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- [发明专利]可编程阻抗存储器器件-CN03826160.X有效
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户田春希
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株式会社东芝
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2003-03-18
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2006-04-12
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G11C11/36
- 可编程阻抗存储器器件，包括：半导体衬底；在该半导体衬底上形成的、其中布置了存储器单元的至少一个单元阵列，每个存储器单元具有可编程阻抗元件和存取元件的层叠结构，该可编程阻抗元件以非易失性方式存储由电压应用的极性所确定的高阻抗状态或者低阻抗状态，该存取元件具有这样的在某一电压范围内、在截止状态的阻抗值，该阻抗值是在选择状态的阻抗值的十倍或更多；以及，位于单元阵列下面、在半导体衬底上形成的读/写电路，其用于与单元阵列相联系的数据读取和数据写入。
- 可编程阻抗存储器器件
- [发明专利]存储单元-CN03825092.6无效
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巴里·H·哈里森;西马·迪米特里耶夫
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格里菲斯大学
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2003-09-12
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2005-11-09
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G11C11/36
- 一种利用碳化硅(SiC)，以提供不平衡的电荷隔离以及快速和非破坏性的充电/放电的一晶体管(1T)NVRAM单元。为了能够检测受控制的电阻(和许多存储器电平)而不是电容器，单元引入可以用硅或SiC实现的存储晶体管。1T单元具有二极管隔离，以便能够实现在目前的快闪存储器中使用的结构，特别是NOR和NAND阵列。具有二极管隔离的1T单元并不局限于SiC二极管。制造方法包括在SiC衬底上形成氮化的二氧化硅栅极，并随后进行离子注入，然后完成自对准MOSFET形成的步骤。
- 存储单元
- [实用新型]单电子二极管存储器-CN00229473.7无效
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李志扬;刘武
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华中师范大学
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2000-03-21
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2001-09-12
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G11C11/36
- 本实用新型主要结构如附图所示，纳米量子点5等间隔地放置在电极1和电极3之间，组成两个对称的串联隧道结。它通过脉冲电压Vp，使得n个电子隧道进入纳米量子点2存储起来，实现电学“写”，同时利用电流I检测纳米量子点2上所存储电子的多少，实现电学“读”。本实用新型结构简单，可采用金属材料制作，从而突破了对半导体工艺的依赖，以其为基本单元可制作超高密度、超快速度、超低功耗的大规模存储器阵列。适用于集成电路芯片、计算机CPU、计算机内存、军用、工业和民用电子仪器仪表等许多领域。
- 电子二极管存储器
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