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[实用新型]具有缓冲层结构的高压超结MOSFET器件-CN201621129067.6有效
发明人：白玉明;徐承福;钱振华;张海涛 -专利权人：无锡同方微电子有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有缓冲层结构的高压超结MOSFET器件，包括若干元胞结构，其特征是单个元胞包括N+衬底，在N+衬底的正面设置低阻N型缓冲层，在低阻N型缓冲层的正面设置低阻N型外延层，在低阻N型外延层两侧形成由低阻N型外延层正面向背面延伸的P柱；在所述低阻N型外延层的顶部两侧设置P型体区，P型体区位于两侧的P柱之间；在所述P型体区的顶部形成N+源区，N+源区位于P柱的顶部一侧；在所述低阻N型外延层的正面设置正面金属所述低阻N型缓冲层的电阻率小于低阻N型外延层的电阻率。本实用新型所述具有缓冲层结构的高压超结MOSFET器件可以显著改善二极管的软度。
具有缓冲结构高压 mosfet 器件

[发明专利]一种纳秒宽谱脉冲产生装置以及产生方法-CN201811618612.1有效
发明人：丁恩燕;陆巍;吴朝阳;杨周炳;鲍向阳;张晋琪;张运俭;金晖;李春霞 -专利权人：中国工程物理研究院应用电子学研究所
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H03K3/53 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳秒宽谱脉冲产生装置以及产生方法，包括低阻线、U1开关、高阻‑低阻组合线、U2开关、短路‑锐化开关组合线、U4开关和传输线，所述的短路‑锐化开关组合线上设置有U3开关；所述的低阻线为圆柱筒型；所述的高阻‑低阻组合线为阶梯轴型，高阻‑低阻组合线的小端靠近低阻线，高阻‑低阻组合线的大端直径小于低阻线的直径，高阻‑低阻组合线内筒的大端内设置有圆柱孔；所述的短路‑锐化开关组合线为直径小于高阻‑低阻组合线大端的圆柱筒型
一种纳秒宽谱脉冲产生装置以及方法

[实用新型]低阻低氮型分解炉-CN202020508477.1有效
发明人：朱荣 -专利权人：南京戈德水泥技术工程有限责任公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： F27D7/06 文献下载
摘要：本实用新型属于水泥生产应用技术领域，具体公开了低阻低氮型分解炉，包括横框架板、中空燃烧室支撑座、燃烧室、第一斜下料管、中空分解炉安装座、中空倒锥形分解炉支撑座、分解炉、若干个第二斜下料管、竖支撑板、第一进气管
低阻低氮型分解

[发明专利]一种改善电动垂直起降飞机性能的低阻翼尖结构-CN202211438989.5在审
发明人：董明;王继明;姚远;杨万里;党铁红 -专利权人：上海沃兰特航空技术有限责任公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B64C3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善电动垂直起降飞机性能的低阻翼尖结构，包括低阻翼尖，所述低阻翼尖安装在机翼翼梢端部位置，所述低阻翼尖根部弦长设为X1，所述低阻翼尖梢部弦长设为X2，所述X2/X1的比值范围在0.25～0.5，所述低阻翼尖的型面与机翼的型面在连接处相切连续，所述低阻翼尖型面的前缘线与机翼型面的前缘线相切连续，所述低阻翼尖型面的后缘线与机翼型面的后缘线相切连续。本结构低阻翼尖可以降低巡航时的诱导阻力，增加全机升阻比，提升飞机的航程及增加飞机的有效载荷；同时可以降低因小翼上反带来的横航向动稳定性负面影响，改善飞机的荷兰滚特性。
一种改善电动垂直起降飞机性能低阻翼尖结构

