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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[其他]微细光刻技术-CN86101809无效
发明人：胡思福 -专利权人：成都电讯工程学院
申请日： 1986-03-15 - 公布日： 1987-10-07 - 主分类号： G03F7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种微细光刻技术，为制造大规模集成电路、微波半导体器件、激光器、精密传感器等提供了一种新的紫外光衍射缩小曝光方法。本法不需要采用复杂的光学透镜系统，而且使图形的分辩率可达到光学投影曝光的水平，此种曝光技术具有等量缩小的特点，可按需要进行1～5倍的缩小曝光。可以加工3～0.7微米的精细图形。
微细光刻技术

[发明专利]光刻技术方法-CN200680032459.3无效
发明人：彼得·桑德贝尔根;耶罗恩·H·拉默斯;戴维·范斯滕温克尔 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2006-09-05 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻图案成形的方法。
光刻技术方法

[发明专利]光刻技术方法-CN200680032449.X无效
发明人：彼得·桑德贝尔根;耶罗恩·H·拉默斯;戴维·范斯滕温克尔 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2006-09-05 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：为了成形的光致抗蚀剂的强度，本发明提供了一种光刻图案成形方法。
光刻技术方法

[发明专利]低成本光刻技术-CN03108107.X无效
发明人：张国飙 -专利权人：张国飙
申请日： 2003-03-19 - 公布日： 2003-10-01 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提出的低成本光刻技术基于两种方案：1.使用低精度的nF开口掩模版(开口大小～nF，n＞1)形成高精度的开口类图形(开口大小～1F)；2.通过使用运算型光刻系统和/或光刻编程系统来提高掩模版的再使用率它可以用来实现光刻编程集成电路等。低成本光刻技术中的图形分布还能应用到高精度掩模版中，实现高阶修正掩模版(即对掩模版图形进行高阶修正)和掩模版的冗余修复(即通过冗余掩模图形来修复有缺陷的掩模版)。
低成本光刻技术

[发明专利]光刻技术显影成分及用于光刻技术图案化的方法-CN201510860952.5有效
发明人：赖韦翰;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光刻技术显影成分及用于光刻技术图案化之方法，用于光刻技术图案化之方法包括以下步骤：提供基板；在此基板之上形成材料层；将此材料层的一部分暴露于辐射；且在显影剂中移除此材料层的一未暴露部分，产生图案化材料层由此显影剂所形成的抗蚀剂图案具有低的线边缘粗糙度及线宽度粗糙度，因此，本发明的显影剂能够在光刻工艺中提供高的图案保真度。
光刻技术显影成分用于图案方法

[发明专利]体积式微光刻技术-CN202080094196.9在审
发明人： A·科斯坚科 -专利权人：光合有限责任公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：描述了用于体积式微光刻的系统和方法，其中该方法可以包括接收三维目标结构的数据表示，并确定光敏介质体积或构建体积中的多个平面，该多个平面中的每个平面与构建体积中多个深度中的相应深度相关，该多个深度是沿曝光系统的光轴定义
体积式微光刻技术

[发明专利]去除光刻膜的技术-CN200510030309.6有效
发明人：王润顺;王超;郑莲晃 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了用于去除半导体器件制造过程中使用的光刻膜的技术。第一处理室的衬底支撑部件包括至少三个可缩进针脚，所述至少三个可缩进针脚可以将晶圆抬离衬底支撑部件的表面。
去除光刻技术

[发明专利]流体压力刻印光刻技术-CN01812944.7有效
发明人：斯蒂芬·Y·周 -专利权人：纳诺尼克斯公司
申请日： 2001-07-02 - 公布日： 2003-11-19 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种改善的刻印光刻方法包括使用定向流体压力把模型压入一衬底支撑的薄膜(A)中。最好是模型和/或衬底足够地有弹性以在流体压力(C)下提供广的区域接触。
流体压力刻印光刻技术

