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[发明专利]超大硅片超精密减薄技术与设备-CN202211369166.1在审
发明人：曾庆明;赵亮;曾庆华;左学良;顾芳 -专利权人：安徽格楠机械有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明涉及超大硅片加工研磨领域，具体是涉及超大硅片超精密减薄技术与设备。
超大硅片精密薄技设备

[发明专利]场效应晶体管制造方法-CN200910311265.2无效
发明人：李滨;李诚瞻;刘新宇;魏珂;陈晓娟 -专利权人：四川龙瑞微电子有限公司
申请日： 2009-12-11 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及场效应晶体管制作技术，特别涉及氮化镓基微波功率场效应器件衬底减薄的方法。本发明针对现有技术的场效应晶体管制造方法中衬底减薄技术的缺点，公开了一种场效应晶体管制造方法，改进其衬底减薄技术，以适应高硬度衬底材料的减薄，提高衬底加工工艺质量，改进衬底质量，提高器件整体性能。本发明的场效应晶体管制造方法，在场效应晶体管制造工艺过程中，利用等离子体对碳化硅等场效应晶体管高硬度衬底进行刻蚀减薄。能够避免晶圆破裂，提高衬底减薄的质量，特别适合氮化镓基场效应晶体管器件的制造工艺。
场效应晶体管制造方法

[发明专利]一种玻璃减薄方法及减薄装置-CN201610439556.X有效
发明人：李艺 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明涉及平板显示器玻璃基板减薄技术领域，尤其涉及一种玻璃减薄方法及减薄装置。本发明提供了一种玻璃减薄方法，包括以步骤S1，提供一待减薄的玻璃；S2，采用酸性腐蚀液对所述玻璃的待减薄面腐蚀，在对所述玻璃进行腐蚀的同时，利用与所述玻璃相对运动的摩擦机构对所述玻璃的待减薄面进行刮平。本发明提供的玻璃减薄方法可以去除玻璃表面的杂质以及污点，减少玻璃表面的凹陷，保证玻璃厚度减薄的均一性，玻璃表面平整。
一种玻璃方法装置

[发明专利]一种避免液晶基板玻璃减薄工艺缺陷的方法及其酸液配置方法-CN201310314183.X无效
发明人：张兵;刘明;金林涛;岳伟 -专利权人：芜湖长信科技股份有限公司
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种避免液晶基板玻璃减薄工艺缺陷的方法，在液晶基板玻璃减薄工艺前依次进行前清洗、预处理和后清洗，所述的预处理是利用含有氢氟酸、盐酸、硝酸、硫酸、磷酸、活性剂、活性剂和水的酸液浸泡。本系统是在减薄之前增加一道预处理系统，以减小或消除此放大作用对产品品质的影响。简单地讲，就是采用特殊配比的前处理液先行填补减薄前产品表面的固有缺陷，然后再进行减薄，以减少HF酸减薄过程中放大效应的影响。弥补了现有减薄技术无法减小或修复减薄前玻璃表面不良的缺点。
一种避免液晶玻璃工艺缺陷方法及其配置

[发明专利]一种大尺寸超薄钽酸锂晶圆片的减薄方法-CN201910354224.5在审
发明人：沈浩;顾鑫怡;钱晓明 -专利权人：天通控股股份有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：一种大尺寸超薄钽酸锂晶圆片的减薄方法。本发明提供了一种“大尺寸、超薄”钽酸锂晶圆片的减薄方法，属于半导体材料减薄技术领域。包括下列步骤：提供钽酸锂晶圆片，并用酸性腐蚀液腐蚀晶圆；采用不同型号砂轮对晶圆片进行分段式减薄，加工时调节砂轮转速、工件进给速度进行减薄。本发明可解决大尺寸超薄晶圆片加工过程中的碎片问题，通过采用逐级减薄方式，分阶段去除前一道留下的损伤层，提高了后工序的加工效率和加工质量。
减薄晶圆片钽酸锂半导体材料砂轮酸性腐蚀液超薄晶圆加工效率减薄技术砂轮转速碎片问题分段式分阶段片加工损伤层进给晶圆去除加工并用腐蚀

