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[发明专利]操作具非易失性存储单元电路的方法及使用所述方法的电路-CN201810497725.4有效
发明人：洪俊雄;张钦鸿 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G06F21/73 文献下载
摘要：本发明提供一种操作具非易失性存储单元电路的方法及使用所述方法的电路，所述电路包括多个非易失性存储单元及逻辑，所述逻辑用以使用实体不可复制功能以产生密钥且将密钥存储于多个非易失性存储单元中的一组非易失性存储单元中实体不可复制功能可使用衍生自多个非易失性存储单元中的非易失性存储单元的熵以产生密钥。逻辑经描述为禁用对所述组非易失性存储单元中的数据的改变，且从而在密钥存储于所述组非易失性存储单元中之后将其冻结。
操作具非易失性存储单元电路方法使用

[实用新型]具薄型显示单元的非易失性存储装置-CN200620002332.4无效
发明人：陈立白;陈明达;谢祥安 -专利权人：威刚科技股份有限公司;万国电脑股份有限公司
申请日： 2006-02-09 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： G06K19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具薄型显示单元的非易失性存储装置，该装置包括一薄型显示单元、一第一接口、一非易失性存储单元、一非易失性存储媒体、一第二接口、一导电材料及一封装单元；其中将该导电材料设置于该第一接口及第二接口之间，进而使该非易失性存储装置传送该非易失性存储装置的应用状态信息给该薄型显示单元，并可利用该封装单元上的一显示窗观察该非易失性存储装置的应用状态。
具薄型显示单元非易失性存储装置

[发明专利]非易失性数据备份和恢复方法-CN201310039982.0有效
发明人：林志;于斌;苏长宇 -专利权人：广东欧珀移动通信有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种非易失性数据备份和恢复方法,用于通讯芯片的非易失性数据处理，所述方法包括：A．在移动终端内根据非易失性数据列表建立非易失性数据备份分区；B．将初始非易失性数据及程序以固件形式写入所述非易失性数据备份分区；C.首次开机，进行初始化校准，实现所述非易失性数据的更新备份；D.后续每次开机，将所述非易失性数据备份分区中的所述非易失性数据写入通讯芯片自身非易失性数据分区。
非易失性数据备份恢复方法

[发明专利]非易失性存储门及其动作方法、及非易失性存储门装入型逻辑电路及其动作方法-CN200980107095.4有效
发明人：木村启明;渊上贵昭;藤森敬和 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2009-01-08 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储门装入型逻辑电路，其装入电源断开后也可以保持数据的非易失性存储门，当进入待机状态时，可以同时断开电源。非易失性存储门装入型逻辑电路(10)具备具有逻辑门(16)的逻辑运算部(14)和非易失性存储门(12)，所述非易失性存储门(12)具有：非易失性存储部(18)；数据接口控制部(22)，其邻接于非易失性存储部(18)而配置，接收用于向非易失性存储部(18)的数据写入及从非易失性存储部(18)的数据读取的非易失性存储控制信号(NVCTL)；易失性存储部(24)，其邻接于非易失性存储部(18)而配置，接收数据输入信号
非易失性存储及其动作方法装入逻辑电路

[发明专利]用于数据库的数据处理方法和装置-CN201810900567.2有效
发明人：周力 -专利权人：北京百度网讯科技有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G06F16/2455 文献下载
摘要：该方法的一具体实施方式包括：通过数据库的数据存储于外存，采用系统内存和非易失性内存作为数据库的缓冲池，并利用系统内存存储数据库的干净页，利用非易失性内存存储数据库的已提交脏页，从而在数据库发生导致易失性存储器中的数据丢失的故障时，能够利用非易失性内存保存已提交脏页，从而避免了全部采用系统内存作为缓冲池时，由于数据库故障而导致缓冲池中的数据全部丢失的情况。
用于数据库数据处理方法装置