[发明专利]原子层沉积光刻技术-CN201380009300.X无效
发明人： B·吴;A·库玛;O·那拉玛苏 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在本揭示案中提供执行原子层沉积光刻工艺的方法与设备。
原子沉积光刻技术

[发明专利]光刻技术用防尘薄膜组件-CN201310726595.4有效
发明人：白崎享 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻技术用防尘薄膜组件,在防尘薄膜组件的处理中，即使在因防尘薄膜的张力下降导致防尘薄膜松弛的情况下也不会使防尘薄膜受到损伤。本发明是一种光刻技术用防尘薄膜组件，其具有防尘薄膜和防尘薄膜组件框架，所述防尘薄膜绷紧设置于所述防尘薄膜组件框架的上端表面，其特征在于，绷设有所述防尘薄膜的所述防尘薄膜组件框架的膜侧内切削面的角度小于45
光刻技术防尘薄膜组件

[发明专利]浸润式光刻技术的方法-CN200610075346.3无效
发明人：林思闽 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-04-10 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种浸润式光刻技术的方法，在施用浸润液(体)的同时，利用一预先处理程序，经由(区域性地)预先处理部分晶片表面，而使得被处理的晶片表面可轻易被后续施用的浸润液(体)所湿润。
浸润光刻技术方法

[发明专利]双重图案化光刻技术-CN201180076082.2有效
发明人： C·H·华莱士;S·希瓦库马;M·L·廷吉;C·D·穆纳辛哈;N·M·拉哈尔-乌拉比 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：公开了用于在图案层之间使用阻挡层的光刻特征的双重图案化的技术。在一些情况下，例如该技术可以以一维或二维光刻特征的双重图案化来实施。在一些实施例中，在其上涂覆第二光致抗蚀剂图案之前，沉积阻挡层以保护第一光致抗蚀剂，和/或调整(例如缩小)借助光刻工艺要在衬底或其他适合的表面中形成的沟槽、孔或其他可蚀刻的几何特征的一个或多个关键尺寸。在一些实施例中，可以实施该技术以生成/印刷小特征(例如小于或等于约100nm)，包括不同复杂度的一维和二维特征/结构。
双重图案光刻技术

[发明专利]用于光刻技术的检查方法-CN201080020718.7有效
发明人： A·邓鲍夫;H·克拉莫;P·海恩 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2010-05-04 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种方法用以确定在衬底上的光刻工艺中使用的光刻设备的聚焦。光刻工艺用以在衬底上形成至少两个周期结构。每个结构具有至少一个特征，所述至少一个特征具有以衬底上的光刻设备的聚焦的不同函数变化的、在相对的侧壁角之间的不对称度。测量通过引导辐射束到至少两个周期结构上而产生的光谱，并确定不对称度的比值。
用于光刻技术检查方法

[发明专利]用于图形化不同宽度的线的复合光学光刻方法-CN200480038478.8无效
发明人：亚恩·博罗多夫斯基 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2004-10-18 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种复合图形化技术可以包括两个光刻过程。第一光刻过程可以使用干涉光刻在光致抗蚀剂上形成具有基本相等宽度的线和间隙的干涉图形。第二光刻过程可以使用一种或更多种非干涉光刻技术，例如光学光刻、压印光刻和电子束光刻，来打断图形化的线的连续性，并形成预期的集成电路特征。
用于图形不同宽度复合光学光刻方法

[发明专利]半导体工艺中光刻机台的控制方法及装置-CN200910090371.2有效
发明人：李劲;詹祥宇 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2009-08-06 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体工艺中光刻机台的控制方法及装置，主要技术方案包括：确定待光刻半导体产品对应的描述信息；根据预设的描述信息与光刻机台控制信息的对应关系，获取与所述描述信息对应的光刻机台控制信息；根据所述光刻机台控制信息确定执行各工步光刻的光刻机台信息，并利用与所述光刻机台信息对应的光刻机台执行对所述半导体产品各工步的光刻，采用该技术方案，提高了对半导体产品进行光刻的准确度，从而保证了产品性能。
半导体工艺光刻机台控制方法装置

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