[发明专利]一种液晶显示屏减薄处理的方法-CN201811061009.8在审
发明人：肖亮灿 -专利权人：滁州盛诺电子科技有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶显示屏减薄处理的方法，包括如下步骤：S1预处理、S2预处理液的配置、S3液晶显示屏处理、S4减薄液的配置、S5减薄处理、S6液晶显示屏后处理，本发明与常规液晶显示屏减薄处理的方法相比较，通过采用化学减薄技术对其进行处理，且减薄液的配置采用氢氟酸、氢氧化钠、盐酸、硝酸、乙二胺四乙酸二钾、碳酸钾缓冲剂、双氧水和纯水使得制备出的减薄液腐蚀速度加快，且减小对环境造成的污染。
液晶显示屏减薄处理减薄液配置缓冲剂双氧水乙二胺四乙酸二钾预处理后处理常规液晶化学减薄氢氧化钠预处理液氢氟酸碳酸钾硝酸减小制备显示屏盐酸腐蚀污染

[发明专利]一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装及方法-CN202011529470.9有效
发明人：李峰;王勇;冯小成;荆林晓;李洪剑;井立鹏;宋佳 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装及方法，属于集成电路芯片减薄技术领域，所述的倒装焊器件指完成芯片倒装焊接的电路。相比于传统方法，利用本发明中的特制工装及方法，可以利用全自动圆片减薄机实现单粒子效应试验倒装焊器件的减薄，突破了行业内无专用设备的技术瓶颈问题；通过对减薄工艺方法、工艺参数的优化，提高了单粒子效应试验倒装焊器件减薄精度以及减薄成功率，避免“盲减”时，受限于操作人员经验，致使减薄精度不够以及成功率低的问题发生；利用本发明中的特制工装及方法，可高效、稳定的完成单粒子效应试验倒装焊器件的减薄，方法简单实用、易于实现，可操作性强。
一种用于粒子效应试验倒装器件工装方法

[发明专利]一种电池基板减薄方法及电池-CN202011265859.7在审
发明人：李俊承;米万里;孙志泉;杨文斐;徐培强;吴洪清;张银桥;王向武;潘彬 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种电池基板减薄方法及电池，属于太阳电池技术领域，其中电池基板减薄技术包括以下步骤：首先通过在锗基板上制作正面电极与减反射膜，而后采用临时键合技术，将锗基板键合至临时基板上，而后对锗基板上无正面电极的面进行减薄、抛光；然后对减薄面采用溶液做进一步抛光，抛光完后对减薄面进行背面电极蒸镀，而后将背面电极蒸镀至减薄面上；而后通过解键合，将相互连接的锗基板与临时基板进行分离；而后对锗基板及蒸镀于锗基板上的背面电极进行切割本发明公开的电池基板减薄方法具有能够大幅降低电池重量的优点，并且可以保证制造的良率，采用本发明公开的技术制成的电池具有轻质高效的优点。
一种电池基板减薄方法

[发明专利]一种适于异种材料焊接接头界面分析的透射电镜制样方法-CN202010435646.8在审
发明人：马晓丽;刘礼;王立强 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种适于异种材料焊接接头界面分析的透射电镜制样方法，将可识别界面的异种材料焊接接头样品依次经磨制、冲片、凹坑减薄和离子减薄处理，获得可观察焊接熔合区界面微观组织、晶体结构和成分分析的透射电镜实验样品通过本发明方法，利用离子减薄技术对难制备异种材料焊接接头样品进行制备，操作方法简单易行，提高制样效率，且制样工艺简单，成本低廉，成功率高，为异种材料焊接接头可肉眼识别界面的透射电镜制样提供了新的解决方案
一种适于材料焊接接头界面分析透射电镜制样方法

[发明专利]用于金属样品的预减薄装置及金属样品的预减薄方法-CN201810539441.7有效
发明人：刘澄;周文韬;梁中阳;王璇;崔锡锡;杨晨;周睿 -专利权人：扬州大学
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： B24B7/10 文献下载
摘要：本发明涉及透射电镜（TEM）试样减薄技术领域。用于金属样品的预减薄装置，包括相互配合的基体和替换件。预减薄方法为：对待减薄金属片进行清洗并干燥，并将替换件的下底大面与金属的待减薄面相反的一面相贴；将替换件与金属片的组合与基体扭转嵌合，通过基体通孔注水后，利用与金属片相对运动的摩擦机构对金属片的待减薄面进行减薄；每减薄0.05±0.02mm后，拆下替换件与金属片的组合并将其加热到200±20℃熔融；选取新的替换件，将金属片的待减薄面的对侧面作为新的减薄面，重复上述步骤直至厚度小于等于0.05mm。本发明提供的TEM金属试样减薄方法可以在减薄金属试样的同时，使待减薄试样便于夹持，降低拆卸金属薄片碎裂的可能性，金属试样表面平整。
用于金属样品预减薄装置方法

