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[发明专利]功率半导体器件的驱动装置以及功率半导体系统-CN202110567901.9在审
发明人：牛高产;王单;游健康;冷正明 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本申请提供了一种功率半导体器件的驱动装置以及功率半导体系统，该驱动装置包括信号发生设备以及驱动设备，其中，信号发生设备用于发出PWM信号；驱动设备与信号发生设备电连接，驱动设备用于与功率半导体器件电连接，驱动设备包括非隔离的驱动芯片，驱动芯片用于接收PWM信号，并根据PWM信号输出最终PWM信号，来驱动功率半导体器件。本申请的驱动装置中，驱动设备包括非隔离的驱动芯片，非隔离的驱动芯片可以设置在距离功率半导体器件较近的位置，从而保证了驱动设备中的杂散电感较低，保证了驱动装置的抗干扰能力较强，从而保证了驱动效果较好，保证了功率半导体器件的安全性能较高
功率半导体器件驱动装置以及半导体系统

[实用新型]功率半导体器件的驱动装置以及功率半导体系统-CN202121128266.6有效
发明人：牛高产;王单;游健康;冷正明 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本申请提供了一种功率半导体器件的驱动装置以及功率半导体系统，该驱动装置包括信号发生设备以及驱动设备，其中，信号发生设备用于发出PWM信号；驱动设备与信号发生设备电连接，驱动设备用于与功率半导体器件电连接，驱动设备包括非隔离的驱动芯片，驱动芯片用于接收PWM信号，并根据PWM信号输出最终PWM信号，来驱动功率半导体器件。本申请的驱动装置中，驱动设备包括非隔离的驱动芯片，非隔离的驱动芯片可以设置在距离功率半导体器件较近的位置，从而保证了驱动设备中的杂散电感较低，保证了驱动装置的抗干扰能力较强，从而保证了驱动效果较好，保证了功率半导体器件的安全性能较高
功率半导体器件驱动装置以及半导体系统

[发明专利]功率半导体器件的形成方法-CN201810651306.1在审
发明人：李述洲;张成方;张力;刘道广;万欣;李豪 -专利权人：重庆平伟实业股份有限公司;嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种功率半导体器件的形成方法，包括：提供第一类型掺杂的半导体层；在所述半导体层表面形成具有开口的图形化掩膜层；采用扩散工艺对所述开口下方的半导体层内进行离子掺杂，形成载流子吸收区，所述扩散工艺采用的掺杂离子能够在所述载流子吸收区内形成能级缺陷所述功率半导体器件的形成方法所形成的功率半导体器件具有较高的抗SEGR能力。
功率半导体器件载流子吸收半导体层扩散工艺开口能级半导体层表面图形化掩膜层掺杂离子离子掺杂掺杂的

[发明专利]一种半导体功率器件的背面结构-CN202010096880.2在审
发明人：陈则瑞;黄健;孙闫涛;宋跃桦;吴平丽;樊君;张丽娜 -专利权人：捷捷微电（上海）科技有限公司
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体功率器件的背面结构，包括半导体基板，所述半导体基板具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述半导体基板的第一表面上设有元胞区，所述半导体基板的第二表面具有若干金属填充孔，所述金属填充孔内填充有第一金属，所述第一金属的底部延伸至所述第二表面的外部，所述第一金属的顶部与所述半导体基板欧姆接触。本发明对传统的半导体功率器件的背面结构进行了改善，通过在半导体基板的第二表面设置金属填充孔并填充第一金属，在半导体基板的第一表面直接加工形成不同类型的功率器件，以进一步降低寄生电阻，提高功率器件的性能；本发明可以省略外延层和背面金属，以简化功率器件的制造工艺步骤，节省材料，降低成本。
一种半导体功率器件背面结构

[发明专利]集成晶胞的掩埋场环场效应晶体管植入空穴供应通路-CN201210296771.0有效
发明人：马督儿·博德;安荷·叭剌;哈姆扎·耶尔马兹;管灵鹏;胡军 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出了一种形成在半导体衬底上的半导体功率器件，包括在轻掺杂区上方的半导体衬底的顶面附近的重掺杂区。该半导体功率器件还包括一个本体区、一个源极区以及一个设置在半导体衬底的顶面附近的栅极，以及一个设置在半导体衬底的底面处的漏极。该半导体功率器件还包括在重掺杂区中打开源极沟槽，并用导电沟槽填充材料填充，与顶面附近的源极区电接触。该半导体功率器件还包括一个掩埋场环区，设置在源极沟槽下方，掺杂物的导电类型与重掺杂区的导电类型相反。在一个可选实施例中，该半导体功率器件还包括被源极沟槽侧壁包围的掺杂区，掺杂物的导电类型与掩埋场环区的导电类型相同，作为电荷供应通路。
集成晶胞掩埋场效应晶体管植入空穴供应通路

