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[发明专利]改善金属栅高压器件集成工艺中低压器件漏电的方法-CN202310333920.4在审
发明人：田志;陈昊瑜;邵华 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本申请提供一种改善金属栅高压器件集成工艺中低压器件漏电的方法，包括：步骤S1，提供一衬底，衬底包括低压器件区、中压器件区和高压器件区；步骤S2，回刻蚀中压器件区和低压器件区的有源区；步骤S3，在中压器件区和低压器件区形成第一栅氧化层；步骤S4，去除低压器件区的第一栅氧化层；步骤S5，在低压器件区形成第二栅氧化层。本申请同时对中压器件区和低压器件区的有源区进行回刻蚀，避免单独回刻蚀高压器件区和中压器件区对低压器件区的隔离部件的消耗，确保低压器件区的隔离部件高于有源区，不增加低压器件的漏电。
改善金属高压器件集成工艺低压漏电方法

[发明专利]一种可集成功率半导体器件及其制造方法-CN201910845004.2有效
发明人：乔明;何林蓉;李怡;赖春兰;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-09-07 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种可集成功率半导体器件及其制造方法，包括集成于同一芯片上的纵向高压器件、第一高压pLDMOS器件、高压nLDMOS器件、第二高压pLDMOS器件、低压NMOS器件、低压PMOS器件、低压NPN器件和低压Diode器件，第一高压pLDMOS器件、高压nLDMOS器件、第二高压pLDMOS器件、低压NMOS器件、低压PMOS器件、低压NPN器件和低压Diode器件均采用介质隔离，第一高压pLDMOS器件、高压nLDMOS器件采用多沟道设计，第二高压pLDMOS器件采用单沟道设计，本发明提出一种部分埋氧的集成技术，采用离子注入等方式形成埋氧层，这种技术可集成横向高压器件、纵向高压器件以及低压器件，且无漏电流与串扰问题，相比横向高压器件而言，具有更低的导通电阻且占用更小的芯片面积。
一种集成功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]BCD工艺中双栅极氧化层的刻蚀方法-CN201210081512.6无效
发明人：刘建华 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-03-23 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种BCD工艺中双栅极氧化层的刻蚀方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括并列的高压器件区和低压器件区；在所述衬底上热氧化形成高压器件区和低压器件区的栅氧化层，所述高压器件区的栅氧化层厚度大于低压器件区的栅氧化层；在所述高压器件区和低压器件区的栅氧化层上沉积多晶硅；刻蚀多晶硅形成所述高压器件区和低压器件区的栅极，停留在低压器件区的栅氧化层上；刻蚀去除所述高压器件区的栅氧化层；以所述高压器件区和低压器件区的栅极为掩膜，形成高压器件区和低压器件区的源/漏区。本发明解决了高压器件和低压器件因栅极氧化层厚度差，在同时去除中造成的低压器件有源区损伤而漏电和隔离失效或高压器件源/漏区无法形成硅化物。
bcd 工艺栅极氧化刻蚀方法

[发明专利]一种高低压集成器件及其制造方法-CN201910842339.9有效
发明人：乔明;孟培培;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明提供一种高低压集成器件及其制造方法，所述高低压集成器件包括集成于同一芯片上的高压垂直型恒流器件、低压NMOS器件、低压PMOS器件、低压NPN器件和低压DIODE器件；低压器件均位于介质隔离槽内部，采用介质隔离方式实现高压器件和低压器件完全隔离。本发明采用部分埋氧隔离技术实现高低压器件兼容，完全避免漏电与串扰问题，成本相较传统SOI工艺更低；基于BCD工艺集成技术设计理念，将高压垂直型恒流器件与调流所用的低压器件集成在一起，通过单片集成方式简化恒流器件调流电路设计，降低系统复杂度的同时节约制造成本，可实现恒流器件电流调节的功能，适用于不同电流大小应用场合。
一种低压集成器件及其制造方法

[发明专利]BCD器件及其制造方法-CN201510687905.5有效
发明人：姚国亮;张邵华;吴建兴 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种BCD器件及其制造方法，该器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括高压器件区和低压器件区，所述高压器件区用于形成高压器件，所述低压器件区用于形成低压器件；多个N型掺杂的高压阱，分布于所述高压器件区和低压器件区内；其中，所述高压器件的至少部分组成结构形成于所述高压器件区中的高压阱内，至少部分低压器件形成于所述低压器件区中的高压阱内。
bcd 器件及其制造方法

