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[发明专利]非易失性存储器件、其操作方法以及包括其的存储系统-CN201110248483.3有效
发明人：金泰暎;林瀛湖 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种操作非易失性存储器件的方法包括：将一个或多个字线(WL)地址但不是全部WL地址存储到锁存器中，所述WL布置在串选择线(SSL)与地选择线(GSL)之间；从锁存器中选择第一WL；对与串选择线(SSL)相关联的存储单元执行擦除操作，与所述SSL相关联的存储单元构成存储块；以及验证对与所选择的第一WL相关联的存储单元的擦除操作。
非易失性存储器操作方法以及包括存储系统

[发明专利]非易失性存储器件和系统及非易失性存储器件编程方法-CN201010260550.9有效
发明人： 林瀛湖;姜东求;金亨埈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种对包括N比特多电平单元(MLC)存储单元的非易失性存储器编程的方法包括：使用递增步长脉冲编程(ISPP)方法执行第一至第(N-1)页编程操作，以将第一至第(N-1)数据页编程在该MLC存储单元中，其中第一至第(N-1)页编程操作的每一个包括该MLC存储单元当中的擦除单元的擦除编程。该方法还包括使用该ISPP方法执行第N页编程操作，以将第N数据页编程在该MLC存储单元中。
非易失性存储器系统编程方法

[发明专利]具有统一的存储单元操作特性的非易失性半导体存储器件-CN200910222874.0有效
发明人：姜东求;边大锡;林瀛湖 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-01-20 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种非易失性半导体存储器件，包括：系列连接的一串第一至第N非易失性存储单元，连接在第一和第二选择晶体管之间；第一和第二伪单元，分别介于第一选择晶体管与第一非易失性存储单元之间、以及第二选择晶体管与第N非易失性存储单元之间；其中每个非易失性存储单元由相应的普通字线选通，而且第一和第二伪单元中的每一个由相应的伪字线选通；以及驱动器块，包括普通字线驱动器和伪字线驱动器，伪字线驱动器能够相对于普通字线驱动器独立地与接收的地址相关地工作。
具有统一存储单元操作特性非易失性半导体器件

[发明专利]具有哑单元的快闪存储设备及其操作方法-CN200910130671.9有效
发明人：金武星;林瀛湖 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-03-27 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有哑单元的快闪存储设备及其操作方法。公开了一种具有多个串的快闪存储设备，其中每个串包括多个第一存储单元和多个第二存储单元。每个串中的多个第二存储单元中的一个第二存储单元被设置为编程状态，其余第二存储单元被设置为擦除状态。
具有单元闪存设备及其操作方法

[发明专利]抑制寄生电荷积累的非易失性存储器件及其操作方法-CN200810177916.9有效
发明人：李昌炫;徐康德;林瀛湖;崔正达 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：抑制寄生电荷积累的非易失性存储器件及其操作方法。操作电荷俘获非易失性存储器件的方法包括：通过选择性擦除第一串中第一多个非易失性存储单元以及随后选择性擦除第一串中第二多个非易失性存储单元来擦除第一串非易失性存储单元的操作，第二多个非易失性存储单元与第一多个非易失性存储单元交替。选择性擦除第一多个非易失性存储单元的操作可包括在抑制擦除第二多个非易失性存储单元的阻断条件下，在偏置第二多个非易失性存储单元的同时，擦除第一多个非易失性存储单元。选择性擦除第二多个非易失性存储单元的操作可包括在抑制擦除第一多个非易失性存储单元的阻断条件下，在偏置第一多个非易失性存储单元的同时，擦除第二多个非易失性存储单元。
抑制寄生电荷积累非易失性存储器及其操作方法

[发明专利]闪存存储器设备和控制闪存存储器设备的方法-CN200810171455.4有效
发明人：边大锡;林瀛湖 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-04-25 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：一种闪存存储器设备，包括多个存储块，解码器，配置成响应块选择信号选择至少一个所述存储块，以及控制器，配置成响应于块地址产生所述块选择信号。当块地址对应不良块时，所述控制器产生块选择信号以使得所述解码器中断对应于块地址的存储块的选择。
闪存存储器设备控制方法

[发明专利]具有监视存储器单元的非易失性存储器设备及其驱动方法-CN200810085641.6有效
发明人：姜相求;林瀛湖 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：公开了一种非易失性存储器设备和驱动数据的相关方法。该非易失性存储器设备包括多电平单元阵列和监视存储器单元。该驱动方法包括使用第一读取电压对监视存储器单元执行初始读取操作，确定初始存储在监视存储器单元中的数据与在初始读取操作中从监视存储器单元读取的数据是否相同，并且当初始存储在监视存储器单元中的数据与使用第一读取电压从监视存储器单元中读取的数据不相同时，将主读取电压设置为与第一读取电压电平不同的电平。
具有监视存储器单元非易失性存储器设备及其驱动方法

[发明专利]闪存装置和用于该闪存装置的编程方法-CN200710305187.6有效
发明人：姜相求;林瀛湖 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-09-17 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了一种闪存装置以及对该装置的编程方法。该闪存装置包括多个存储多位数据的存储单元，该多位数据表示第一状态到第四状态中的至少一种并且包括最高有效位和最低有效位。该方法包括根据最低有效位将多个存储单元编程为临时状态，以及根据最高有效位将多个存储单元从第一状态和临时状态编程为第二状态到第四状态。将多个存储单元编程为第二状态到第四状态包括在一个编程操作周期期间将多个存储单元至少部分地同时编程为至少两种状态。
闪存装置用于编程方法

