专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种钽酸锂晶体的生长方法-CN202311176957.7在审
  • 徐秋峰;张忠伟;钱煜;张鸿;汪万盾;张坚;钱陈强 - 天通控股股份有限公司;天通凯巨科技有限公司
  • 2023-09-13 - 2023-10-20 - C30B29/30
  • 本发明涉及压电晶体技术领域,尤其是一种钽酸锂晶体的生长方法,包括以下步骤:a)原料填加:将需要填加的回用晶体原料进行粉碎、打磨处理后,覆盖在已填好的多晶粉上,最后再使用多晶粉对晶体碎块间隙进行填充;b)化料控温:将原料升温后,观察温度变化曲线,调控温度至第一个温度曲线波峰值高5‑10℃,稳定保温1‑2h后,完成原料熔融;c)晶体生长:下降籽晶与熔融液接触,籽晶缩颈后保温,进入晶体自动生长,观察晶体棱线变化,对分叉和较细的棱线进行回融重塑处理;d)晶体收尾:当晶体重量的增加量呈下降趋势,且晶体重量的增加速度低于10g/min后进行切离收尾,按30‑50mm/min的速率脱离液面。
  • 一种钽酸锂晶体生长方法
  • [发明专利]一种真空吸附贴蜡装置及方法-CN202311042396.1在审
  • 张伟明;汪万盾;浦一枫;丁孙杰;朱海瀛;钱煜;徐秋峰 - 天通控股股份有限公司;天通凯巨科技有限公司
  • 2023-08-18 - 2023-09-19 - H01L21/683
  • 本发明属于一种晶圆贴蜡加工技术领域,具体涉及一种真空吸附贴蜡装置及方法。该真空吸附贴蜡装置包括贴蜡装置和真空吸附装置,贴蜡装置包括可转动的陶瓷盘、晶圆和蜡层,真空吸附装置包括真空吸附膜、真空吸附装置上部、真空吸附装置下部、真空输入口、密封圈和螺丝。采用该装置进行晶圆贴蜡的方法主要为利用抽真空,使大气压挤压真空吸附膜,再通过真空吸附膜变形对晶圆进行均匀加压贴蜡,贴蜡更均匀;在晶圆加压贴蜡的同时又将空气抽走,能够防止气泡产生;冷却定型完成前,持续对晶圆加压,晶圆定型后才去除贴蜡压力,移除贴蜡装置,防止晶圆回弹,提高贴蜡的质量;对整个陶瓷盘上的晶圆同时加压贴蜡,提高了贴蜡的效率。
  • 一种真空吸附装置方法
  • [发明专利]一种大尺寸铌酸锂晶体的制备方法-CN202310500341.4有效
  • 徐秋峰;张忠伟;钱煜;张鸿;汪万盾 - 天通控股股份有限公司;天通凯巨科技有限公司
  • 2023-05-06 - 2023-07-07 - C30B29/30
  • 本发明涉及压电晶体技术领域,尤其是一种大尺寸铌酸锂晶体的制备方法,包括以下步骤:a)籽晶加工:将籽晶晶体进行定向后切割成籽晶,切割时使籽晶引晶面避开脉理缺陷;b)调配原料:先按照氧化铌和碳酸锂的质量比1000:261~263调配原料,再考虑长晶炉中上一炉长晶后的残留底料对下一炉长晶的影响,通过计算的居里温度预估值进一步调节原料配比;(c)晶体生长:将调配好的原料放入热场中的坩埚内,升温使原料熔融,对熔融液进行保温预热后,下降籽晶与熔融液接触,籽晶缩颈后保温,进入晶体自动生长;d)晶体收尾:调整温度、转数进行长晶收尾,再提拉晶体脱离液面;e)晶体退火:当晶体脱离液面后,在炉内进行原位退火,再降至常温。
  • 一种尺寸铌酸锂晶体制备方法
  • [发明专利]一种高磁导率高Bs柔性磁片及其制备方法-CN202310251406.6在审
  • 李赟;聂建文;龚佑辉;邢冰冰 - 天通控股股份有限公司
  • 2023-03-16 - 2023-06-09 - H01F41/02
  • 本发明提供了一种高磁导率高Bs柔性磁片及其制备方法,包括下列步骤:将制备锰锌铁氧体的氧化物原料混合;然后在1250~1400℃及一定氧分压下烧结成磁粉;将磁粉通过初破碎和砂磨的方法磨至平均粒径2~4μm;然后将磁粉制浆流延成薄片并在1200~1350℃及一定氧分压下烧结;最后覆膜裂片制备成柔性磁片。本发明通过高温烧结磁粉使其获得较大的磁化度及密度,实现了将磁片烧结温度提高至1200~1350℃的可行性,可避免晶粒生长重组过程中发生大量元素扩散导致产品上下层粘连问题的发生,可获得高磁导率高Bs且外观合格率超高的柔性磁片。
  • 一种磁导率bs柔性磁片及其制备方法
  • [发明专利]一种直插式一体成型共烧电感及其制备方法-CN202310218332.6有效
  • 李伟健;邢冰冰;盖鹏祥 - 天通控股股份有限公司
  • 2023-03-09 - 2023-05-30 - H01F17/04
  • 本发明公开了一种直插式一体成型共烧电感及其制备方法,该电感由软磁金属粉末、倒U形铜导体两部分组成,铜导体两端伸出粉末外,其余部分埋于粉末中,该电感制备方法的步骤为:(1)软磁金属粉末的预处理;(2)将铜导体埋入处理后的金属粉末中,使用1700‑2100MPa高压进行压制成型;(3)使用还原气氛对步骤(2)得到的产品进行梯度退火处理;(4)将退火后的产品含浸于树脂溶液内,经过洗涤、烘烤后得到直插式一体成型共烧电感。该电感不仅具有一体成型电感的高磁屏蔽性能、生产高机械化、高性能均一性的优点,而且兼备了磁粉心材料的高密度、低损耗的优点。
  • 一种直插式一体成型电感及其制备方法
  • [发明专利]一种蓝宝石球面晶体的制备方法-CN202211401543.5有效
  • 丁召阳;赵杰红;沈健;张芹 - 天通控股股份有限公司;徐州凯成科技有限公司
  • 2022-11-10 - 2023-03-24 - B24B1/00
  • 本发明属于蓝宝石球面晶体技术领域,具体涉及一种蓝宝石球面晶体的制备方法,包括蓝宝石晶体生长步骤、蓝宝石晶体抛光成型步骤,其中引晶和生长的过程包括:下放籽晶,将籽晶按照1.5‑3mm/min的速度碰触液面,碰触到液面后观察籽晶的重量变化,通过调节生长或者融化的功率和调整上方通入的氩气冲入量在2‑20L/min,直到维持籽晶重量稳定,在稳定1‑3h后开始下降功率,开始长晶,在所述长晶过程完成后降温,晶体的位错密度≤1100ps/cm2,单晶性≤14弧秒;蓝宝石晶体抛光成型步骤包括:S4、球面一次粗抛,S5、球面二次粗抛,S6、球面精抛。本发明能够显著减少加工时间,降低加工成本,满足成品技术指标。
  • 一种蓝宝石球面晶体制备方法

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