[实用新型]BCD器件-CN201520818224.3有效
发明人：姚国亮;张邵华;吴建兴 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种BCD器件，该器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括高压器件区和低压器件区，所述高压器件区用于形成高压器件，所述低压器件区用于形成低压器件；多个N型掺杂的高压阱，分布于所述高压器件区和低压器件区内；其中，所述高压器件的至少部分组成结构形成于所述高压器件区中的高压阱内，至少部分低压器件形成于所述低压器件区中的高压阱内。
bcd 器件

[发明专利]一种BCD半导体器件及其制造方法-CN201810958772.4有效
发明人：乔明;赖春兰;何林蓉;叶力;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种BCD半导体器件及其制造方法，包括集成于同一芯片上的第一高压nLIGBT器件、第二高压nLIGBT器件、第一高压nLDMOS器件、第二高压nLDMOS器件、第三高压nLDMOS器件、第一高压pLDMOS器件、低压NMOS器件、低压PMOS器件、PNP器件和diode器件，高压nLIGBT器件、高压nLDMOS器件、高压pLDMOS器件均采用介质隔离，实现高低压器件完全隔离，本发明在衬底上实现nLIGBT、nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN的单片集成，由介质、第二导电类型埋层、介质槽以及第一导电类型注入区组成的隔离区域实现集成芯片上的高低压全介质隔离，避免了高低压的串扰问题
一种 bcd 半导体器件及其制造方法

[发明专利]BCD器件-CN202210967258.3在审
发明人：汪琦;朱丽霞;方明旭 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种BCD器件，所述器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括高压器件区和低压器件区，所述高压器件区用于形成高压器件，所述低压器件区用于形成低压器件；高压漂移区，形成于所述高压器件区内，包括高压注入区及高压非注入区，且所述注入区的离子掺杂浓度大于等于2.5E12cm‑2；低压漂移区，形成于所述低压器件区内，包括低压注入区，且所述注入区的离子掺杂浓度大于等于2.5E12cm通过本发明解决了现有的BCD器件中漂移区的离子掺杂浓度满足高压LDMOS器件的需求时低压LDMOS器件的性能受到影响的问题。
bcd 器件

[实用新型]一种低压元器件校验培训设备及系统-CN202320137168.1有效
发明人：吕晶;郭辉;任林保;刘刚;陈富广;冯在权;云惟达 -专利权人：中核检修有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G09B9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及低压元器件校验培训技术领域，公开了一种低压元器件校验培训设备及系统，包括：可调节电源模块和低压元器件集成模块，其中，可调节电源模块，与低压元器件集成模块串联连接，用于为多种类型的低压元器件提供电源，使低压元器件产生动作；低压元器件集成模块，与可调节电源模块串联连接，用于对多种类型的低压元器件进行校验培训。本实用新型通过将多种类型的低压元器件和可调节电源集成在一种培训设备中，能够解决电气员工培训内容单一，形式不统一等问题，同时能够统一校验培训标准，并提高低压元器件校验培训效率，提升员工实操水平，进而提高员工高质量的检修和维修能力
一种低压元器件校验培训设备系统

[发明专利]一种新型高压与低压兼容的电路接口-CN201710803806.8在审
发明人：孔亮;庄志青;职春星 -专利权人：灿芯创智微电子技术（北京）有限公司
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型高压与低压兼容的电路接口。本发明所述的一种新型高压与低压兼容的电路接口包括高压电源输入端、低压电源输入端、pmos器件、nmos器件、数据信号输入端、高压输出端及低压输出端，其中，所述电路接口的最后一级驱动单元的上拉单元、下拉单元分别为两个低压器件层叠结构，高压输出端的前级驱动引出作为低压输出端。采用本发明所述的电路接口，可以把高压与低压的工作器件分开，高压工作状态采用高压器件，低压工作状态采用低压器件，减少高低压互相对设计的权衡，节省占用的高压器件面积,节省成本。
一种新型高压低压兼容电路接口