[发明专利]基于SU-8光阻胶的半导体功率器件及其制备方法和包括其的功率模块-CN202110055878.5有效
发明人：王琮 -专利权人：王琮
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：基于SU‑8光阻胶的半导体功率器件及其制备方法和包括其的功率模块，本发明要解决现有半导体功率器件采用等离子体沉积或蚀刻工艺形成无机绝缘材料保护层时，容易在外延层中产生如裂缝损坏的问题。本发明半导体功率器件中在衬底上形成半导体叠层结构，在半导体叠层结构上互相隔离布置有源极和漏极；在半导体叠层结构上，介于源极和漏极之间设置有栅极；第一钝化层布置在栅极和半导体叠层结构之间，第二钝化层形成在栅极和半导体层的叠层结构上本发明半导体功率器件中包括光致光阻胶的钝化层，能防止等离子体或蚀刻工艺对器件的损坏。
基于 su 光阻胶半导体功率器件及其制备方法包括模块

[实用新型]一种半导体功率器件的背面结构-CN202020176888.5有效
发明人：陈则瑞;黄健;孙闫涛;宋跃桦;吴平丽;樊君;张丽娜 -专利权人：捷捷微电（上海）科技有限公司
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体功率器件的背面结构，包括半导体基板，所述半导体基板具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述半导体基板的第一表面上设有元胞区，所述半导体基板的第二表面具有若干金属填充孔，所述金属填充孔内填充有第一金属，所述第一金属的底部延伸至所述第二表面的外部，所述第一金属的顶部与所述半导体基板欧姆接触。本实用新型对传统的半导体功率器件的背面结构进行了改善，通过在半导体基板的第二表面设置金属填充孔并填充第一金属，在半导体基板的第一表面直接加工形成不同类型的功率器件，以进一步降低寄生电阻，提高功率器件的性能；本实用新型可以省略外延层和背面金属，以简化功率器件的制造工艺步骤，节省材料，降低成本。
一种半导体功率器件背面结构

[发明专利]功率器件的散热装置及功率器件的散热控制方法-CN201510220534.X在审
发明人：区达理;王志锋;伍世润;陈逸凡;刘志才;马志海;皮学军 -专利权人：佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件的散热装置及功率器件的散热控制方法，散热装置，包括：半导体制冷片，半导体制冷片的冷面与功率器件相互接触；散热片，散热片与半导体制冷片的热面相互接触；散热风扇，散热风扇用于对半导体制冷片和散热片进行风冷散热；驱动电路，驱动电路分别与半导体制冷片和散热风扇相连；控制板，控制板与驱动电路相连，控制板用于通过驱动电路对半导体制冷片和散热风扇进行控制，从而，通过半导体制冷片对功率器件进行降温，并通过散热风扇对半导体制冷片和散热片进行风冷散热，可保证降温效果的稳定性，避免受工作环境的影响，可使功率器件一直在较低温度下工作，避免因过温而导致的性能下降和器件损坏。
功率器件散热装置控制方法

[发明专利]一种用于高频变流器功率模块的直流换流回路模块-CN201811043626.5在审
发明人：范伟;李彦涌;罗剑波;李雪荣;彭凯;李超;黄长强;黄南;朱武;刘华东;杨德勇 -专利权人：中车株洲电力机车研究所有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于高频变流器功率模块的直流换流回路模块，所述直流换流回路模块包括：直流电容，所述直流电容包括多级电容芯体和电容引出电极；叠层母排，所述多级电容芯体通过叠层母排实现直流回路的功率互联；以及SiC功率半导体器件，所述SiC功率半导体器件具有SiC功率半导体器件功率输出端子，所述SiC功率半导体器件功率输出端子与所述电容引出电极直接连接；其中，所述直流换流回路模块不具有直流母排。
一种用于高频变流器功率模块直流换流回路

[发明专利]一种用于直流或低频开关的功率半导体器件栅极驱动电路-CN202210635425.4有效
发明人：高博;陈显平 -专利权人：重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H03K17/04 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种用于直流或低频开关的功率半导体器件栅极驱动电路，包括顺序连接的时序发生电路、高低电流驱动电路、隔离器件和加速关断电路。用以解决工作在直流或低频开关状态下的功率半导体器件的栅极驱动的问题，从而使得功率半导体驱动电路的成本更低且尺寸更小，提升使用直流或低频开关的功率半导体的电力电子设备的功率密度，并且降低了设备成本。
一种用于直流低频开关功率半导体器件栅极驱动电路

