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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]隔离结构和包含隔离结构的元件结构-CN201110285269.5有效
发明人：李仲仁;任兴华;江昱德 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种隔离结构和包含隔离结构的元件结构，包括配置在半导体基底的沟渠中且导电型和基底相同的掺杂半导体层、介于掺杂半导体层和半导体基底之间的栅介电层，以及半导体基底中以从掺杂半导体层穿过栅介电层而来的掺质扩散而形成的扩散区一种元件结构，包括上述隔离结构，以及在隔离结构旁的基底中的垂直晶体管。此垂直晶体管包含位于扩散区旁的第一源/漏极区，以及位于第一源/漏极区上方的第二源/漏极区。
隔离结构包含元件

[发明专利]用于服装的热隔离结构-CN201510024773.8有效
发明人：蒂姆·莫德 -专利权人：阿迪达斯股份公司
申请日： 2015-01-19 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： A41D13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种特别是用于户外服装的热隔离结构，和包括这样的热隔离结构的服装。根据本发明的一方面，提供了用于服装的热隔离结构。该热隔离结构包括第一隔离元件和第二隔离元件，其中第二隔离元件具有不同于第一隔离元件的初始形状。第一隔离元件与第二隔离元件连接，且其中当穿着服装时由于压力作用在热隔离结构的内侧，第二隔离元件变形，第一隔离元件与第二隔离元件接触的接触面积增加。
用于服装隔离结构

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110049422.4有效
发明人：田村直义 -专利权人：富士通半导体股份有限公司
申请日： 2005-07-26 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：NMOS晶体管的有源区和PMOS晶体管的有源区被STI元件隔离结构隔开。STI元件隔离结构由第一元件隔离结构以及在除了第一元件隔离结构之外的区域中形成的第二元件隔离结构组成，其中形成该第一元件隔离结构以使其包括两个有源区之间的间隔。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510084551.1无效
发明人：田村直义 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-07-26 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：NMOS晶体管的有源区和PMOS晶体管的有源区被STI元件隔离结构隔开。STI元件隔离结构由第一元件隔离结构以及在除了第一元件隔离结构之外的区域中形成的第二元件隔离结构组成，其中形成该第一元件隔离结构以使其包括两个有源区之间的间隔。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]图像传感器及其制作方法-CN201710160016.2有效
发明人：钟志平;彭志豪;何明祐 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种图像传感器及其制作方法，该图像传感器包括一基底、一感光元件、一深沟槽隔离结构以及一隔离元件。感光元件设置于基底表面。深沟槽隔离结构设置于感光元件的一侧。隔离元件设置于基底内并位于感光元件及深沟槽隔离结构下，且隔离元件与感光元件在垂直于基底表面的方向上部分重叠。
图像传感器及其制作方法

[发明专利]具有反射元件的发光二极管芯片结构-CN202180029003.6在审
发明人：李起鸣 -专利权人：上海显耀显示科技有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：提供了一种具有杯状反射元件的发光二极管(LED)芯片结构。LED芯片结构包括基板、隔离元件和包括LED并被隔离元件围绕的台面。隔离元件包括上隔离部和下隔离部。下隔离部位于基板中，上隔离部从基板的表面突出。上隔离部的侧壁上设置有反射层，反射层的底部不接触台面。该杯状反射元件至少包括具有反射层的隔离元件。
具有反射元件发光二极管芯片结构

[发明专利]具有反射元件的发光二极管芯片结构-CN202180029006.X在审
发明人：李起鸣 -专利权人：上海显耀显示科技有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：提供了一种具有杯状反射元件的发光二极管(LED)芯片结构。LED芯片结构包括基板、隔离元件和包括LED并被隔离元件围绕的台面。隔离元件包括上隔离部和下隔离部。下隔离部位于基板中，上隔离部从基板的表面突出。上隔离部的侧壁上设置有反射层，反射层的底部不接触台面。该杯状反射元件至少包括具有反射层的隔离元件。
具有反射元件发光二极管芯片结构

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法-CN03127859.0无效
发明人：北泽雅志;黑井隆 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-08-12 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明的目的在于：在含有杂质的元件隔离膜中，通过在形成该元件隔离膜后形成其它构件时的热处理，提供能够抑制杂质从该元件隔离膜向外部扩散的半导体器件及其制造方法。在通过将元件隔离膜2充填到在衬底1的表面所形成的沟槽12内而形成的元件隔离结构中，在元件隔离膜2内含有杂质，制成该杂质浓度在元件隔离膜的顶部比底部低的结构。
半导体器件制造方法

[发明专利]封装结构及电子设备-CN202011610285.2在审
发明人：沈冬冬;马富强 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：一种封装结构及电子设备。该封装结构包括基板，设置于基板上的第一电子元件、第二电子元件和隔离结构，设置于第一电子元件和第二电子元件之间的隔离结构。其中，该隔离结构呈栅栏式，与基板上的接地焊盘电性连接，并且第一电子元件的高度大于或等于第二电子元件的高度，隔离结构的高度小于或等于第一电子元件的高度。上述技术方案中的隔离结构能够屏蔽第一电子元件和第二电子元件之间的信号干扰，且不影响封装结构的整体厚度，因此能够满足对封装结构的屏蔽性能要求和结构轻薄要求。
封装结构电子设备