[实用新型]一种改善电动垂直起降飞机性能的低阻翼尖结构-CN202223054058.3有效
发明人：董明;王继明;姚远;杨万里;党铁红 -专利权人：上海沃兰特航空技术有限责任公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B64C3/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改善电动垂直起降飞机性能的低阻翼尖结构，包括低阻翼尖，所述低阻翼尖安装在机翼翼梢端部位置，所述低阻翼尖根部弦长设为X1，所述低阻翼尖梢部弦长设为X2，所述X2/X1的比值范围在0.25～0.5，所述低阻翼尖的型面与机翼的型面在连接处相切连续，所述低阻翼尖型面的前缘线与机翼型面的前缘线相切连续，所述低阻翼尖型面的后缘线与机翼型面的后缘线相切连续。本结构低阻翼尖可以降低巡航时的诱导阻力，增加全机升阻比，提升飞机的航程及增加飞机的有效载荷；同时可以降低因小翼上反带来的横航向动稳定性负面影响，改善飞机的荷兰滚特性。
一种改善电动垂直起降飞机性能低阻翼尖结构

[实用新型]低阻降耗型船舶-CN201621489218.9有效
发明人：邬锦川;祝闽达 -专利权人：国营海东造船厂
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： B63B1/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低阻降耗型船舶，包括船体，船体的前部靠下位置内置有引流管道，所述引流管道的前端延伸至船体的前侧形成引流入口，后端延伸至船体的底侧形成引流出口；所述引流管道内设置有螺旋桨；所述引流入口处设置有可封住该引流入口的调节门板
降耗船舶

[实用新型]一种具有掩埋P型沟槽的高压超结MOSFET-CN201620992034.8有效
发明人：白玉明;钱振华;张海涛 -专利权人：无锡同方微电子有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有掩埋P型沟槽的高压超结MOSFET，属于半导体技术领域，包括低阻N型外延层，低阻N型外延层的下层设置N+衬底，低阻N型外延层顶部左、右两端均设有P柱槽，左、右两端P柱槽内均设有P柱，低阻N型外延层的上层设置高阻N型外延层，高阻N型外延层顶部的左、右两端均设置P型体区，左端P型体区与左端的P柱上下相应间隔设置，右端P型体区与右端的P柱上下相应间隔设置，高阻N型外延层的上层设置源极
一种具有掩埋沟槽高压 mosfet

[实用新型]高速低阻低速高阻型轮胎-CN201420572625.0有效
发明人：杨银明 -专利权人：建泰橡胶(深圳)有限公司
申请日： 2014-10-04 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： B60C9/02 文献下载
摘要：一种高速低阻低速高阻型轮胎，由内到外依次由帘布层、功能复合材料层、胎侧层、胎面层构成，帘布层紧贴功能复合材料层和胎侧层，功能复合材料层被帘布层和胎侧层包围，胎面层紧贴胎侧层，功能复合材料层由剪切增稠胶体层和复合钢带层组成
高速低速高阻型轮胎

[发明专利]一种新型换热器及其制作方法-CN201410135122.1有效
发明人：林创辉;陈华;张学伟;彭雨;邱小亮 -专利权人：广东申菱空调设备有限公司
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： F28F1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型换热器及其制作方法，其中，所述新型换热器包括：一高效低阻型端板和高效低阻型翅片；与所述高效低阻型端板和高效低阻型翅片相连且设置在高效低阻型端板的一侧的第一换热系统，以及设置在高效低阻型端板的另一侧的第二换热系统降低了换热器的阻力，提升了换热效果，同时还减少了换热器的耗材，具有效率高成本低等优点，该高效低阻换热器与传统换热器相比，换热效果更好，空气阻力更低，节省换热器材料的同时提升空调机的能效比，符合国家的节能减排的政策
一种新型换热器及其制作方法

[实用新型]电子书触控板传感器用光电二极管-CN201721880634.6有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：一种电子书触控板传感器用光电二极管，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，所述N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅层上有碳纳米层，所述高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅环间的低掺杂N型高阻硅衬底向外凸起形成低掺杂外延硅层，所述碳纳米层上有圆角正方形状接触孔，接触孔内沉积金属Al作为阳极，N型高阻硅衬底的背面沉积Cr/Au混合金属作为阴极。
高掺杂衬底低掺杂触控板传感器光电二极管接触孔碳纳米阴极本实用新型圆角正方形二极管沉积金属混合金属外延硅层阳极灵敏度外凸起沉积背面

