“光刻技术”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9472493个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于二茂金属化合物的光刻胶及其制备方法和应用-CN201911167289.5有效
发明人：杨国强;玉佳婷;陈龙;王亚飞;郭旭东;胡睿;王双青 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C07F17/00 文献下载
摘要：本发明属于光刻胶技术领域，具体涉及基于二茂金属化合物的光刻胶及其制备方法和应用。本发明的二茂金属化合物采用金属为中心核结构，因此具有较高的熔点和玻璃化转变温度，能够满足光刻技术要求，且结构稳定，在高温烘烤中薄膜结构无变化。此外，本发明的光刻胶组合物可以用于248nm光刻、193nm光刻、极紫外(EUV)光刻、纳米压印光刻(NIL)和电子束光刻(EBL)等现代光刻工艺中。尤其适合使用于极紫外(EUV)光刻工艺中。
基于金属化合物光刻及其制备方法应用

[发明专利]一种渐隐式光刻工艺-CN202210666766.8在审
发明人：曹伟;彭华桂;邓建发 -专利权人：虎彩印艺股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及光刻技术领域，具体涉及一种渐隐式光刻工艺，包括如下步骤：S1、根据需求做出图案；S2、将图案中的铂金部分和彩色部分分离，得到两幅图，一幅图按照光刻机铂金系统所需存成对应格式图案，另一幅存成普通光刻系统所需格式图案；S3、将两幅图分别输入对应的光刻系统中进行光刻；S4、待光刻完成后取出胶板，采用显影液显影、烘干、电铸处理，得到光刻母版；S5、根据印刷载体，将光刻母片的图案转印至定位转移膜、电化铝、复合纸或薄膜上。本发明的隐式光刻工艺完美的将普通光刻技术和铂金光刻技术融合起来，使得到的产品防伪性能更强，应用范围更广，铂金光刻有靓丽的铂金光泽，展示效果突出，铂金光刻纹路细腻，解析度高。
一种渐隐光刻工艺

[发明专利]一种基于双层光刻胶的光刻方法-CN202110653553.7在审
发明人：高艺佼 -专利权人：上海微起光电科技有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于双层光刻胶的光刻方法，该方法包括以下步骤：(1)在基底上涂抹一层正性光刻胶，并烘干；再在正性光刻胶上涂抹一层负性光刻胶，并烘干；(2)在曝光光源下，透过载有模板图案的光刻掩膜版或者通过聚焦光源直写，对两层光刻胶进行单次曝光，然后进行烘干；(3)用负胶显影液对负性光刻胶进行显影；(4)用正胶显影液对正性光刻胶进行可控显影；(5)通过材料沉积技术或者刻蚀技术，将轮廓线图案转移到基底材料上；(6)去除光刻胶与现有单次曝光的光刻技术相比，本发明方法简单，通过图案轮廓化，实现比传统技术更高小的线宽，该方法可广泛应用于半导体工艺，并具有广泛研究和应用价值。
一种基于双层光刻方法

[发明专利]光刻参数调整方法及装置、掩膜板-CN201710071675.9有效
发明人：黎午升;曹占锋 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本发明公开一种光刻参数调整方法及装置、掩膜板，属于光刻技术领域。该方法包括：通过光刻工艺在第一基板上形成光刻胶图形，光刻胶图形包括光刻检测图形；根据光刻检测图形，判断是否需要对光刻工艺的光刻参数进行调整；在需要对光刻参数进行调整时，对光刻参数进行调整。本发明解决了光刻参数的可靠性较低的问题，提高了光刻参数的可靠性。本发明用于光刻参数调整。
光刻参数调整方法装置掩膜板

[实用新型]一种柔性面板连续无掩膜光刻装置-CN201320236691.6有效
发明人：梅文辉;杜卫冲 -专利权人：中山新诺科技有限公司
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于柔性面板连续无掩膜光刻方法的柔性面板连续无掩膜光刻装置，其技术方案的要点是，包括基座，所述的基座上设有光刻基板，所述的光刻基板上方设有光刻组件，所述的光刻基板的两侧分别设有卷出装置和收卷装置，所述的光刻基板上设有抽气定位孔，所述的光刻基板的下方设有与所述的抽气定位孔相通的抽吸装置。本实用新型目的是克服了现有技术的不足，提供一种能连续无掩膜光刻柔性面板的柔性面板连续无掩膜光刻装置。
一种柔性面板连续无掩膜光刻装置

