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[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201410494217.2有效
发明人：李杰;李文强 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2014-09-24 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，所述图形传感器包括半导体衬底；位于半导体衬底内的光电二极管阵列，所述光电二极管阵列包括若干行平行排列的光电二极管，每一行包括若干光电二极管，所述光电二极管包括N型掺杂层；所述光电二极管阵列包括暗区和感光区，所述暗区和感光区相邻，所述暗区内包括若干行光电二极管，且所述暗区表面覆盖有金属层；位于感光区内的N型掺杂区，所述N型掺杂区至少位于最接近暗区边缘处的一行光电二极管下方、且包围该行的光电二极管的N型掺杂层，所述N型掺杂区与N型掺杂层连接。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]用于高动态范围图像传感器的图像传感器像素-CN201410074474.0有效
发明人：柳政澔;真锅宗平 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种用于高动态范围图像传感器的图像传感器像素包含第一光电二极管及第二光电二极管。所述第一光电二极管包含第一经掺杂区、第一经轻掺杂区及安置于所述第一经掺杂区与所述第一经轻掺杂区之间的第一经高掺杂区。所述第二光电二极管具有实质上等于所述第一光电二极管的第一全阱容量的第二全阱容量。所述第二光电二极管包含第二经掺杂区、第二经轻掺杂区及安置于所述第二经掺杂区与所述第二经轻掺杂区之间的第二经高掺杂区。所述第一光电二极管可用于测量低光且所述第二光电二极管可用于测量亮光。
用于动态范围图像传感器像素

[发明专利]用于高动态范围图像传感器的图像传感器像素-CN201710719643.5有效
发明人：柳政澔;真锅宗平 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种用于高动态范围图像传感器的图像传感器像素包含第一光电二极管及第二光电二极管。所述第一光电二极管包含第一经掺杂区、第一经轻掺杂区及安置于所述第一经掺杂区与所述第一经轻掺杂区之间的第一经高掺杂区。所述第二光电二极管具有实质上等于所述第一光电二极管的第一全阱容量的第二全阱容量。所述第二光电二极管包含第二经掺杂区、第二经轻掺杂区及安置于所述第二经掺杂区与所述第二经轻掺杂区之间的第二经高掺杂区。所述第一光电二极管可用于测量低光且所述第二光电二极管可用于测量亮光。
用于动态范围图像传感器像素

[发明专利]用于高动态范围图像传感器的图像传感器像素-CN201710719097.5有效
发明人：柳政澔;真锅宗平 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种用于高动态范围图像传感器的图像传感器像素包含第一光电二极管及第二光电二极管。所述第一光电二极管包含第一经掺杂区、第一经轻掺杂区及安置于所述第一经掺杂区与所述第一经轻掺杂区之间的第一经高掺杂区。所述第二光电二极管具有实质上等于所述第一光电二极管的第一全阱容量的第二全阱容量。所述第二光电二极管包含第二经掺杂区、第二经轻掺杂区及安置于所述第二经掺杂区与所述第二经轻掺杂区之间的第二经高掺杂区。所述第一光电二极管可用于测量低光且所述第二光电二极管可用于测量亮光。
用于动态范围图像传感器像素

[发明专利]一种雪崩光电二极管和光电倍增管探测器-CN202110412278.X有效
发明人：胡海帆;秦秀波;赵宏鸣;刘鹏浩;李志垚;马喆;肖柯 -专利权人：中国航天科工集团第二研究院
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开一种雪崩光电二极管和光电倍增管探测器，涉及辐射探测或弱光探测技术领域，以解决探测器探测效率低的问题。所述雪崩光电二极管包括衬底和入射光抗反射层，衬底包括多个掺杂区，掺杂区是在衬底掺入杂质离子所形成的，掺杂区包括光线入射端P型重掺杂区、N型重掺杂区、P型重掺杂区、P型掺杂区和P型低掺杂区。所述光电倍增管探测器包括多个雪崩光电二极管单元，多个雪崩光电二极管单元并联连接，每一雪崩光电二极管单元均包括淬灭电阻和上述技术方案所涉及的雪崩光电二极管，雪崩光电二极管和淬灭电阻串联连接。本发明提供的雪崩光电二极管和光电倍增管探测器用于辐射探测或弱光探测中。
一种雪崩光电二极管光电倍增管探测器

