专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于JPEG2000标准的自适应存储器和存储方法-CN201210194356.4有效
  • 郭杰;艾波;李云松;刘凯;雷杰;吴成柯 - 西安电子科技大学
  • 2012-06-13 - 2012-09-26 - H04N7/26
  • 本发明公开了一种基于JPEG2000标准的自适应存储器,主要解决现有图像压缩系统在数据存储时资源和功耗浪费的问题。本存储器包括内部存储单元,外部存储单元,地址产生单元和复选单元。在低分辨率图像压缩时用内部存储单元存储小波系数、长度斜率信息和码流;在高分辨率图像压缩时,用内部存储单元存储小波系数和长度斜率信息,用外部存储单元存储码流;地址产生单元根据输入图像的分辨率自适应地产生该三种数据的存储地址和读取地址,并指定内部存储单元中可以存储码流的存储区域;复选单元根据输入图像的分辨率自适应地从内部存储单元或外部存储单元中读取数据。
  • 基于jpeg2000标准自适应存储器存储方法
  • [发明专利]存储器件-CN202310086667.7在审
  • 李硕汉;姜信行;孙敎民 - 三星电子株式会社
  • 2023-01-18 - 2023-07-28 - G11C11/409
  • 本公开提供了一种存储器件。该存储器件包括:存储单元阵列,被配置为存储数据;命令解码器,被配置为从外部接收命令以生成第一存储单元控制信号;PIM(存储器中处理器)块,被配置为基于内部存储的指令生成第二存储单元控制信号,并基于第二存储单元控制信号执行内部处理操作,该第二存储单元控制信号包括用于执行内部处理操作的命令;以及操作模式多路复用器,被配置为输出第一存储单元控制信号和第二存储单元控制信号中的任何一个,并将其提供给存储单元阵列。
  • 存储器件
  • [发明专利]一种高存储密度的多状态ROM电路-CN202210382971.1在审
  • 张一平 - 苏州菲斯力芯软件有限公司
  • 2022-04-13 - 2022-07-29 - G06F13/16
  • 本发明公开了一种高存储密度的多状态ROM电路,包括内部存储器、ROM、控制处理器、总线、主机接口、缓冲存储器和存储器接口,所述内部存储器通过总线进行通信,所述ROM通过总线进行通信,所述控制处理器通过总线进行通信,所述主机接口通过总线进行通信,所述缓冲存储器通过总线进行通信,所述存储器接口通过总线进行通信;所述ROM包括第一ROM存储单元、第二ROM存储单元、第三ROM存储单元和第四ROM存储单元,所述第一ROM存储单元、第二ROM存储单元、第三ROM存储单元和第四ROM存储单元均为单独的存储单元。本发明,为ROM存储单元的多值存储提供了一种解决方案,使ROM存储器具有高存储密度的特点。
  • 一种存储密度状态rom电路
  • [发明专利]非易失性存储器擦除作业中的字线补偿-CN200580041995.5有效
  • 万钧;杰弗里·W·路特斯;庞产绥 - 桑迪士克股份有限公司
  • 2005-12-15 - 2007-12-26 - G11C16/16
  • 在擦除作业期间将补偿电压施加至非易失性存储器系统以均衡存储单元的擦除行为。补偿电压可补偿从其他存储单元及/或选择栅电容性耦合至NAND串的存储单元的电压。可将补偿电压施加至一个或一个以上存储单元以大致正规化存储单元的擦除行为。可将补偿电压施加至NAND串的端存储单元以使其擦除行为与所述NAND串的内部存储单元均衡。也可将补偿电压施加至内部存储单元以使其擦除行为与端存储单元均衡。另外,可将补偿电压施加至NAND串的一个或一个以上选择栅以补偿从所述选择栅耦合至一个或一个以上存储单元的电压。可使用各种补偿电压。
  • 非易失性存储器擦除作业中的补偿
  • [发明专利]半导体存储-CN98116272.X无效
  • 藤田真盛 - 日本电气株式会社
  • 1998-08-10 - 2003-06-18 - G11C29/00
  • 半导体存储器,包括多个存储单元阵列,每个存储单元阵列含有一个备份存储单元。每个存储单元阵列和数据输入-输出端的连接可以简单地由外部输入信号根据多种输入-输出的数据宽度进行导通。每个备份存储单元将外部输入的外部地址的每一位与已储存在存储单元内的内部地址的每一位进行比较。根据备份判断电路输出的检测信号检测出两个地址相同,并替换该地址的存储单元。替换不只是在有备份存储单元存储单元阵列中实现,而且还可以在不同的存储单元阵列中实现。
  • 半导体存储器
  • [实用新型]一种存储装置的安装支撑机构-CN202321303771.9有效
  • 赵菁华;朴晟宏 - 北京柏睿数据技术股份有限公司
  • 2023-05-26 - 2023-09-12 - G11B33/04
  • 本实用新型公开了一种存储装置的安装支撑机构,其技术方案是:包括机架,所述机架内部固定设有多个隔板,所述机架两侧均固定设有侧架,两个所述侧架内部均固定设有两个挡块,两个所述侧架内侧均开设有安装孔,所述机架内部插接有多个磁盘或存储单元,多个所述磁盘或存储单元一侧设有挡板,一种存储装置的安装支撑机构有益效果是:通过安装板在机架内部失去限制,弹片一的弹力多个磁盘或存储单元从机架内部弹出,安装板与连接架没有连接关系,使得多个限位板脱离磁盘或存储单元的接触,使得弹出后的多个磁盘或存储单元同时失去限位板的限制,便于对多个磁盘或存储单元同时取出,通过限位板在安装板内部的转动失去限制,通过弹簧的弹力使得磁盘或存储单元从限位板打开的地方弹出,达到单独抽取磁盘或存储单元的目的
  • 一种存储装置安装支撑机构
  • [发明专利]存储单元阵列及存储单元-CN200610145144.1有效
  • 廖忠志 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2006-11-13 - 2007-10-31 - H01L23/522
  • 本发明提供一种存储单元阵列及存储单元,应用于分离字线型的存储单元改良电源栅格设计。一存储单元阵列包括一第一金属层以供局部连接用,一第二金属层以供一位线、一互补位线、以及一设置于该位线与该互补位线之间的第一电压线用,各自大体上为一第一走向,一第三金属层以供一第一多个的第二电压线以及一设置于该第一多个的第二电压线之间的字线用本发明所述的存储单元存储单元阵列,能提供较低的RC延迟以及较佳的稳定性,此外,其能降低字线的电容。
  • 存储单元阵列

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