[发明专利]一种DMOS晶体管的制备方法及DMOS晶体管-CN201310395493.9在审
发明人：陈定平;张忠华 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2013-09-03 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种DMOS晶体管的制备方法及DMOS晶体管，涉及半导体制造技术领域，包括：提供一硅片，在所述硅片上形成栅绝缘层以及栅极；在所述硅片正面沉积第一金属层，对所述第一金属层进行刻蚀形成源极；用细度小于600目的研磨轮对半导体硅片背面进行一次减薄，在所述硅片的背面沉积第二金属层做漏极，形成DMOS晶体管。改变现有减薄技术中采用的325目加600目工艺，增加了背面硅表面的粗糙度，使得背面金属与背面硅表面之间融合更好，源极与漏极之间电阻更小、Vfsd更小，从而解决了DMOS产品减薄后Vfsd扇形失效的问题。
一种 dmos 晶体管制备方法

[发明专利]一种用于硅片减薄机的砂轮自适应调节装置-CN201910513183.X有效
发明人：吴丰平 -专利权人：蒋祥初
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明涉及智能制造技术领域，且公开了一种用于硅片减薄机的砂轮自适应调节装置，包括支撑底座，所述支撑底座的顶部固定安装有驱动平台Ⅰ，所述驱动平台Ⅰ的输出端螺纹连接有工作转台。该用于硅片减薄机的砂轮自适应调节装置，通过自适应调节装置的设置，利用调节活塞将调节套筒分为两个腔室，并在两个腔室中充满压夜平衡油，与现有的硅片研磨减薄技术相比，在每次硅片研磨时，通过自身的压力来调整调节套筒两个腔室中液压平衡油的流向，从而调整调节活塞在调节套筒中的位置高度，进而调整了研磨轮的初始研磨位置，确保了研磨轮在每次研磨前，其每初始位置都会自适应的进行调整，有效的提高了硅片在研磨减薄后的精度。
一种用于硅片减薄机砂轮自适应调节装置

[发明专利]一种晶圆减薄装置-CN202010128935.3在审
发明人：赵永华;关均铭;王焓宇 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆厚度减薄技术领域，公开了一种晶圆减薄装置，包括电源与工具电极，所述电源的一极与所述工具电极电连接，所述电源的另一极能够与待加工的晶圆电连接，所述工具电极上设有多个放电端子。本发明运用电火花加工的原理，通过将工具电极和晶圆分别连接电源两极，然后依靠电压击穿工具电极和晶圆间的间隙，在工具电极和晶圆间形成放电通道，进而对放电通道位置的晶圆表面进行减薄，整个过程属于非接触型加工，
一种晶圆减薄装置

[实用新型]一种晶圆减薄装置-CN202020233013.4有效
发明人：赵永华;关均铭;王焓宇 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶圆厚度减薄技术领域，公开了一种晶圆减薄装置，包括电源与工具电极，所述电源的一极与所述工具电极电连接，所述电源的另一极能够与待加工的晶圆电连接，所述工具电极上设有多个放电端子。本实用新型运用电火花加工的原理，通过将工具电极和晶圆分别连接电源两极，然后依靠电压击穿工具电极和晶圆间的间隙，在工具电极和晶圆间形成放电通道，进而对放电通道位置的晶圆表面进行减薄，整个过程属于非接触型加工
一种晶圆减薄装置

[发明专利]氮化镓基发光二极管管芯的制作方法-CN03120597.6无效
发明人：张书明;杨辉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2003-03-14 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：硅衬底和砷化镓等导电衬底上外延的氮化镓基发光二极管结构的管芯的制作，包括如下步骤：1)在碳化硅等导电衬底上分别制作N型氮化镓层、有源区和P型氮化镓层；2)在P型GaN层上制备P型欧姆接触接触电极；3)将衬底从背面用研磨的方法或离子减薄技术将其减薄到70μm到150μm之间；4)在减薄的面上用光刻和蒸发或溅射的方法制备N电极；5)最后用切割法或划片法沿设计好的管芯的分割道分割成单管芯。
氮化发光二极管管芯制作方法

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