[发明专利]使用编程数据高速缓存的闪存设备及其编程方法-CN200710199927.2有效
发明人：姜东求;林瀛湖;姜相求 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-09-03 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种用于对闪存设备进行编程的方法，所述闪存设备包括存储表示多个状态之一的多位数据的多个存储器单元。所述方法包括将所述多位数据编程到所述多个存储器单元的所选择的存储器单元中，所述编程包括通过第一校验电压执行的第一校验读取操作、确定是否对所选择的存储器单元中的每一个执行重编程操作以及根据所述确定重编程所选择的存储器单元。重编程所选择的存储器单元包括通过第二校验电压执行的第二校验读取操作，所述第二校验电压高于所述第一校验电压。
使用编程数据高速缓存闪存设备及其方法

[发明专利]包括高电压产生电路的半导体器件及产生高电压的方法-CN200710004056.4有效
发明人：边大锡;林瀛湖 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-01-23 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储器件，所述器件包括第一泵时钟产生器，配置用于基于第一电源电压产生第一泵时钟信号。所述器件还包括第一电荷泵，配置用于响应于第一泵时钟信号产生第一泵输出电压。所述器件还包括第二泵时钟产生器，配置用于基于第一泵输出电压产生第二泵时钟信号。所述器件还包括第二电荷泵，配置用于响应于第二泵时钟信号产生第二泵输出电压。所述器件还包括第三泵时钟产生器，配置用于基于第一电源电压产生第三泵时钟信号。所述器件还包括第三电荷泵，配置用于响应于第三泵时钟信号产生第三泵输出电压。
包括电压产生电路半导体器件方法

[发明专利]补偿状态间读边界减小的闪存装置的编程方法-CN200710126635.6有效
发明人：姜东求;林瀛湖 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-01-09 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种闪存装置的编程方法，该闪存装置具有多个存储单元，存储单元用于存储表示多个状态之一的多比特数据。该编程方法包括：用多比特数据将被选的存储单元编程为具有状态之一；检测被安排在分别与至少两个状态相对应的阈值电压分布的预定区域内的已编程存储单元，其中，至少两个状态各自的预定区域由第一校验电压和读电压之一以及第二校验电压来选择，第一校验电压低于第二校验电压并高于读电压；以及同时将检测到的至少两个状态的存储单元编程为具有等于或高于与每个状态相对应的第二校验电压的阈值电压。
补偿状态边界减小闪存装置编程方法

[发明专利]用于快闪存储器件的编程方法-CN200710003748.7有效
发明人：姜相求;林瀛湖 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-01-24 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于快闪存储器件的编程方法，所述快闪存储器件包括与用于存储指示多个状态中的一个的多位数据的多个存储单元连接的第一和第二位线。该编程方法可以包括：用多位数据将与所选行和第二位线连接的存储单元编程；确定所选行是否是最后行；以及当确定结果为所选行是最后行时，将与作为最后行的所选行和第一位线连接的已编程的存储单元重新编程。
用于闪存器件编程方法

[发明专利]补偿存储单元编程状态之间的读余量减少的闪存系统-CN200710003744.9有效
发明人：姜相求;林瀛湖 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-01-24 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：存储系统包括：闪存；以及存储控制器，被配置为控制闪存。所述存储控制器确定在编程操作期间从主机提供的编程数据是否都被存储在闪存中。当确定结果是该编程数据都被存储在所述闪存中时，所述存储控制器控制所述闪存，以便对其中存储了编程数据的最终字线的下一个字线执行伪编程操作。
补偿存储单元编程状态之间余量减少闪存系统

[发明专利]能补偿由于高温应力状态间读出边界减小的闪存编程方法-CN200710003749.1有效
发明人：姜东求;林瀛湖 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-01-24 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种具有与多个存储单元相连接的第一位线和第二位线的闪存设备的编程方法，其中所述存储单元用于存储指示多个状态之一的多位数据。该编程方法包括：利用多位数据编程存储单元，该存储单元连接到选择的行以及第一位线或第二位线；以及重新编程已编程的存储单元，该已编程的存储单元连接到直接布置在所选择的行下面的行以及所述第一位线或所述第二位线，由此增加由于高温应力(HTS)而减小的所述多个状态的相邻状态之间的读出边界。
补偿由于高温应力状态读出边界减小闪存编程方法

[发明专利]能够补偿状态间读取裕度减小的闪速存储器编程方法-CN200710001671.X有效
发明人：姜东求;林瀛湖 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-01-11 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：公开了一种闪速存储器件的编程方法，所述闪速存储器件包括用于存储表示状态之一的多比特数据的多个存储单元。所述编程方法包括：通过使用多比特数据对选择为要具有多个状态之一的存储单元进行编程；在具有各个状态的已编程的存储单元分布于其中的、阈值电压分布的预定区域之内，检测已编程的存储单元，其中，通过第一验证电压和读取电压之一以及第二验证电压来选择各个状态的预定区域，第一验证电压比第二验证电压低而比读取电压高；以及对已检测的存储单元进行编程，以具有与各个状态相对应的第二验证电压相等或比所述第二验证电压高的阈值电压。
能够补偿状态读取减小存储器编程方法

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