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN202111047322.8有效
发明人：孟志贤;石艳伟;姚兰 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件的制造方法，包括：分别在衬底的高压器件区和低压器件区形成高压器件栅极和低压器件栅极，并在高压器件栅极和低压器件栅极的上方形成氮化物层；在高压器件栅极的两侧的衬底中形成高压器件区的源极和漏极；在高压器件栅极的两侧以及低压器件栅极的两侧形成第一侧墙，并在低压器件栅极的第一侧墙的两侧的衬底中形成低压器件区的源极和漏极；在高压器件栅极的第一侧墙的两侧以及低压器件栅极的第一侧墙的两侧形成第二侧墙，并在高压器件区的源极和漏极的处于高压器件栅极的第二侧墙的两侧的位置处形成掺杂浓度增高的掺杂区域；以及去除形成在高压器件栅极和低压器件栅极的上方的氮化物层。
半导体器件制造方法

[发明专利]MOS晶体管及其制造方法与包含MOS晶体管的三维存储器-CN202111079115.0在审
发明人：姚兰 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：根据本公开的一种MOS晶体管的制造方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括有高压器件区和低压器件区；在高压器件区形成高压器件栅极，在低压器件区形成低压器件栅极；在高压器件栅极的两侧以及低压器件栅极的两侧均形成侧墙，其中，在高压器件栅极的两侧形成的侧墙的宽度大于在低压器件栅极的两侧形成的侧墙的宽度；以及在高压器件栅极的侧墙的两侧的半导体衬底中形成高压器件区的源极和漏极，在低压器件栅极的侧墙的两侧的半导体衬底中形成低压器件区的源极和漏极
mos 晶体管及其制造方法包含三维存储器

[发明专利]电动汽车的供电系统和车辆-CN201811479589.2在审
发明人：陆群;黄彬 -专利权人：北京长城华冠汽车科技股份有限公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： B60L58/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种电动汽车的供电系统和车辆，所述系统包括：动力电池；用电器件，包括常用器件、关键器件和非关键器件；充电装置，一端与动力电池相连；低压子系统，包括管理器和低压电池，其中，充电装置启动后，动力电池通过充电装置为低压电池充电，低压电池为用电器件供电，其中，低压电池通过控制开关与关键器件和非关键器件相连，管理器根据低压电池的状态对充电装置和控制开关进行控制。该系统通过实时监测低压电池的状态，在低压电池电量较低时控制充电装置对低压电池进行充电，以及在整车处于启动状态时通过控制控制开关给用电器件供电，从而可以避免低压电池发生长时间馈电无法正常上电的现象，保证整车长时间可靠运行
低压电池充电装置关键器件动力电池用电器件供电系统电动汽车管理器整车充电供电可靠运行启动状态实时监测馈电上电电量保证

[发明专利]一种功率集成半导体器件-CN202010236357.5有效
发明人：乔明;李贺珈;袁章亦安;李欣健;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种集成高、低压器件的功率集成半导体器件结构，主要包括集成于同一P型衬底上的高压LDMOS器件、高压JFET器件、高压隔离环、高压电阻、中压二极管、低压对称型PMOS管、低压对称型NMOS管、低压NPN管，低压非对称型NMOS管以及低压非对称型PMOS管。各器件之间通过对通隔离结构实现隔离。同时，通过与RESURF技术相结合，优化功率集成半导体器件高压部分的击穿电压。
一种功率集成半导体器件

[实用新型]高压无功补偿装置-CN200520056241.4无效
发明人：朱赫;朱维杨;郭茂华;刘贤斌 -专利权人：深圳市三和电力科技有限公司
申请日： 2005-03-21 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： H02J3/18 文献下载
摘要：一种高压无功补偿装置，包括柜体和设置在所述柜体内的高压系统器件和低压系统器件，其特征在于，所述柜体包括相互隔离的高压室和低压室，所述高压系统器件设置在高压室中，所述低压系统器件设置在低压室中。与现有技术相比，本实用新型高压无功补偿装置，由于柜体包括相互隔离的高压室和低压室，当万一高压器件发生故障而不会波及到低压系统，从而保护了整个系统的继电系统和人身安全，比传统产品增加了运行的可靠性。所述低压室是安装补偿装置的低压器件，并在低压室门上安装各种仪器、仪表以及操作开关等，当装置的低压器件需要更换，维修以及校表时，可直接在低压室进行。比传统产品减少了高压操作次数和避免了整个装置停电进行。
高压无功补偿装置

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