[发明专利]一种雪崩光电二极管和光电倍增管探测器-CN202110412276.0有效
发明人：胡海帆;秦秀波;刘鹏浩;赵宏鸣;李志垚;马喆;王智斌 -专利权人：中国航天科工集团第二研究院
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开一种雪崩光电二极管和光电倍增管探测器，涉及辐射探测或弱光探测技术领域，以解决探测器探测效率低的问题。所述雪崩光电二极管包括衬底和入射光抗反射层，衬底包括多个掺杂区，掺杂区是在衬底掺入杂质离子所形成的，掺杂区包括光线入射端P型重掺杂区、N型重掺杂区、P型重掺杂区、P型掺杂区和P型低掺杂区。所述光电倍增管探测器包括多个雪崩光电二极管单元，多个雪崩光电二极管单元并联连接，每一雪崩光电二极管单元均包括淬灭电阻和上述技术方案所涉及的雪崩光电二极管，雪崩光电二极管和淬灭电阻串联连接。本发明提供的雪崩光电二极管和光电倍增管探测器用于辐射探测或弱光探测中。
一种雪崩光电二极管光电倍增管探测器

[实用新型]一种晶体管结构-CN201922237511.6有效
发明人：蔡俊飞 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种晶体管结构。该晶体管结构包括光电二极管和三极管，光电二极管包括P型区和N型区，光电二极管的P型区和N型区为重掺杂区域，三极管的发射区为重掺杂区域，光电二极管的P型区或N型区与三极管的发射区联结。本实用新型实施例的技术方案通过将光电二极管的P型区或N型区与三极管的发射区联结，将光电二极管产生的微弱的光电流经过三极管放大后输出，可以实现放大光电流，提高光电二极管的光电转换效率。
一种晶体管结构

[发明专利]单行载流子光电二极管的收集区结构-CN201611152276.7有效
发明人：张戎;姚辰;符张龙;曹俊诚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种单行载流子光电二极管的收集区结构，所述收集区结构包括掺杂区和非掺杂区，其中，所述掺杂区靠近吸收区一侧。通过本发明提供的单行载流子光电二极管的收集区结构，解决了现有单行载流子光电二极管因空间电荷效应饱和电流较小的问题，进一步提升了单行载流子光电二极管的饱和电流。
单行载流子光电二极管收集结构

[发明专利]图像传感器像素结构及其制备方法-CN202211394999.3有效
发明人：孙国元;林豫立 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种图像传感器像素结构及其制备方法，包括：衬底；光电二极管，位于衬底中，相邻的光电二极管之间形成有沟槽隔离结构；U型掺杂区，位于衬底中且包裹光电二极管的底面和侧面，U型掺杂区包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，其中，第一掺杂区和第二掺杂区沿衬底的厚度方向自上而下的排列以包裹光电二极管的侧面，第三掺杂区包裹光电二极管的底面且与第二掺杂区相接，并且第一掺杂区和第三掺杂区的掺杂浓度均大于第二掺杂区的掺杂浓度，第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区的掺杂浓度均大于衬底的掺杂浓度，以形成U型电场；本发明能够提高像素的信噪比，以提高像素质量。
图像传感器像素结构及其制备方法

[发明专利]光电二极管、其制作方法及包括其的图像传感器-CN201410126908.7在审
发明人：宋化龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电二极管、其制作方法及包括其的图像传感器。其中，光电二极管，包括掺杂在衬底上表面上的第一掺杂区，以及掺杂在第一掺杂区上表面上的第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区的导电类型不同，第一掺杂区的上表面上具有一个或多个向外凸起或向内凹陷的表面变化部，第二掺杂区设置在第一掺杂区的上表面上该光电二极管在光电二极管中第二掺杂区在衬底上所占区域的横截面积不变的情况下，增加了第二掺杂区的表面积，进而增加了光电二极管的有效感光面积及填充因子。
光电二极管制作方法包括图像传感器

