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[发明专利]半导体氮化钝化方法-CN202011259486.2有效
发明人： R·A·本森;S·博尔萨里;V·奈尔;芮莹;S·幕克吉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种实例方法包含在半导体制造工艺中对晶片上的半导体结构执行干式蚀刻工艺。所述方法进一步包含对所述半导体结构执行干式剥离工艺。所述方法进一步包含对所述半导体结构执行第一湿式剥离清洁工艺。所述方法进一步包含对所述半导体结构执行第二湿式剥离清洁工艺。所述方法进一步包含对所述半导体结构执行氮化钝化以避免所述半导体结构的氧化。所述方法进一步包含对所述半导体结构执行间隔物材料沉积。
半导体氮化钝化方法

[发明专利]一种真空喷铝纸生产工艺-CN201811088621.4在审
发明人：杨永峰 -专利权人：浙江银采天实业有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： D21H19/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种真空喷铝纸生产工艺，包括以下步骤：先在PET基膜上涂上剥离层，在剥离层上涂上保护色层，在保护色层上喷上镀铝层，将镀铝层上覆上基材纸，将剥离层和保护色层剥离即得到成品。利用本发明的真空喷铝纸生产工艺制得的铝层具有优良的耐折性和良好的韧性，没有针孔和裂口，无揉曲龟裂现象；外观美观具有优良的金属光泽，光反射率达97%以上；铝层导电性能好，能消除静电效应。
保护色层真空喷铝剥离层纸生产镀铝层铝层裂口针孔导电性能光反射率龟裂现象金属光泽静电效应耐折性上基材上喷美观剥离

[发明专利]制造半导体器件结构的方法-CN202210935524.4在审
发明人：朱熙甯;蓝文廷;黄一涵;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：制造半导体器件结构的方法包括将器件衬底接合至第一剥离层。第一剥离层设置在第一载体衬底上，并且器件衬底具有面向第一载体衬底的第一侧和与第一侧相对的第二侧。器件衬底具有第一宽度。对器件衬底执行前段制程(FEOL)工艺和后段制程(BEOL)工艺。将具有第二剥离层的第二载体衬底接合在器件衬底的第二侧上。通过去除第一剥离层来去除第一载体衬底。
制造半导体器件结构方法

[发明专利]多种金属栅的集成方法-CN201510657573.6在审
发明人：黎明;杨远程;陈珙;樊捷闻;张昊;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：该方法基于后栅工艺“逐次剥离”，采用剥离工艺实现多种金属栅的集成方法，相比TakashiMatsukawa等的“淀积—退火合金”方法，本方法无附加热预算，提高了工艺的均匀性和可控性；且降低了刻蚀损伤，降低了工艺难度
多种金属集成方法

[发明专利]一种芯片剥离装置及废料分离方法-CN202211487479.7在审
发明人：郭铁映 -专利权人：黑龙江铖媒体科技有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种芯片剥离装置及废料分离方法，通过第一电机控制系统以三角间歇式驱使移栽剥离总成进行移栽剥离工作，可通过移栽剥离总成中分别吸附芯片原料成品及边角料至相关放置台中，通过夹具总成可精确九十度间歇驱使模具转动，配合移栽剥离，从移栽剥离总成中的吸附剥离机构到夹具总成中的原料模具均可统一快拆更换，方便不同大小的原料剥离作业，物料放置台定点设计，可更换为双通道流水线分别输送芯片原料及废料至下道工艺处。
一种芯片剥离装置废料分离方法

[发明专利]一种铁基材表面镀铜层的电解剥离剂及其制备方法与剥离工艺-CN201910133493.9有效
发明人：洪条民 -专利权人：江门市瑞期精细化学工程有限公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C25F5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁基材表面镀铜层的电解剥离剂及其制备方法与剥离工艺。该电解剥离剂包括以下组分：2～25wt％硝酸盐、2～20wt％硫酸盐、0.5～8wt％腐蚀抑制剂、3～12wt％络合剂、余量为水。本发明的电解剥离剂中不含有氰化物或高浓度的氨水，因而更安全、环保，且废水处理简单，有利于节约成本。本发明的电解剥离剂不会对工件造成腐蚀，剥离后的工件表面光泽度良好、剥离线整齐，剥离效率高。
一种基材表面镀铜电解剥离及其制备方法工艺