[发明专利]固体摄像器件、电子设备和制造方法-CN201480029724.7有效
发明人：佐藤尚之 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-05-19 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：所述固体摄像器件包括这样的像素：在所述像素中，利用元件隔离区域来实现用于使构成所述像素的元件相互隔离的元件隔离。在所述固体摄像器件中，所述元件隔离区域包括具有沟槽结构的第一沟槽元件隔离区域和具有沟槽结构的第二沟槽元件隔离区域，在FD部与放大晶体管之间的区域中形成有所述第一沟槽元件隔离区域，在除了所述FD部与所述放大晶体管之间的所述区域以外的区域中形成有所述第二沟槽元件隔离区域而且，所述第一沟槽元件隔离区域被形成为比所述第二沟槽元件隔离区域深。本技术能够适用于例如CMOS图像传感器。
固体摄像器件电子设备制造方法

[发明专利]半导体沟渠与双沟渠的制造方法及用以隔离元件的结构-CN201010617621.6有效
发明人：马处铭;吴庭维;杨志祥 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体沟渠与双沟渠的制造方法及用以隔离元件的结构，上述用以隔离元件的结构配置于具有周边区及阵列区的基底中。上述用以隔离元件的结构包括第一隔离结构及第二隔离结构。第一隔离结构具有至少三阶的剖面且位于周边区的基底中。第二隔离结构具有至少二阶的剖面且位于阵列区的基底中。
半导体沟渠制造方法用以隔离元件结构

[发明专利]一种往复泵结构及控制方法-CN202211382854.1在审
发明人：罗彪;申鹏;刘弘伟;李剑锋;赵增佳;韩军刚 -专利权人：云南大红山管道有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： F04B53/16 文献下载
摘要：本发明公开一种往复泵结构及控制方法，包括进口隔离元件、出口隔离元件、工作腔进口管、工作腔(9)；所述进口隔离元件与工作腔(9)之间通过工作腔进口管相连接，出口隔离元件设置在工作腔(9)上端；所述进口隔离元件包括进口隔离元件壳体(3)、单向阀门和进口隔离元件端盖(4)，出口隔离元件包括出口隔离元件壳体(11)、单向阀门和出口隔离元件端盖(12)，进口隔离元件壳体(3)的单向阀门和出口隔离元件壳体(11)的单向阀门一个开启时，另一个一定处于关闭状态本发明使进口隔离元件、出口隔离元件上的紧固件不受端盖剪切力作用，减少不必要的拆装带来的元件使用寿命降低、维修工作劳动强度大的问题。
一种往复泵结构控制方法

[发明专利]集成芯片及其形成方法-CN202110984748.X在审
发明人：郑有宏;李静宜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开实施例涉及一种集成芯片及其形成方法，集成芯片包括：衬底、第一图像感测元件及第二图像感测元件以及背侧深沟槽隔离(BDTI)结构。第一图像感测元件及第二图像感测元件彼此紧邻着布置在衬底之上，且具有第一掺杂类型。背侧深沟槽隔离结构布置在第一与第二图像感测元件之间，且包括第一隔离外延层、第二隔离外延层以及隔离填充结构。第一隔离外延层设定BDTI结构的最外侧壁且具有第一掺杂类型。第二隔离外延层沿着第一隔离外延层的内侧壁布置且具有与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型。隔离填充结构填充在第二隔离外延层的内侧壁之间。
集成芯片及其形成方法

[发明专利]半导体存储器装置-CN202111186310.3在审
发明人：金桐䎸;吉奎炫;韩正勳;白头山 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：所述半导体存储器装置可以具有：基底，包括存储器单元区域中的有源区和外围区域中的逻辑有源区；元件隔离结构，位于有源区与逻辑有源区之间；绝缘层图案，覆盖有源区；以及支撑绝缘层。绝缘层图案可以包括沿着元件隔离结构延伸的延伸部分，可以与元件隔离结构间隔开，并且可以悬于元件隔离结构之上。支撑绝缘层可以填充限定在延伸部分与元件隔离结构之间的凹陷空间。
半导体存储器装置

[发明专利]双浅沟绝缘半导体装置及其制造方法-CN200510091477.6有效
发明人：光平规之;中原武彦;铃木康介;角野润 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2005-08-12 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明的半导体装置是具有存储器单元区域和周边电路区域的半导体装置，包括：硅衬底(1)、以及由形成在硅衬底(1)的表面上的由氧化硅膜(6)构成的元件隔离结构(6a、6b)。存储器单元区域的元件隔离结构(6a)的深度(d1)比周边电路区域的元件隔离结构(6b)的深度(d2)浅，存储器单元区域的元件隔离结构(6a)的隔离高度(h1)和周边电路区域的元件隔离结构(6b)的隔离高度
双浅沟绝缘半导体装置及其制造方法

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