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200610024869.5有效
发明人：杨建平;霍介光;辛春艳;蔡巧明;吴永皓 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-03-20 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种CMOS图像传感器包括光电二极管区和逻辑区，光电二极管区包括复位晶体管与光电二极管，光电二极管具有第一极与第二极，第一极具有环绕场氧化区下方及侧壁的掩埋区，以及至掩埋区上端向复位晶体管方向延伸的针形区相应，CMOS图像传感器的制造方法包括：形成限定场区和有源区的沟槽；形成掺杂区；在沟槽及掺杂区的下方注入第一杂质离子形成光电二极管的第一极的掩埋区及针形区；在沟槽内填入硅氧化物质形成场氧化区；在第一极的上方注入第二杂质离子形成光电二极管的第二极本发明的掩埋区将光电二极管的节与场氧化区底部和边缘隔离，从而消除了场氧化区底部和边缘可能存在的暗电流，针形区由于没有被场氧化区覆盖，而对光具有极高的敏感度。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]光电传感器组件及用于提供光电传感器组件的方法-CN201110429407.2有效
发明人： G·S·泽曼;J·考策尔;F·塞伊德 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及光电传感器组件及用于提供光电传感器组件的方法。光电二极管组件包括半导体衬底、光电二极管单元、接地扩散区和保护带。该光电二极管单元包括衬底的用第一类型掺杂剂掺杂的第一体积。该接地扩散区包括衬底的用第二、相反类型掺杂剂掺杂的第二体积。该保护带设置在该衬底中并且至少部分围绕该光电二极管单元的外围延伸。该保护带包括衬底的用该第一类型掺杂剂掺杂的第三体积。该接地扩散区或该保护带中的至少一个与接地参考传导地耦合以传导从该光电二极管单元漂移通过该衬底的电子或空穴中的一个或多个。该保护带可比该接地扩散区更接近该光电二极管设置。
光电传感器组件用于提供方法

[发明专利]光电二极管及其制作方法-CN201810308997.5在审
发明人：柯天麒;刘少东 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电二极管及其制作方法，所述光电二极管包括：半导体衬底，所述半导体衬底的表面具有规则排布的凸块和凹面；第一掺杂区，包括所述凸块以及与所述凸块邻接的凹面；第二掺杂区，覆盖所述第一掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂类型相反所述光电二极管还包括覆盖所述第二掺杂区的介质层。所述的光电二极管应用于CMOS图像传感器，改进了量子转换效率，提高了CMOS图像传感器的性能。
掺杂区光电二极管凸块凹面衬底半导体量子转换效率掺杂类型规则排布介质层邻接覆盖制作应用改进

[发明专利]电子成像装置及其制备方法、柔性电子复眼及其制备方法-CN201810558990.9有效
发明人：李颖祎 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：该电子成像装置包括衬底基板以及阵列排布在所述衬底基板表面的多个感光单元，所述感光单元包括串联相接的光电二极管和整流二极管；其中，所述光电二极管包括第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区，所述整流二极管包括第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区，且所述光电二极管和所述整流二极管共用同一第一导电类型掺杂区。
掺杂区电子成像装置制备第一导电类型光电二极管整流二极管复眼衬底基板导电类型感光单元柔性电子电子成像技术立体成像阵列排布串联

[发明专利]多位半导体存储单元、存储阵列及其操作方法-CN202010861590.2在审
发明人：赵立新;李杰;张浩然 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G11C11/36 文献下载
摘要：本发明提供一种多位半导体存储单元、存储阵列及其操作方法，其中，所述多位半导体存储单元，包括：钉扎二极管、控制晶体管和浮置扩散区，利用所述钉扎二极管进行电荷的存储；其中，所述钉扎二极管由：光电二极管的N阱区和P型表面掺杂区组成，或由光电二极管的P阱区和N型表面掺杂区组成。本发明中采用光电二极管的N阱区或光电二极管的P阱区作为存储电荷单元。在本发明所提供的技术多位半导体存储单元中，存储单元可存储的电荷量由掺杂剂量决定，因此存储量可控。
半导体存储单元阵列及其操作方法

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