[发明专利]高效低阻型离子杀菌装置-CN202111677265.1在审
发明人：李栋;张山;徐庆 -专利权人：上海菲迎电子科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： F24F8/192 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效低阻型离子杀菌装置，其包括与电源模块相连的控制板、高压板以及低阻式筒体、设置于低阻式筒体内部的离子杀菌净化辊，离子杀菌净化辊的表面设置有沿着离子杀菌净化辊径向分布的若干导电型刷毛二，低阻式筒体的两端设置有支撑部，支撑部设置有安装离子杀菌净化辊的轴承座，低阻式筒体电连接于高压板的接地端，离子杀菌净化辊电连接于高压板的高压端。该高效低阻型离子杀菌装置可以对空气进行高效的电离杀菌作业，以便于向用户提供经过杀菌的洁净空气，提高消费者的空气质量。
高效低阻型离子杀菌装置

[发明专利]一种薄膜低阻及薄膜低阻L型调阻方法-CN201810661587.9有效
发明人：芮家群;叶萍;韩玉成;罗彦军;郑犇 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：一种薄膜低阻及薄膜低阻L型调阻方法，涉及电子产品技术领域。在第一侧端靠近第一端面电极的位置处切割出直线式的电阻精调式口，电阻精调式口的延伸方向与第一侧端平行，并与第一端面电极的垂直间距为0.2mm～0.4mm；步骤S2，在第二侧端靠近第二端面电极的位置处切割出L型的电阻粗调式口横向调节口的延伸方向与第二侧端平行，竖向调节口的延伸方向与第二侧端垂直，竖向调节口沿着远离第二侧端的方向延伸，横向调节口与第二端面电极的垂直间距为0.2mm～0.4mm；步骤S3，在电阻精调式口和电阻粗调式口的位置处对薄膜低阻进行调试采用该方法制得的薄膜低阻，散热能力强。
一种薄膜型调阻方法

[发明专利]一种薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201410245975.0有效
发明人：兰立广;童翔;李鸿儒;张英;张庆钊;丁建 -专利权人：北京创昱科技有限公司
申请日： 2014-06-04 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜太阳能电池及其制备方法，其包括衬底层、背电极层、光吸收层、缓冲层、高阻透明导电窗口层、低阻透明导电窗口层和采集电极，所述低阻透明导电窗口层包括阵列型纳米孔；所述制备方法，包括(1)依次在衬底层上制备背电极层、光吸收层、缓冲层、高阻透明导电窗口层和低阻透明导电窗口层；(2)制备阵列型纳米孔；(3)制备采集电极。低阻透明导电窗口层上阵列型纳米孔的制备可降低低阻透明导电窗口层对光的吸收性，增大光吸收层的进光量。在采集电极制备过程中，电极材料可填充纳米孔，提高采集电极与低阻透明导电窗口层的有效接触面积，提高太阳能电池的输出功率，该制备方法比现有技术工艺简便，设备简单，易于操作。
一种薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]钳位二极管及其版图结构和其制造方法-CN201210441977.8在审
发明人：仲志华;祝奕琳 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种钳位二极管，包括：P型衬底上的N型阱区，N型阱区上部的P型高阻区，P型高阻区之间具有P型低阻区，P型高阻区的外侧具有绝缘区，位于P型高阻区同侧的两个绝缘区之间具有N+掺杂区，与P型高阻区相邻的绝缘区上具有多晶硅层，P型低阻区和N+掺杂区上具有金属硅化物；P型高阻区和P型低阻区通过金属硅化物引出构成钳位二极管的阳极；N+掺杂区通过金属硅化物引出构成钳位二极管的阴极；多晶硅层与阳极引出端短接。
二极管及其版图结构制造方法

[实用新型]一种微型硅光电二极管-CN201520974428.6有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：一种微型硅光电二极管，硅晶片尺寸为0.5mm×0.3mm，有源区面积0.43mm×0.23mm，厚度为280±10μm，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，所述N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅环上有氮化硅钝化薄膜，所述高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅环间的低掺杂N型高阻硅衬底向外凸起形成低掺杂外延硅层，所述氮化硅钝化薄膜上有圆角正方形状接触孔，所述接触孔内沉积金属Al作为阳极，N型高阻硅衬底的背面沉积金属Au作为阴极。
一种微型光电二极管

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