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[发明专利]一种结合3D打印制备Cf-CN201911037267.7有效
发明人：成夙;邵文城;陈腾飞;靳来振;许腾腾 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：一种结合3D打印制备Cf/SiC晶舟的方法，它涉及一种Cf/SiC晶舟及其制备方法。本发明的目的是要解决现有SLS技术制备SiC晶舟预制件存在的密度小，弯曲强度差，且PIP法制备周期长的问题。一种Cf/SiC晶舟，轴对称，包括底部支架、底部侧支架、中间支架、固定装置、上部侧支架、台肩和卡接件。制备；十、浸渍、裂解；十一：重复步骤十操作直到质量增重小于1％为止，得到Cf/SiC晶舟。本发明主要用于制备Cf/SiC晶舟。
一种结合打印制备 base sub

[发明专利]一种高效晶圆片的清洗装置-CN202011615727.2有效
发明人：钱诚;李刚;周兴江 -专利权人：江苏亚电科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效晶圆片的清洗装置，包括清洗桶，所述清洗桶主要由外桶体、内桶体、喷头组成，所述外桶体内侧顶部固定有所述内桶体，所述内桶体内侧顶部设置有向下倾斜的所述喷头，还包括驱动机构，所述驱动机构包括机架本发明通过联动的方式对晶圆进行清洗，实现了一次清洗多个晶圆的功能，提高了清洗效率，还可以在晶圆上升的过程中，利用内桶体内部的清洗液对晶圆进行冲洗，使得外桶体内部的清洗液使用的时间更长，进而实现了节约清洗液的功能；还实现了可以安装不同大小的晶圆，提高了本装置的实用性，还可以通过把插接头从连接头底部拆卸下来，使得安装晶圆时更加的方便。
一种高效晶圆片清洗装置

[发明专利]一种难熔高熵非晶合金材料及其制备方法和应用-CN202111307143.3有效
发明人：韩飞;杨晓东;霍军涛;王军强 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C22C45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种难熔高熵非晶合金材料包括难熔金属元素：Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Re中的三种以上，以及非难熔金属元素：Al、Si、Co、B、Ni中一种或两种，所述难熔高熵非晶合金材料为非晶态结构该难熔高熵非晶合金材料具有较高的耐腐蚀性和机械性能。本发明还公开了该难熔高熵非晶合金材料的制备方法包括按照所述难熔高熵非晶合金材料各元素的原子分数进行配料，熔炼均匀，制成母合金锭；将母合金锭熔化后喷射到转动的铜辊表面，制得难熔高熵非晶合金条带。本发明还公开了该难熔高熵非晶合金材料在核反应堆和核动力，腐蚀环境中管道运输的应用。
一种难熔高熵非晶合金材料及其制备方法应用

[发明专利]一种去除水中硬度的方法和装置-CN201910884947.6有效
发明人：聂小保;王奕睿;蒋昌波;隆院男;肖辉毅 -专利权人：长沙理工大学;长沙上洋科技有限公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C02F5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除水中硬度的方法，高硬度水在进水区与来自沉淀区的微晶混合后，以上向流形式进入结晶区。在结晶区内投加晶种，与来自结晶区中心加药狭缝管的沉淀剂沿程连续混合，结晶反应体系得以维持在较低的离子浓度积水平。在较低离子浓度积条件下，钙镁离子与沉淀剂离子主要在晶种表面进行非均相结晶，均相结晶被有效抑制，微晶产率大幅降低。少量微晶将在沉淀区由斜板层高效分离，之后落入进水区，重新进入结晶区充当晶种。本发明可以实现地下水硬度和浊度的同步达标，晶种一次性投加，无需再次补充，并且结晶单元与沉淀单元有机串联，占地面积小，操作简单。
一种去除水中硬度方法装置