[发明专利]液晶面板制造工艺中的铝膜水系光阻剥离液及其制备方法-CN201510296596.9在审
发明人：殷福华;邵勇;朱龙 -专利权人：江阴江化微电子材料股份有限公司
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公布了一种液晶面板制造工艺中的铝膜水系光阻剥离液及其制备方法，其中，所述铝膜水系光阻剥离液括以下重量百分比的组合物：N-甲基吡咯烷酮11％～16％；异丙酰胺20％～25％；二甲氧基苯乙胺0.2％～本发明提供的铝膜水系光阻剥离液及其制备方法，能够提高液晶面板产品的光阻剥离性能，降低工艺条件温度，并且避免了原来使用的正胶剥离液造成的对人体和环境造成的损害。
液晶面板制造工艺中的水系剥离及其制备方法

[发明专利]一种气体扩散器清洗工艺及清洗辅助设备-CN202210708709.1在审
发明人：刘超;刘晓刚;万俊;李小岗 -专利权人：合肥微睿光电科技有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种气体扩散器清洗工艺及清洗辅助设备，涉及化学气相沉积装置清洗技术领域。本发明的一种气体扩散器清洗工艺及清洗辅助设备，包括一次剥离→二次剥离→研磨→喷砂→化学抛光→OVEN烘干→出库检查→包装；未剥离干净的气体扩散器进行二次剥离，所述二次剥离包括湿式喷砂→高压水洗，通过采用湿式喷砂去除局部残留
一种气体扩散器清洗工艺辅助设备

[发明专利]利用石灰石矿山剥离土生产水泥工艺-CN201210536547.4无效
发明人：王传虎;武为照;葛金龙;石承梅 -专利权人：凤阳中都水泥有限公司;蚌埠学院
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C04B7/38 文献下载
摘要：本发明涉及水泥生产技术领域，具体是涉及一种利用石灰石矿山剥离土生产水泥工艺。水泥是由如下重量百分比原料生产而成的：石灰石78.1～82%、剥离土9.2～9.8%、黏土6.1～6.6%、氧化铁粉1.8～2.0%、煤灰0.9～3.5%。本发明利用石灰石矿山剥离土生产水泥工艺，利用石灰石矿山剥离土生产水泥熟料，既降低了水泥的生产成本，生产的水泥的性能较优，又实现了石灰石矿山剥离土的资源化利用，减少了水泥生产消耗粘土和石灰石的量，间接保护了土地与矿产
利用石灰石矿山剥离土生水泥工艺

[发明专利]抗卷曲转移镀铝纸的生产工艺-CN202210443593.3在审
发明人：张基伟;吴继伟 -专利权人：江苏膜可光学材料有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B31F1/07 文献下载
摘要：本发明属于抗卷曲转移镀铝纸的技术领域，具体涉及一种抗卷曲转移镀铝纸的生产工艺，这种抗卷曲转移镀铝纸的生产工艺包括如下步骤：步骤1：压纹，将OPP薄膜通过模压机在涂层面进行镭射模压；步骤2：涂布，在OPP薄膜的涂层面通过涂布机涂布涂料；步骤3：复合，通过复合机将步骤2中的OPP薄膜的涂层面与纸张进行复合；步骤4：剥离，通过剥离机将OPP薄膜和纸张进行剥离；步骤5：镀铝，将步骤4剥离出的纸张送入镀铝机，在纸张的涂层面进行镀铝这种抗卷曲转移镀铝纸的生产工艺具有提升纸张抗卷曲性能，提高产品品质的效果。
卷曲转移镀铝生产工艺