[发明专利]一种光刻胶及光刻胶图案的制作方法-CN201811351459.0在审
发明人：刘明;左岳平;孟秋华;王纯阳;方飞 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种光刻胶及光刻胶图案的制作方法，涉及光刻胶技术领域，能够解决相关技术中由于光刻胶顶部与底部接受光照量不同而造成的光刻胶坡度角较小，进而造成Mask CD与FICD之间存在较大误差的问题所述光刻胶包括多个感光单元，每个感光单元均具有磁性。本发明用于光刻胶图案的制作。
光刻胶光刻胶图案感光单元制作光刻胶技术大误差光照量坡度角

[发明专利]离子束刻蚀方法及芯片-CN202210635650.8在审
发明人：田金鹏;张文伟;杨光帅;侯文宇;贾原;宋秋明 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及芯片制造技术领域，具体公开一种离子束刻蚀方法和芯片。其中，所述离子束刻蚀方法包括以下步骤：提供基板，在所述基板的上表面覆盖待被刻蚀的材料；在所述材料的上表面覆盖光刻胶，所述光刻胶包括第一光刻胶和第二光刻胶，将所述第一光刻胶覆盖于所述材料的上表面，并对所述第一光刻胶进行固化处理后将所述第二光刻胶覆盖于所述第一光刻胶的上表面，所述第一光刻胶包括LOR光刻胶和PMGI光刻胶中的任一种；通过光刻蚀对所述材料进行图形化处理。通过该方法解决了现有光刻技术后续除胶困难的问题。
离子束刻蚀方法芯片

[发明专利]一种光刻对准标记的制备方法-CN201510535381.8有效
发明人：陈辉;宋里千;程银华;郭可;刘鹏飞;岳金亮 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻对准标记的制备方法，属于功率半导体器件技术领域，以解决在功率半导体器件制造过程中，光刻对准标记受到影响导致功率半导体器件后续制备工艺的精度下降的技术问题。该光刻对准标记的制备方法包括：通过第一次光刻工艺，形成光刻对准标记本体；在所述光刻对准标记本体上，形成绝缘层；通过第二次光刻工艺，对所述绝缘层进行刻蚀，形成覆盖所述光刻对准标记本体的保护膜，得到所需的光刻对准标记
一种光刻对准标记制备方法

[发明专利]一种光刻胶组合物及其制备方法和应用-CN201110274041.6有效
发明人：张亚非;陶焘;魏浩;胡南滔 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻胶组合物，本发明还涉及这种光刻胶组合物的制备方法，本发明还涉及这种光刻胶组合物的应用。本发明的光刻胶组合物，包括光刻胶和金属盐类光致发光离子；所述光刻胶作为连续相；所述金属盐类光致发光离子作为分散相，所述金属盐类光致发光离子在所述光刻胶中的质量体积浓度为0.0005～0.004g/mL。一种光刻胶组合物的制备方法，先用有机溶剂溶解所述金属盐类光致发光离子，然后与所述光刻胶混溶，混合均匀后，再加热蒸发掉所述有机溶剂。所述光刻胶组合物应用于集成电路光刻。本发明解决了现有技术中光刻胶的光刻分辨率低、光刻小尺寸器件时线条边缘往往不平整光滑的技术问题。
一种光刻组合及其制备方法应用

[发明专利]一类硫鎓盐键合苯多酚型分子玻璃光刻胶及其制备方法和应用-CN201611105094.4有效
发明人：杨国强;袁华;许箭;彭晓曼;王亮乾;王双青 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： C07C309/04 文献下载
摘要：本发明涉及一类硫鎓盐键合苯多酚型分子玻璃光刻胶及其制备方法和应用。所述硫鎓盐键合苯多酚型分子玻璃光刻胶是立体不对称的无定形小分子化合物，具有较高的熔点和玻璃化转变温度(熔点均高于100℃)，能够满足光刻技术要求，在高温烘烤中薄膜结构无变化。该类化合物可以单独或与其他光刻胶、光致产酸剂、交联剂等复配成正性或负性光刻胶，在基片上通过旋涂法可制得厚度均匀的光刻胶涂层。该光刻胶配方可用于365nm光刻、248nm光刻、193nm光刻、极紫外光刻及电子束光刻等现代光刻技术中，尤其适用于极紫外光刻工艺中。
光刻胶分子玻璃硫鎓盐多酚光刻键合制备方法和应用熔点极紫外光刻光刻技术小分子化合物玻璃化转变电子束光刻负性光刻胶光刻胶配方光刻胶涂层光致产酸剂薄膜结构高温烘烤厚度均匀不对称交联剂无变化无定形旋涂法复配可用正性