[发明专利]一种全方位检测晶舟盒内晶圆的装置-CN202210299267.X有效
发明人：杨恭乾;路峰;陈天翼 -专利权人：南京伟测半导体科技有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种全方位检测晶舟盒内晶圆的装置，包括能够放置不同尺寸晶舟盒的放置平台，通过支撑杆固定在放置平台上侧的顶部摄像组件；放置平台上呈正方形布置有四个侧方摄像组件，所述侧方摄像组件包括摄像平台，摄像平台上设置有侧方摄像机，所述摄像平台能够驱动侧方摄像机移动；四个侧方摄像组件之间交错布置有卡扣，卡扣能够向着或远离所述放置平台的中心处移动，以对不同尺寸的晶舟盒进行固定；侧方摄像组件一侧设置有扫码枪；顶部摄像机、点位摄像机、侧方摄像机、扫码枪均连接至MES系统处理中心；本发明通过图像识别技术，对晶舟盒内的晶圆摆放情况进行全方位的自动检测，提高晶圆生产过程中的安全性，降低次品率。
一种全方位检测晶舟盒内晶圆装置

[发明专利]用于制作可塑性强的宣传标识产品及其36D晶雕工艺-CN202110210446.7有效
发明人：张志强;徐泽锋;郑成龙;李明亮;张子琴 -专利权人：艺壹佳文化科技（广东）有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C09D11/101 文献下载
摘要：本申请涉及印刷领域，具体公开了一种用于制作可塑性强的宣传标识产品及其36D晶雕工艺。用于制作可塑性强的宣传标识产品的36D晶雕工艺包括以下步骤：步骤1，制备晶雕用油墨：2‑丁基‑4‑羟甲基咪唑溶解于N,N‑二甲基乙酰胺，顺丁烯二酸酐溶解于N,N‑二甲基乙酰胺并通氮气，升温，注入2‑丁基‑4‑羟甲基咪唑，升温保温，冷却，过滤，纯化，得顺丁烯二酸酯，将颜料、顺丁烯二酸酯、稀释剂、助剂研磨，得色浆，将色浆、环氧基丙烯酸酯树脂、光引发剂以及剩余稀释剂混匀，得晶雕用油墨；步骤2，晶雕用油墨印刷：在亚克力板喷涂晶雕用油墨，然后印刷光油层，得可塑性强的宣传标识产品的36D晶雕工艺；本申请具有增强油墨与亚克力板之间附着性的优点。
用于制作可塑性宣传标识产品及其 36 工艺

[发明专利]一种芯片封装结构及芯片封装方法-CN202110231366.X有效
发明人：曾淑文;曹立强;张春艳 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片封装结构及芯片封装方法，芯片封装结构包括：第一重布线结构；位于第一重布线结构一侧表面的第一晶圆，第一晶圆中具有贯穿第一晶圆的容纳腔；位于容纳腔内的芯片，芯片的正面电学连接第一重布线结构把芯片设置在贯穿第一晶圆中的容纳腔内，芯片占用了第一晶圆的空间，且塑封层填充在所述容纳腔内并包围所述芯片，大大降低了塑封层的使用量，可以降低由于塑封层的材料热胀冷缩带来的芯片偏移影响，同时降低晶圆的翘曲度并且容纳腔贯穿第一晶圆，为塑封层提供了形变空间，塑封层的应力能够更好的释放而避免积压芯片。综上提高了芯片封装结构的可靠性。
一种芯片封装结构方法

[发明专利]晶须增强铝合金活塞及制备方法-CN202011428476.7有效
发明人：陈大辉;朱鸿磊;徐英;刘永强;洪晓露;张将;彭银江;侯林冲;朱秀荣 -专利权人：中国兵器科学研究院宁波分院
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： F02F3/00 文献下载
摘要：一种晶须增强铝合金活塞及其制备方法，所述活塞为采用硼酸铝晶须增强的铝合金活塞，其中晶须增强部位为活塞的第一环槽、顶面和喉口部位。制备时通过硼酸铝晶须预制件的结构和定位方式解决了硼酸铝晶须预制件在挤压铸造过程中易开裂的问题，通过销钉和支撑杆配合的支撑方式，解决了盐芯上浮或断裂的问题，通固溶时效处理工艺，解决了纤维预制件与铝基体之间结合面开裂的问题和淬火开裂的问题本发明制备工艺简单合理，制备的晶须增强铝合金活塞的硼酸铝晶须与铝基体结合部位结合牢固无裂纹、无孔隙，活塞基体经热处理后达到了较高的性能，同时具有活塞头部具有高耐热、活塞环槽高耐磨和活塞销孔高强韧的技术特点
增强铝合金活塞制备方法