[发明专利]包含功率器件的半导体装置及其制备方法-CN201110409281.2有效
发明人：王钊 -专利权人：无锡中星微电子有限公司
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含功率器件的半导体装置及制备方法，属于半导体制造领域。所述包含功率器件的半导体装置包括MOS管，所述MOS管包括栅极以及分布与所述栅极两侧的源极和漏极，所述源极和漏极上形成有接触孔，所述接触孔的尺寸大于标准工艺中的接触孔尺寸。本发明通过对包含功率器件的半导体装置中的功率器件提供尺寸大于标准工艺的接触孔的接触孔，使得该功率器件中的接触孔的寄生电阻明显减小，从而提高了功率器件的电流密度。
包含功率器件半导体装置及其制备方法

[发明专利]一种用于宽禁带半导体功率器件的测试装置-CN201711004680.4在审
发明人：王文博 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽禁带半导体功率器件测试装置，该测试装置包括宽禁带半导体功率器件输入接口装置、宽禁带半导体功率器件输出接口装置、电源供给装置、数据采集装置、数据存储装置、数据处理装置和数据显示装置，所述数据采集采集装置采集同一工况下宽禁带半导体功率器件的电压、电阻和电感参数，并将上述参数存储到数据存储装置形成待测试宽禁带半导体功率器件参数系列。
一种用于宽禁带半导体功率器件测试装置

[实用新型]一种用于四个功率半导体器件串联的低电感叠层母排-CN201821891866.6有效
发明人：周宇;胡卫丰;马汝祥;侍红兵;周洪益;胥峥 -专利权人：国网江苏省电力有限公司盐城供电分公司;国家电网有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于四个功率半导体器件串联的低电感叠层母排，包括一件输入母排，一件中间母排，一件交流母排。其中，所述输入母排和中间母排均包含五层叠层，所述交流母排为裸露铜排。本实用新型适用于多个功率半导体器件串联连接，结构紧凑，安装简易方便。本实用新型可以有效减小多个功率半导体器件串联换流回路寄生电感，减小功率半导体器件的过冲电压，减小各个器件间的电压不均衡度，从而提高多个功率半导体器件串联构成的变流器电压等级和容量等级。
功率半导体器件本实用新型串联减小叠层母排交流母排输入母排低电感母排回路寄生电感变流器电压过冲电压不均衡层叠层换流铜排简易裸露

[发明专利]直流灭弧功率器件驱动装置及灭弧装置-CN201710028440.1有效
发明人：郭桥石 -专利权人：广州市金矢电子有限公司
申请日： 2017-01-16 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01H9/54 文献下载
摘要：本发明直流灭弧功率器件驱动装置及灭弧装置属于电学领域，适合于直流机械开关的灭弧装置使用的驱动功率器件的直流灭弧功率器件驱动装置，包括第一半导体开关、第一电容、第一限流元件、第二半导体开关；第一半导体开关、第一电容、第一限流元件串联而成第一串联电路；第一半导体开关与第一电容串联而成第二串联电路，第二半导体开关与第二串联电路并联；第一串联电路的第一半导体开关端与所需驱动的功率器件的第一端连接，第一串联电路的第一限流元件端与电源端连接；第一半导体开关与第一电容连接的共同端与功率器件的第二端连接；功率器件的第三端、功率器件的第一端分别与所需灭弧的机械开关两端连接。
直流功率器件驱动装置

[实用新型]直流灭弧功率器件驱动装置及灭弧装置-CN201720046272.4有效
发明人：郭桥石 -专利权人：广州市金矢电子有限公司
申请日： 2017-01-16 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01H9/54 文献下载
摘要：本实用新型直流灭弧功率器件驱动装置及灭弧装置属于电学领域，适合于直流机械开关的灭弧装置使用的驱动功率器件的直流灭弧功率器件驱动装置，包括第一半导体开关、第一电容、第一限流元件、第二半导体开关；第一半导体开关、第一电容、第一限流元件串联而成第一串联电路；第一半导体开关与第一电容串联而成第二串联电路，第二半导体开关与第二串联电路并联；第一串联电路的第一半导体开关端与所需驱动的功率器件的第一端连接，第一串联电路的第一限流元件端与电源端连接；第一半导体开关与第一电容连接的共同端与功率器件的第二端连接；功率器件的第三端、功率器件的第一端分别与所需灭弧的机械开关两端连接。
直流功率器件驱动装置