[发明专利]一种丝素蛋白导电薄膜材料及其热温辅助剥离工艺-CN202310512558.7在审
发明人：张耀鹏;胡展翱;姚响;牛欠欠;范苏娜 -专利权人：东华大学
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种丝素蛋白导电薄膜材料及其热温辅助剥离工艺，丝素蛋白导电薄膜材料主要由基底层和导电层复合而成，基底层的材质为丝素蛋白薄膜材料，导电层材质为PEDOT或其衍生物组成的材料；基底层和导电层通过分子间相互缠结作用结合；丝素蛋白导电薄膜材料的热温辅助剥离工艺为：在附着有导电材料的基底上浇筑丝素蛋白溶液，恒温加热干燥，然后，将丝素蛋白与导电材料复合后的薄膜从基底上剥离，即获得丝素蛋白导电薄膜材料；本发明的丝素蛋白导电薄膜材料导电层与基底层结合牢固，导电性好；本发明的热温辅助剥离工艺路线简便，制膜耗时少。
一种丝素蛋白导电薄膜材料及其辅助剥离工艺

[发明专利]厚膜负性光致抗蚀剂剥离剂组成成分-CN201310382409.X有效
发明人：姜荣汉;朴永真;李相大;柳炫圭 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种由1‑5wt%的化学式（1）所标示的化合物、70‑95wt%的极性有机溶媒、0.1‑5wt%的四甲基氢氧化铵类化合物，以及水构成的光致抗蚀剂剥离剂。通过上述结果可知，本发明光致抗蚀剂剥离剂组成成分不含防腐剂，含有适量的化学式（1）所示化合物，即使在短时间内剥离，也能够有效清除厚膜光致抗蚀剂。本发明与其他工艺相比，能够在相对较高的工程温度下进行，确保剥离工艺中成分变化最小化。另外，本发明不含有防腐剂，所以可避免因吸附非水溶性防腐剂造成的蒸发不良等后续工艺出现的问题，防止电极损伤。
防腐剂光致抗蚀剂剥离剂负性光致抗蚀剂厚膜光致抗蚀剂四甲基氢氧化铵剥离工艺成分变化电极损伤非水溶性后续工艺类化合物有机溶媒剥离剂最小化厚膜吸附标示蒸发剥离

[发明专利]用于硅晶片切割工艺的UV光致可剥离胶带的制备方法-CN201910368387.9有效
发明人：刘少杰;郝盼盼;赵婷;刘浩;王晓英;杨文玲 -专利权人：河北科技大学
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于硅晶片切割工艺的UV光致可剥离胶带的制备方法，其包括如下步骤：（1）双官能团聚氨酯预聚物的制备；（2）丙烯酸酯共聚物基胶的制备；（3）UV光致可剥离胶的制备；（4）UV光致可剥离胶带的制备通过本发明的方法制备的UV光致可剥离胶带具有网络密集、剥离性能好且无残胶优点。
用于晶片切割工艺 uv 光致可剥离胶带制备方法

[发明专利]存储器封装工艺方法-CN01141762.5无效
发明人：周永春;丁伟;张冰;祝斌;贾锁辉 -专利权人：首钢日电电子有限公司
申请日： 2001-09-18 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器封装工艺方法，包括粘片、烘烤、键合、封入、切筋、脱脂、去毛刺、电镀步骤，其特征在于在封入工艺后增加脱脂去毛刺工艺，在切筋工艺后去除脱脂工艺，具体操作步骤如下粘片－烘烤－键合－封入－脱脂采用该工艺方法从根本上提高密着性、解决剥离问题，并可以生产出不存在剥离的制品从而使存储器的生产得以顺利进行、提高成品率。
存储器封装工艺方法

[发明专利]一种微弧氧化工艺-CN201711071628.0在审
发明人：蒋百铃;邵文婷;张新宇;马俊 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： C25D11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种微弧氧化工艺，根据所调控的外电路脉冲参量和内电场极间场强的不同产生出两种不同的工艺方法，分别简称为微弧氧化生长和微弧氧化剥离。微弧氧化生长工艺的优点是可于金属表面形成一层防护层，具有防腐抗擦伤的表面防护性能。微弧氧化剥离工艺则具有可原子级逐层剥离的优点，可满足复杂曲面形状关键构件的高标准加工精度。
一种氧化工艺