首页 在售
电子信息机械制造新型材料电气自动化新能源安全防护环保资源轻工纺织生物医药包装印刷海洋开发仪器仪表航空航天建材建筑农林牧业食品饮料采矿冶金家居用品化学化工交通运输橡胶塑料教育休闲其他
求购
电子信息机械制造新型材料电气自动化新能源安全防护环保资源轻工纺织生物医药包装印刷海洋开发仪器仪表航空航天建材建筑农林牧业食品饮料采矿冶金家居用品化学化工交通运输橡胶塑料教育休闲其他
查询 申请 展会 资讯 专利榜 企服商城 升级VIP
专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果9065144个，建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]半导体器件及其操作方法-CN201710896237.6有效
  • 郑亨洙;孙钟浩 - 爱思开海力士有限公司
  • 2017-09-28 - 2021-05-07 - G11C29/00
  • 一种半导体器件包括：第一非易失性存储区至第N非易失性存储区，每个非易失性存储区包括位于行线与列线之间的交叉点处的多个单元；储存电路，包括适用于储存从第一非易失性存储区至第N非易失性存储区传输来的数据的多个单元锁存器；以及操作控制电路，适用于在断裂模式期间，控制第一操作模式至第N操作模式的设置信息分别被编程在第一非易失性存储区至第N非易失性存储区中，以及在启动模式期间，控制从第一非易失性存储区传输来的数据被写入在单元锁存器中，并且响应于操作模式改变请求，控制从第二非易失性存储区至第N非易失性存储区中的一个非易失性存储区传输来的数据被重写在单元锁存器中。
  • 半导体器件及其操作方法
  • [发明专利]一种存储装置-CN201410766201.2有效
  • 骆建军;王时 - 杭州华澜微科技有限公司
  • 2014-12-12 - 2015-03-25 - G06F13/16
  • 本发明公开了一种存储装置，其包括与外部控制器电性相连的存储器接口、通过第二总线与所述存储控制器相连的易失性存储器、通过第三总线与所述存储控制器相连的非易失性存储器。所述易失性存储器包括有非易失映射区，所述非易失性存储器包括与所述易失性映射区具有对应关系的非易失备份区，在所述存储控制器的控制下，该非易失备份区对所述非易失映射区内的数据进行备份。对于计算机系统来说，所述存储装置由两部分形成，一部分是作为易失性内存使用的易失性存储区，另一部分为作为非易失性内存使用的非易失映射区，这样可以使得部分内存中的数据可以实现掉电保护，提高了数据安全性。
  • 一种存储装置
  • [发明专利]半导体集成电路-CN200480043669.3无效
  • 品川裕;片冈健;石川荣一;田中利广;柳泽一正;铃川一文 - 株式会社瑞萨科技
  • 2004-08-30 - 2007-07-04 - G06F12/00
  • 一种具有中央处理器和被安置在该中央处理器的地址空间中的可重写非易失性存储区的半导体集成电路。该非易失性存储区具有第一非易失性存储区和第二非易失性存储区，它们根据阈值电压的差别来记忆信息。该第一非易失性存储区具有大于第二非易失性存储区的用于记忆信息集的阈值电压的最大变化宽度。当用于记忆信息的阈值电压的最大变化宽度更大时，既然对于存储单元由于存储信息的重写操作的压力变得更大，在保证重写操作的次数方面较差；然而，既然读取电流变得更大，存储信息的读取速度可以被加快。第一非易失性存储区可以被优先考虑以加快存储信息的读取速度并且第二非易失性存储区可以被优先考虑以保证更多的存储信息的重写操作次数。
  • 半导体集成电路
  • [发明专利]存储系统及其操作方法-CN201810347995.7有效
  • 李峻瑞 - 爱思开海力士有限公司
  • 2018-04-18 - 2022-03-18 - G06F11/10
  • 本发明的一个实施例涉及一种存储系统以及存储系统的操作方法，该存储系统包括具有易失性储存区和非易失性储存区的存储器件。该存储系统包括：存储器件，其包括易失性储存区和非易失性储存区；以及控制器，其包括用于在存储系统与主机之间传输数据的第一接口和第二接口，并且控制器适用于通过第一接口在易失性储存区与主机之间传输数据，以及通过第二接口在非易失性储存区与主机之间传输数据，其中控制器还适用于在正常操作模式下，判断从易失性储存区读取的数据中是否发生错误，并且当确定从易失性储存区读取的数据中发生错误时，将易失性储存区的全部数据转储至非易失性储存区的预定第一位置中。
  • 存储系统及其操作方法
  • [发明专利]存储设备和存储设备的操作方法-CN202011294090.1在审
  • 李侊祐;洚振佑;李允宑 - 三星电子株式会社
  • 2020-11-18 - 2021-08-06 - G11C16/26
  • 提供了存储设备和存储设备的操作方法。所述存储设备包括非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括第一存储区和第二存储区。所述存储设备的控制器控制所述非易失性存储装置，并且执行如下读取回收操作：读取存储在所述非易失性存储装置的所述第一存储区中的数据，并将读取到的所述数据写入所述第二存储区。所述控制器还被配置为：在所述读取回收操作中，允许所述非易失性存储装置对所述第一存储区执行样本读取操作，并基于所述样本读取操作的结果确定所述第二存储区中的将要被写入所述数据的位置。
  • 存储设备操作方法