[发明专利]一种氮、硼掺杂非晶碳中空纤维膜的制备方法-CN202110275151.8有效
发明人：吕燕飞;彭雪;蔡庆锋;赵士超 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： D01F9/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮、硼掺杂非晶碳中空纤维膜的制备方法，本发明采用氨硼烷作为氮、硼掺杂剂，苯甲醚作为非晶碳源，铜纤维为生长基底，通过气相法在基底上制备出氮、硼掺杂非晶碳纤维膜，纤维膜厚度从数纳米厚度到100表面生长有碳纤维膜的铜纤维，经过氯化铁溶解去除后，制备成氮、硼掺杂非晶碳中空纤维膜。本发明以氮、硼为掺杂剂，氮、硼原子的引入，易于非晶碳在铜纤维表面的异质成核；苯甲醚作为碳源，苯甲醚中的氧原子高温下对铜氧化刻蚀，在还原性气体氢的作用下，铜纤维表面粗糙度增加促进非晶碳的生长。制备的氮、硼掺杂非晶碳中空纤维，膜厚度可控、尺寸均匀、膜连续无气孔且表面粗糙度小。
一种掺杂非晶碳中空纤维制备方法

[发明专利]用于单晶炉的导流筒、单晶炉及导流筒的加工方法-CN202110320307.X有效
发明人：王双丽;陈俊宏 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于单晶炉的导流筒、单晶炉导流筒的加工方法，导流筒的内轮廓线包括：第一直线段，第一直线段沿竖直方向延伸；第二直线段，第二直线段的一端与第一直线段的背离坩埚的一端连接，第二直线段的另一端朝向背离晶棒的方向倾斜向上延伸，第二直线段与竖直方向之间的夹角为α，且满足：α≥45°；线段组，线段组包含多个依次连接且倾斜角度不同的直线段，线段组用于将从晶棒传递至线段组上的热量朝向水冷套传递，利用水冷套阻挡热量反向传递至晶棒上。根据本发明的导流筒，可以加速晶棒的冷却，有利于降低晶棒内的热应力，从而可以避免晶棒内部出现孔洞或者差排缺陷，进而可以提升晶棒的生产品质。
用于单晶炉导流加工方法

[发明专利]一种双真空舱室晶圆质子辐照装置及辐照方法-CN202111509361.5有效
发明人：吕银龙;葛涛;王婉琳;张俊新;冯雨;石玉博;郭如勇;孙玺 -专利权人：国核铀业发展有限责任公司;北京核力同创科技有限公司;无锡市核力创芯科技有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G21K5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种双真空舱室晶圆质子辐照装置及辐照方法，所述双真空舱室晶圆质子辐照装置包括：晶圆辐照真空舱和换片真空舱，所述晶圆辐照真空舱和换片真空舱通过连接真空段连通；所述连接真空段外设有屏蔽墙；所述晶圆辐照真空舱设置于辐照厅所述辐照装置非常适合于高能质子辐照，有利于大幅减轻工作人员所受到的射线伤害，可以实现晶圆的均匀化辐照，提高辐照质量，容量大，提高生产效率，保证了晶圆托盘平稳传输，有效到位，不会对大气造成活化，有助于从两个方面提高辐照精度能够实现高性能
一种真空舱室质子辐照装置方法