[发明专利]抑制寄生电荷积累的非易失性存储器件及其操作方法-CN200810177916.9有效
发明人：李昌炫;徐康德;林瀛湖;崔正达 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：操作电荷俘获非易失性存储器件的方法包括：通过选择性擦除第一串中第一多个非易失性存储单元以及随后选择性擦除第一串中第二多个非易失性存储单元来擦除第一串非易失性存储单元的操作，第二多个非易失性存储单元与第一多个非易失性存储单元交替选择性擦除第一多个非易失性存储单元的操作可包括在抑制擦除第二多个非易失性存储单元的阻断条件下，在偏置第二多个非易失性存储单元的同时，擦除第一多个非易失性存储单元。选择性擦除第二多个非易失性存储单元的操作可包括在抑制擦除第一多个非易失性存储单元的阻断条件下，在偏置第一多个非易失性存储单元的同时，擦除第二多个非易失性存储单元。
抑制寄生电荷积累非易失性存储器及其操作方法

[发明专利]基于一对多页面映射的非易失内存数据一致性更新方法-CN202010020369.4有效
发明人：卢凯;张文喆;迟万庆;王睿伯;张伟;董勇;周恩强;谢旻;高颖慧;吴振伟 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于一对多页面映射的非易失内存数据一致性更新方法，目的是解决双倍非易失内存写操作开销。技术方案是构建由动态非易失内存分配模块、更新周期管理模块、访存监控模块、非易失数据版本管理模块组成的非易失内存一致性更新系统，为用户应用程序提供动态非易失内存分配/释放接口，为每个非易失内存对象维护1个DRAM缓存和2个非易失备份。非易失数据版本管理模块将DRAM缓存的内容一致性地写入到与DRAM缓存页面对应的非易失备份页面，一致性更新过程中仅针对非易失内存对象的一个非易失备份进行更新操作，而另一个非易失备份作为故障时的一致性数据备份采用本发明对非易失内存进行一致性更新操作只引入了对非易失内存的单次写入。
基于一对页面映射非易失内存数据一致性更新方法

[发明专利]易失性/非易失性SRAM器件-CN201580067948.1在审
发明人：陈晓楠;Z·王;X·李 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：一种操作静态随机存取存储器(SRAM)存储元件的方法包括在掉电事件之前将一值编程到该SRAM存储元件。该方法进一步包括响应于在掉电事件之后在SRAM存储元件处的上电事件，增加SRAM存储元件的电源电压并感测SRAM存储元件的状态，以确定在掉电事件之前被编程到SRAM存储元件的值。在一特定示例中，一种装置包括SRAM存储元件以及耦合到该SRAM存储元件的控制电路系统。该控制电路系统可被配置成将值编程到SRAM存储元件，增加电源电压，并感测SRAM存储元件的状态以确定在掉电事件之前被编程到SRAM存储元件的值。
易失性非易失性 sram 器件

[发明专利]将数据存储在非易失性高速缓冲存储器中的设备和方法-CN200510097425.X无效
发明人：尹熙撤;全裕成;崔明洵 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-12-28 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种考虑更新率来将数据存储在非易失性高速缓冲存储器中的设备和方法。所述设备包括：非易失性海量存储单元；非易失性高速缓冲存储器单元；和存储器控制器，控制非易失性海量存储单元和非易失性高速缓冲存储器单元，并基于数据更新率来选择性地将数据存储在非易失性海量存储单元或非易失性高速缓冲存储器单元中所述方法包括：接收存储数据的请求；和根据数据更新率来选择性地将数据存储在非易失性海量存储单元或非易失性高速缓冲存储器单元中；其中，如果更新率大于阈值，那么所述数据被存储在非易失性高速缓冲存储器单元中。
数据存储非易失性高速缓冲存储器中的设备方法

[发明专利]一种非易失性数据的读写方法及装置-CN202010232002.9在审
发明人：陈宁 -专利权人：北京经纬恒润科技有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种非易失性数据的读写方法及装置，方法包括：数据安全管理模块在接收到非易失性数据读取请求的情况下，触发不可信分区中的非易失性数据管理模块将从存储设备中读取到的非易失性数据写入不可信分区的缓存中，通过对非易失性数据进行校验，并将校验通过的非易失性数据写入可信分区的缓存，保证可信分区中非易失性数据的正确性。由于在非易失性数据管理系统中将可信分区中的数据安全管理模块与不可信分区进行了隔离，在整个非易失性数据的读写过程中，不可信分区发生任何问题都只会影响不可信分区的数据，不会影响可信分区的数据，保证了非易失性数据读写的安全性
一种非易失性数据读写方法装置

