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[发明专利]一种材料介电谱快速分析的方法-CN202210580972.7在审
发明人：施一公;卢滢先;汤夏平;赵艳雨 -专利权人：清华大学;西湖大学
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种介电谱分析方法，用于对待测材料的介电谱进行分析，该介电谱分析方法包括下列步骤：测量待测样品的直流电导率和介电谱，其中，所述待测样品中包含待测材料组分；确定与待测样品具有相同直流电导率的基准样品的介电谱，其中，所述基准样品中不包含待测材料组分，对任一相同频段总是采用与测量待测样品的介电谱时相同的测量系统测量所述基准样品的介电谱；在整个频谱上，用基准样品的介电谱的实部对待测样品的介电谱的实部进行归一化，绘制出介电谱的实部归一化曲线；用基准样品的介电谱的虚部对待测样品的介电谱的虚部进行归一化，绘制介电谱虚部归一化曲线。
一种材料介电谱快速分析方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202110546015.8在审
发明人：林士尧;林志翰;张书维;蔡雅怡;张棋翔;王梓仲;古淑瑗 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：方法包含形成横跨第一鳍状物以及第二鳍状物的第一虚置栅极结构，第一虚置栅极结构包含第一虚置栅极介电质以及设置在第一虚置栅极介电质上方的第一虚置栅极。方法包含以栅极隔离结构取代第一虚置栅极的一部分，第一虚置栅极的部分设置在第二鳍状物上方。方法包含移除第一虚置栅极。方法包含移除在第一鳍状物周围的第一虚置栅极介电质的第一部分，同时保持在第二鳍状物周围的第一虚置栅极介电质的第二部分完整。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202110824346.3在审
发明人：林士尧;李筱雯;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：上述方法包括提供一鳍部层。形成多个虚置栅极于鳍部层上，其中虚置栅极形成为从虚置栅极的一顶部区域的一较小宽度至虚置栅极的一底部区域的一较大宽度的锥形。形成多个侧壁间隙壁于虚置栅极的多个侧壁上。形成一层间介电层于虚置栅极之间的多个区域，且接触侧壁间隙壁。去除虚置栅极，以在层间介电内形成多个开口，并于层间介电的多个开口侧边露出侧壁间隙壁。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种具备高低介电虚部的红外相变材料偶及其制备方法-CN202310704800.0在审
发明人：胡超权;王奇龙;李元恺;郑伟涛 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G02F1/00 文献下载
摘要：本发明属于光学功能薄膜材料技术领域，具体涉及一种具备高低介电虚部的红外相变材料偶及其制备方法，该相变材料偶是由具备一高一低结晶态介电虚部的两种相变材料叠加而成，结晶态介电虚部在3‑15μm的红外波段，两个相变材料在该波段的结晶态平均介电虚部的差值
一种具备高低介电虚部红外相变材料及其制备方法

[发明专利]一种基于频谱分析法的高压油纸频域介电测试仪及测试方法-CN201811115459.0在审
发明人：蔡礼;杨萍豪;方旎;马庆;胡裕峰;张义平;曹宏裕;姜敏;欧阳武;高洁 -专利权人：国网江西省电力有限公司南昌供电分公司;国家电网有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于频谱分析法的高压油纸频域介电测试方法，步骤为：S1)数据采集：通过对被测电气设备施加频率变化的交变电压，记录复电容的实部与虚部，并将介质损耗正切记录于工程机上；S2)数据处理：频率以及介质损耗正切与电位移量进行处理，得到介质损耗正切曲线与复电容实部、虚部曲线，S3)比较判断：以被测设备初始状态的介电损耗正切曲线与复电容实部、虚部曲线作为标准曲线；设备检修时重复步骤S1和S2,所得的介电损耗正切曲线、复电容实部与虚部曲线为测试曲线
电容实部虚部介质损耗正切标准曲线介电损耗正切频谱分析法被测设备测试曲线高压油纸绝缘状态频域比较判断电气设备交变电压介电测试频率变化设备检修事故发生数据采集数据处理测试仪电位移记录介电检修施加测试受损重复

[发明专利]形成半导体结构的方法-CN202210113446.X在审
发明人：林大钧;潘国华;林志勇;廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种形成半导体结构的方法，半导体结构包括在一基底的上方形成一半导体鳍部、在前述半导体鳍部的上方形成一虚置栅极堆叠、在前述虚置栅极堆叠的上方沉积一介电层，以及选择性的蚀刻前述介电层，使得前述介电层的一顶部部分和一底部部分形成一阶梯式轮廓此方法还包括去除部分的前述介电层以形成一栅极间隔物，以及之后在与前述栅极间隔物相邻的前述半导体鳍部中形成一源极/漏极部件。
形成半导体结构方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管装置的形成方法-CN201710942238.X在审
发明人：陈佳政;陈亮吟;张惠政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种鳍式场效应晶体管装置的形成方法，包括：在鳍式场效应晶体管的鳍片上形成盖层，其中鳍片由包括锗的材料所形成；在盖层上形成虚置介电层；在虚置介电层上形成虚置栅极；移除虚置栅极，其中在移除虚置栅极后，通过开口露出鳍片，开口位于虚置介电层及盖层中；以及形成置换栅极，置换栅极通过位于虚置介电层及盖层中的开口接触鳍片。
虚置介电层盖层鳍片鳍式场效应晶体管虚置栅极开口移除置换