[发明专利]一种生物活性微晶玻璃及其制备方法和应用-CN202110220071.2有效
发明人：廖运茂;李梅;李祥瑞;董骧 -专利权人：北京纳通医学研究院有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C03C10/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种生物活性微晶玻璃，其包括主晶相和次晶相，所述主晶相为二硅酸锂和/或硅酸锂，所述次晶相包括磷酸锶，所述微晶玻璃包括如下组分：50％～73％SiO2其中，所述微晶玻璃中主晶相质量含量不少于50％，所述次晶相质量含量为3‑12％。本发明的生物活性微晶玻璃成骨活性好，并且具有表面自我修复功能，同时保持了良好的机械性能，能够用于骨科植入和牙科修复。
一种生物活性玻璃及其制备方法应用

[发明专利]一种可提升晶圆干燥效率的排气方法-CN202010125637.9有效
发明人：邓信甫;蔡嘉雄;徐铭;陈佳炜;李志峰 -专利权人：至微半导体（上海）有限公司;江苏启微半导体设备有限公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种可提升晶圆干燥效率的排气方法，提供一晶圆干燥装置，所述晶圆干燥装置包括干燥腔室、用于放置晶圆的晶圆容纳室以及恒温恒压气体供应器，所述干燥腔室被设置为用于保留一种气体，所述干燥腔室包括第一入口和第一出口以及从所述第一入口延伸至第一出口的内壁结构，所述内壁结构包括夹层区；所述晶圆容纳室设置于干燥腔室内部，且包括若干与晶圆片相匹配的洗涤槽。
一种提升干燥效率排气方法

[发明专利]一种正硅酸乙酯包覆的钙钛矿纳米晶的制备方法-CN202011547535.2有效
发明人：周宇峰;向卫东;梁晓娟 -专利权人：温州大学
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种正硅酸乙酯包覆的钙钛矿纳米晶的制备方法，包括如下步骤：(1)获得钙钛矿CsPbX3纳米晶的分散液，其中X代表卤素，所述分散液中钙钛矿CsPbX3纳米晶的浓度为1‑5wt％，溶剂为正己烷和/或甲苯；(2)在步骤(1)的钙钛矿CsPbX3纳米晶的分散液中加入正硅酸乙酯，使钙钛矿CsPbX3纳米晶的分散液与正硅酸乙酯的体积比为100：10～90，充分混合后放入烘箱内干燥得到正硅酸乙酯包覆的钙钛矿纳米晶。本发明制备时间短、原料易得、易于批量生产，制得的正硅酸乙酯包覆的钙钛矿纳米晶具有光学性能好、光稳定性好、组分可调的突出优势。
一种硅酸乙酯包覆钙钛矿纳米制备方法

[发明专利]一种ε-HNIW晶型标准物质晶型纯度定值方法-CN202010856674.7有效
发明人：陈智群;王民昌;胡银;王明;康莹;刘可;栾洁玉;赵娟;潘清;李晓宇;朱一举;张皋;常海;苏鹏飞 -专利权人：西安近代化学研究所
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：本发明提供了一种ε‑HNIW晶型标准物质晶型纯度定值方法，该方法具体包括以下步骤：步骤一、抽取粉末试样；步骤二，分别对ε‑HNIW晶型标准物质中的ε‑HNIW、乙酸乙酯、水分和其它有机杂质进行测试；X射线粉末衍射测试，全谱拟合计算获得ε‑HNIW晶型在所有不同晶型的HNIW中的相对含量；核磁共振测试，核磁共振氢谱加入已知纯度的反丁烯二酸标准法用于测试乙酸乙酯；温台‑库仑测试，温台‑库仑滴定法用于测试微量水分；液相色谱测试，液相色谱归一化法用于测试其它有机杂质；步骤三，对ε‑HNIW晶型标准物质中的ε‑HNIW、乙酸乙酯、水分和其它有机杂质的测试结果进行统计分析获得定值结果。本发明的定值方法质量高、准确可靠、切实可行，可实现高纯度ε‑HNIW晶型标准物质的精确定值。
一种 hniw 标准物质纯度方法