[发明专利]非易失性存储装置、非易失性存储系统及存取装置-CN200880001867.1无效
发明人：中西雅浩;加藤勇雄;外山昌之;足立达也;中垣浩文;前田卓治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-01-25 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： G06K19/07 文献下载
摘要：由存取装置对非易失性存储装置存取时，非易失性存储装置或存取装置测出或算出非易失性存储装置的温度(T)。非易失性存储装置的温度适应型控制部基于温度(T)来控制对非易失性存储器的存取速率。而且，不使非易失性存储装置的温度(T)超过极限温度(Trisk)。从而，非易失性存储装置取出时无烫伤之危险，且能够构成可高速读写的非易失性存储系统。
非易失性存储装置存储系统存取

[发明专利]具有非易失性逻辑阵列备份相关应用的处理装置-CN201811580481.2有效
发明人： S·C·巴特林;S·卡纳 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提供具有非易失性逻辑阵列备份相关应用的处理装置。一种处理装置(100)，使用多个易失性存储元件(120)操作。多个易失性存储元件(120)的N组的每组的M个易失性存储元件通过使用多路复用器(212)被连接到多个非易失性逻辑元件阵列中的N乘M大小的非易失性逻辑元件阵列(110)。多路复用器(212)连接N组中的一组到N乘M大小的非易失性逻辑元件阵列(110)以一次将来自M个易失性存储元件(120)的数据存储到N乘M大小的非易失性逻辑元件阵列(110)的一行中，或者一次将来自N乘M大小的非易失性逻辑元件阵列(110)的一行的数据写入到M个易失性存储元件(120)。相应的非易失性逻辑控制器(106)控制多路复用器(212)关于易失性存储元件(120)和非易失性存储元件(110)之间的连接的操作。
具有非易失性逻辑阵列备份相关应用处理装置

[发明专利]从非易失性块存储设备至处理设备的健康报告-CN201080031586.8有效
发明人： V.萨多夫斯基;N.S.奥布尔;J.C.博维;R.A.亚历山大 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2010-07-06 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： G06F11/30 文献下载
摘要：提供用于基于来自非易失性块存储设备的反馈、使关于处理设备使用非易失性块存储设备的I/O模式进行适应的方法和设备。反馈可以包括指示非易失性块存储设备的状况的信息。响应于接收到反馈，在处理设备上执行的操作系统中包括的存储子系统可以改变关于非易失性块存储设备的行为，以便避免或减少对非易失性块存储设备的负面冲击，或者增强非易失性块存储设备的方面。反馈可以包括非易失性块存储设备的性能信息和/或操作环境信息。当非易失性块存储设备不能提供反馈时，处理设备可以从数据库服务请求关于非易失性块存储设备的信息。
非易失性块存储备至处理设备健康报告

[发明专利]非易失可编程芯片及存储装置-CN202111035664.8在审
发明人：周骏;郭一欣;左丰国;古倩 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本申请提供一种非易失可编程芯片及存储装置。该非易失可编程芯片包括：动态随机存储组件和非易失性存储组件；其中，动态随机存储组件集成有动态随机存储阵列；非易失性存储组件与动态随机存储组件层叠并键合连接，非易失性存储组件集成有非易失性存储阵列，非易失性存储阵列用于存储动态随机存储阵列中数据对应的备份数据该非易失可编程芯片能够对动态随机存储组件中的数据进行保护与恢复，且集成密度较高。
非易失可编程芯片存储装置

[发明专利]包括不同类型的存储单元的半导体器件-CN201811541111.8在审
发明人：田昌勋;申有哲;林浚熙;白圣权;李赞镐;张源哲;黄善劲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种半导体器件包括具有易失性存储区和非易失性存储区的基板。易失性存储区包括设置在基板中的单元电容器和连接到单元电容器的单元晶体管。非易失性存储区包括设置在基板上的多个非易失性存储单元。易失性存储区和非易失性存储区被并排设置。
非易失性存储区易失性存储基板半导体器件单元电容器非易失性存储单元单元晶体管并排设置存储单元

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