳米涂层，包括以下组分：醋酸正丁酯35‑42份、乙酸丁酸纤维素7‑9份、质量浓度为20‑35％的聚硅氮烷溶液10‑20份、聚醚改性聚硅氧烷3‑8份、3‑氨丙基三乙氧基硅烷2‑3份、热塑性丙烯酸酯3‑8份、PMMA包覆纳米银2‑10份、纳米氧化铝溶胶5‑10份；SiO2包覆纳米铝粉5‑8份，碳酸钙包覆纳米钛粉5‑8份；硅化层，将纳米涂层蚀入基体，对基体表面改性而得到硅化层。纳米涂层蚀入钢材或铝材后对基体改性并生成硅化层，具有抗烧不变黄、易清洁以及抗刮花的特性。
- 一种硅化钢铝材料
- [发明专利]细微图案形成方法-CN03102525.0无效
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高次元;玄润锡
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海力士半导体有限公司
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2003-02-10
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2003-10-08
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H01L21/027
- 包括下步骤：含导电膜的半导体基板上，依次涂布i－线用抗蚀剂层和正型ArF抗蚀剂层；在基板上用具有规定图案的掩膜，进行曝光及第1烘烤工序，在正型ArF抗蚀剂层内进行甲硅烷化反应，生成醇基(OH)或羧基(COOH)；除去掩膜；在产物上显像，形成第1抗蚀剂层图案；在含有第1抗蚀剂层图案的基板上进行曝光及第2烘烤工序；在其后的基板上用HMDS进行甲硅烷化反应，通过醇基(OH)或羧基(COOH)和HMDS反应，在第1抗蚀剂层图案表面上形成硅氧化膜；将含有硅氧化膜的第1抗蚀剂层图案作掩蔽膜，在上述i－线用抗蚀剂层上进行干式显像工序，以形成第2抗蚀剂层图案；将第1及第2抗蚀剂层图案作为掩膜，对上述导电膜进行蚀刻，形成位线
- 细微图案形成方法
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