  • [发明专利]非易失性半导体存储器及其操作方法-CN01823579.4无效
  • 崔雄林 - 崔雄林
  • 2001-12-05 - 2004-11-10 - G11C16/04
  • 本发明公开了一种非易失性半导体存储器及其操作方法，存储器包括：具有有源区和场区的半导体衬底；至少两个非易失性存储晶体管，每个非易失性存储晶体管有在有源区的存储器和在存储器的控制栅，每一个控制栅置于单个控制板中；和至少两个选择晶体管，每个选择晶体管对应每个非易失性存储晶体管，每个选择晶体管连接到对应的每个非易失性存储晶体管，用于选择对应的每个非易失性存储晶体管。
  • 非易失性半导体存储器及其操作方法
  • [发明专利]持久性存储器装置及应用持久性存储器装置的方法-CN202310165431.2在审
  • 奇亮奭;朴赞益;柳星旭 - 三星电子株式会社
  • 2023-02-24 - 2023-08-29 - G06F12/0846
  • 公开了一种持久性存储器装置及应用持久性存储器装置的方法。所述持久性存储器装置可包括高速缓存一致性互连接口。所述持久性存储器装置可包括易失性存储设备和非易失性存储设备。易失性存储设备可至少包括第一区域和第二区域。备用电源可被配置为选择性地向易失性存储设备的第二区域提供备用电力。控制器可控制易失性存储设备和非易失性存储设备。所述持久性存储器装置可至少部分地基于用于所述持久性存储器装置的主电力的丢失，在将数据从易失性存储设备的第二区域传送到非易失性存储设备的同时使用备用电源。
  • 持久性存储器装置应用方法
  • [发明专利]一种存储信息的方法及移动终端-CN201610228195.4在审
  • 白浩文;吴章金;彭伟林 - 珠海市魅族科技有限公司
  • 2016-04-12 - 2016-09-07 - G06F12/14
  • 本发明实施例公开了一种存储信息的方法，包括：移动终端获取到的异常信息存储到非易失性存储区，该非易失性存储区为用户不可见存储区，则该非易失性存储区内所存储的数据用户无法通过对系统进行刷机、重启、或清除数据的方式删除非易失性存储区内所存储的数据信息，那么当用户退机或者返修时，用户所返厂的移动终端必然保存了该移动终端内所存储的异常信息，开发人员则能够访问该非易失性存储区从而获取里面所存储的异常信息，进而对移动终端的异常进行定位，从而修复异常问题，提高用户的体验
  • 一种存储信息方法移动终端
  • [发明专利]成像盒芯片、成像盒及数据处理方法-CN201710433132.7有效
  • 康泽华;李博;李桂萍;王晗;汪俊 - 珠海艾派克微电子有限公司
  • 2017-06-09 - 2020-05-05 - G06F3/12
  • 本发明提供了一种成像盒芯片、成像盒及数据处理方法，成像盒芯片包括：非易失性存储模块以及与非易失性存储模块连接的易失性存储模块，非易失性存储模块中存储有芯片的ID，易失性存储模块包括：ID匹配存储区和ID不匹配存储区；ID识别模块判断目标ID与芯片的ID是否匹配；指令判断模块判断访问指令为读指令还是写指令；处理模块根据判断结果，对ID匹配存储区和/或ID不匹配存储区进行访问处理，通过在ID不匹配时调用ID不匹配存储区，用于监视总线上的数据，为判断目标成像盒芯片异常提供了有效地数据监控通道。
  • 成像芯片数据处理方法
  • [发明专利]一种固件升级方法及装置-CN201610620772.4有效
  • 陆舟;于华章 - 飞天诚信科技股份有限公司
  • 2016-08-01 - 2019-02-15 - G06F9/24
  • 所述方法包括：终端设备接收上位机发送来的升级数据包，判断是否为最后一包，否则将升级数据作为缓存数据保存到易失性存储区中，顺序读取长度为预设长度整数倍的缓存数据，根据读取到的缓存数据更新易失性存储区中的第一校验值，并将读取到的缓存数据保存到非易失性存储区中，继续接受上位机发送来的升级数据包；是则将升级数据作为缓存数据保存到易失性存储区中，并根据易失性存储区中的缓存数据更新第一校验值，将缓存数据保存到非易失性存储区中；判断升级数据包中的第二校验值与第一校验值是否相同，是则根据非易失性存储区中的升级数据执行升级操作，否则返回错误码给上位机，结束。
  • 一种升级方法装置
  • [发明专利]半导体器件-CN201710660716.8在审
  • 园田贤一郎;佃荣次;前川径一 - 瑞萨电子株式会社
  • 2017-08-04 - 2018-02-13 - G11C16/04
  • 本文提供的半导体器件能够降低在半导体衬底上形成的存储元件的状态变化的可能性，所述半导体衬底和所述存储元件之间插入有绝缘层。所述半导体器件包括非易失性存储元件和偏压电路。所述非易失性存储元件中的每一个包括漏区和源区，栅电极以及电荷储存层，所述漏区和源区布置成将形成有沟道的半导体区域夹在中间，所述电荷储存层布置在所述栅电极和所述半导体区域之间。所述非易失性存储元件布置在半导体衬底上，且所述非易失性存储元件和所述衬底之间插入有绝缘层。当电子储存在电荷储存层中时，所述偏压电路使所述栅电极和所述漏区与所述源区中的至少一个之间的电势差减小，从而使储存在非易失性存储元件的沟道中的空穴减少。
  • 半导体器件
友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期
咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top