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202210186334.7在审
发明人：刘格成;郑铭龙;刘昌淼 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括提供一种半导体构件包括从一基底突出的一装置鳍部；在装置鳍部的上方形成一虚置栅极堆叠；在装置鳍部和虚置栅极堆叠的上方形成第一间隔物；在第一间隔物上方形成一第二间隔物；形成与第二间隔物相邻的一介电部件；以及用一金属栅极堆叠替换虚置栅极堆叠。在替换虚置栅极堆叠之后，此方法是去除第二间隔物，从而在第一间隔物与介电部件之间形成一气隙，且气隙环绕装置鳍部。之后，此方法是在第一间隔物和介电部件的上方形成一密封层，从而密封气隙。
半导体结构形成方法

[发明专利]栅极结构的制造方法-CN201010241532.6有效
发明人：冯家馨;王海艇;蔡瀚霆;郑振辉;吕伟元;罗先庆;陈冠仲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-07-29 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种栅极结构的制造方法包括：提供一硅基板；沉积并图案化一虚置氧化层和一虚置栅极电极层于基板上；形成一牺牲层环绕虚置氧化层和虚置栅极电极层；形成一含氮介电层环绕牺牲层；形成一层间介电层环绕含氮介电层；移除虚置栅极电极层；移除虚置氧化层；移除牺牲层以形成一开口于含氮介电层中；沉积一栅极介电层；以及沉积一栅极电极。本发明的栅极结构增加的尺寸足够宽以容纳“后高介电常数”工艺的栅极介电层厚度，由此维持此元件的效能。
栅极结构制造方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN200910179130.5有效
发明人：钟昇镇;郑光茗;庄学理 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法，包括：提供一半导体基底；于该基底中形成一晶体管，该晶体管具有一栅极结构，其包括一虚置栅极结构；于该基底及该晶体管上形成一层间介电质；于该层间介电质上进行一第一化学机械研磨，以露出该虚置栅极结构的一顶表面；移除该层间介电质的一部分，使该层间介电质的一顶表面位于该虚置栅极结构的该顶表面下方一距离；于该层间介电质及该虚置栅极结构上形成一材料层；于该材料层上进行一第二化学机械研磨；移除该虚置栅极结构，借此形成一沟槽
制造半导体装置方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210650747.6在审
发明人：吴少均;张永丰;谢东衡;杨宝如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种方法包括形成从基底突出的第一和第二半导体鳍部。第一和第二半导体鳍部各包括交替的通道层和非通道层的一堆叠。方法还包括在第一和第二半导体鳍部之间形成一介电头盔，在介电头盔上形成一虚置栅极堆叠，图案化虚置栅极堆叠以暴露出一部分的介电头盔，去除介电头盔的暴露部分，以及形成一金属栅极结构使得介电头盔的留下部分是分隔位于第一和第二半导体鳍部之间的金属栅极结构方法还包括在金属栅极结构的一部分的上方形成一接触部件。此接触部件的一侧壁位于第一半导体鳍部或第二半导体鳍部之一者与介电头盔的留下部分之间。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201810438794.8有效
发明人：黄伟杰;陈界璋;许峰嘉;郭景森;梁晋玮;陈侠威 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法包括形成自基板凸起的结构，形成介电层以覆盖结构，形成虚置层以覆盖介电层，以及进行平坦化工艺以完全移除虚置层。平坦化工艺对虚置层的移除速率小于对介电层的移除速率。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202010024867.6在审
发明人：吴旭升;刘昌淼;尚慧玲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置的形成方法包括形成虚置栅极堆叠于半导体基板之上，虚置栅极堆叠具有虚置栅极电极及虚置栅极介电层；形成间隔物元件于虚置栅极堆叠的侧壁之上；部分移除虚置栅极电极以形成凹槽；部分移除间隔物元件以扩大凹槽；移除虚置栅极电极的余留部分以露出虚置栅极介电层；在移除虚置栅极电极的余留部分之后掺杂间隔物元件；移除虚置栅极介电层；以及形成金属栅极堆叠于凹槽之中。
半导体装置形成方法

[发明专利]一种海上变压器绝缘盐分侵入程度评估的方法-CN202210709057.3在审
发明人：王淑良;盛进路 -专利权人：亮玖船舶科技江苏有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：通过测量变压器绝缘的频域介电谱；对获取的复介电常数虚部数据进行极化损耗和电导损耗的分离；然后通过模型进行复介电常数虚部极化损耗拟合获取频域介电谱参数；构建复介电常数虚部的极化损耗和电导损耗曲线；计算盐分侵入特征参量
一种海上变压器绝缘盐分侵入程度评估方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201910531278.4在审
发明人：林义雄;邱奕勋;张尚文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：方法包括形成层间介电层于第一外延的源极/漏极结构及一第二外延的源极/漏极结构上，其中第一外延的源极/漏极结构与第二外延的源极/漏极结构相邻；形成虚置接点结构于第一外延的源极/漏极结构上的层间介电层中；移除第二外延的源极/漏极结构上的层间介电层的一部分与虚置接点结构的一部分，以形成第一沟槽；移除虚置接点结构的保留部分，以形成第二沟槽；以及形成金属源极/漏极接点于第一沟槽与第二沟槽中。
源极/漏极接点结构层间介电层移除半导体结构金属源极漏极接点介电层保留

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