[发明专利]一种用于非接触、点扫描曝光的SP光刻静电微距悬浮结构方案-CN201810787649.0在审
发明人：王皓;褚佳伟;王广平;望凯力;吕亦乐 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种用于非接触、点扫描曝光的SP光刻静电微距悬浮结构方案，其方案通过静电排斥原理实现光刻探针头与下电极(感光面)之间悬浮，悬浮间距可达到SP光刻技术要求的1nm量级～10nm量级，并通过上电极与下电极(感光面)之间电容差动变化，实现对光刻探针头与下电极(感光面)之间悬浮间距的检测。这种静电悬浮技术有效克服了SP光刻技术中如何形成微悬浮间距难题。将该方案运用于某种光刻机上，在进行预调平后，便能通过此技术使得在光刻过程中光刻探针头始终与下电极(感光面)平行。
光刻感光面下电极悬浮探针头光刻技术悬浮结构静电点扫描非接触微距差动变化光刻过程静电排斥静电悬浮原理实现曝光电极电容预调平行检测

[发明专利]一种封装电镀金属精细线路的方法-CN202211221805.X在审
发明人：黄真瑞;殷美庆 -专利权人：广东赛昉科技有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种封装电镀金属精细线路的方法，包括以下操作步骤：一次倒梯形光刻图案制作：通过光刻技术，在基板上制作图形，Seed layer制作：通过溅射等工艺制作seed layer，电镀加厚：采用电镀的方式对线路进行加厚处理，光刻胶去除：去除一次光刻胶，二次光刻图形：对需要保留的线路进行二次光刻胶保护，蚀刻：通过湿法刻蚀技术，去除非精细线路间与不同unit间用于电镀导电的线路，再次去除光刻胶，形成封装电镀金属精细线路。本发明所述的一种封装电镀金属精细线路的方法，通过二次光刻技术，实现光刻CD和线路成品CD保持一致，无需进行额外CD补偿，降低光刻机技术需求和成本；精细线路无undercut，性能更优异；无需干刻技术，具有成本优势
一种封装电镀金属精细线路方法

[发明专利]光刻图形形成方法、装置、电子设备和可读存储介质-CN202211449698.6在审
发明人：陈恩浩;汪珊;周创 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种光刻图形形成方法、装置、电子设备和可读存储介质，涉及集成电路技术领域。其中，光刻图形形成方法包括：基于待光刻层需绘制的目标图形的图形特征，配置出对应的多组光刻修整操作；执行所述多组光刻修整操作，得到对应的多组光刻图形，以由所述多组光刻图形构成所述目标图形，其中，所述多组光刻图形中的至少两组光刻于所述待光刻层的表面上通过本公开的技术方案，能够将复杂的目标图形拆分为多个较简单的子图形，而简单的子图形有利于降低对工艺窗口的极限要求，进而保证光刻成型的轮廓、线宽粗糙度以及边缘粗糙度等参数的质量，以降低光刻过程产生缺陷的概率
光刻图形形成方法装置电子设备可读存储介质

[实用新型]一种光刻设备-CN202122568625.6有效
发明人：陈国军;吴景舟;马迪 -专利权人：江苏迪盛智能科技有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及光刻技术领域，尤其涉及一种光刻设备，包括机台组件、支撑架和光刻组件，其中机台组件包括基准台和载物板，载物板设置在基准台上，载物板用于放置待加工件；支撑架设置在基准台上，支撑架与载物板能够沿第一方向相对运动；光刻组件设置在支撑架上，用于投射光刻光斑，光刻组件与载物板能够沿第二方向相对运动，第二方向与第一方向呈夹角设置。相较于现有技术中只能在一个方向上移动光刻的光刻设备，本实用新型提供的光刻设备能够在两个方向上移动光刻组件进行光刻，使得光刻效率更高。
一种光刻设备

[发明专利]一种精确缩短节距值的自溯源光栅标准物质制备方法-CN202010575620.3有效
发明人：程鑫彬;邓晓;刘杰;顾振杰;李同保;赵俊;杨树敏;吴衍青;邰仁忠 -专利权人：同济大学;中国科学院上海应用物理研究所
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种精确缩短节距值的自溯源光栅标准物质制备方法，该方法基于激光汇聚原子沉积技术和软X射线干涉光刻技术，制备百纳米尺度及以下的小节距溯源标准物质，包括以下步骤：1)获取掩膜版基板；2)采用激光汇聚原子沉积技术，在掩膜版基板上，沉积制备掩膜版；3)获取光刻胶样品，该光刻胶样品包括光刻胶和第二衬底；采用掩膜版，通过软X射线干涉光刻技术，对光刻胶进行曝光和显影，得到光刻胶光栅结构；4)将光刻胶光栅结构转移到第二衬底上与现有技术相比，本发明制备的自溯源光栅标准物质具有高精度、溯源性和精确缩短节距值等优点。
一种精确缩短节距值溯源光栅标准物质制备方法