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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]半导体结构-CN202320950709.2有效
发明人： 刘格成;刘昌淼 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构。在一个实施例中，例示性半导体结构包括：第一多个通道构件位于基板上方；第二多个通道构件位于基板上方；第三多个通道构件位于基板上方；栅极结构包绕(wrapping around)第一多个通道构件、第二多个通道构件及第三多个通道构件；第一虚置鳍片设置于第一多个通道构件与第二多个通道构件之间；以及第二虚置鳍片设置于第二多个通道构件与第三多个通道构件之间，其中第一虚置鳍片的顶表面位于栅极结构的顶表面之上，且第二虚置鳍片的顶表面位于栅极结构的顶表面之下。
半导体结构

[发明专利]一种用于轨道车辆的车厢连接结构-CN202310215290.0在审
发明人：管林挺;刘格成 -专利权人：吉林铁道职业技术学院
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B61G3/28 文献下载
摘要：本发明涉及轨道车辆技术领域，特别涉及一种用于轨道车辆的车厢连接结构，包括车厢、詹式车钩、连接机构；本发明能够解决现有技术对轨道车辆的车厢连接中存在的以下问题：通过前车厢连接杆、驱动壳和后车厢连接杆对车厢进行连接时无法对前车厢连接杆和后车厢连接杆进行加固，使其缺乏足够的稳定性和连接强度，从而前车厢连接杆或后车厢连接杆容易承受不了较大的牵引力并与驱动壳松脱，造成车厢的脱离，进而引发事故；前车厢摆动时会对前车厢连接杆施加向下的压力，容易增大前车厢连接杆与驱动壳之间的摩擦力，使得前车厢连接杆无法带动第一齿轮顺利转动，从而前车厢与后车厢无法快速脱离，进而容易导致后车厢脱离不及时而发生侧翻。
一种用于轨道车辆车厢连接结构

[发明专利]半导体结构、半导体器件及其形成方法-CN202310038068.8在审
发明人： 刘格成;刘昌淼;郑铭龙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：示例性器件包括衬底延伸部分上方的沟道层堆叠件、栅极和绝缘层。沟道层堆叠件在第一外延源极/漏极和第二外延源极/漏极之间延伸。栅极围绕沟道层堆叠件的每个沟道层。绝缘层位于衬底延伸部分上方，栅极位于沟道层堆叠件的最底部沟道层和绝缘层之间，并且绝缘层位于栅极和衬底延伸部分之间。绝缘层在第一外延源极/漏极和第二外延源极/漏极之间延伸，外延源极/漏极的每个可以包括未掺杂外延层。未掺杂外延层的顶面位于最底部沟道层的底面下方和/或绝缘层的顶面之上。绝缘层可以包裹衬底延伸部分和/或在其中具有气隙。本申请的实施例还涉及半导体结构、半导体器件及其形成方法。
半导体结构半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202210186334.7在审
发明人： 刘格成;郑铭龙;刘昌淼 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括提供一种半导体构件包括从一基底突出的一装置鳍部；在装置鳍部的上方形成一虚置栅极堆叠；在装置鳍部和虚置栅极堆叠的上方形成第一间隔物；在第一间隔物上方形成一第二间隔物；形成与第二间隔物相邻的一介电部件；以及用一金属栅极堆叠替换虚置栅极堆叠。在替换虚置栅极堆叠之后，此方法是去除第二间隔物，从而在第一间隔物与介电部件之间形成一气隙，且气隙环绕装置鳍部。之后，此方法是在第一间隔物和介电部件的上方形成一密封层，从而密封气隙。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构-CN202210237902.1在审
发明人： 刘格成;郑铭龙;刘昌淼 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构，包含从基板突出的半导体鳍片、与半导体鳍片相邻且大致上平行设置的介电鳍片、设置于半导体鳍片中的外延源极/漏极(S/D)部件、设置于外延S/D部件的侧壁与介电鳍片的侧壁之间的介电层、以及设置于介电层中的气隙。
半导体结构

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202210080012.4在审
发明人： 刘格成;郑铭龙;刘昌淼 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置及其形成方法，包括：半导体基板以及通道层的堆叠在半导体基板上。最顶部通道层的顶表面沿着相对于基板表面的第一高度延伸。最底部通道层的底表面沿着相对于基板表面的第二高度延伸。装置还包括栅极结构，啮合通道层的堆叠且沿着第一方向延伸。额外地，装置包括源极/漏极部件，在通道层的堆叠的第一侧壁表面上以及在基板上，第一侧壁表面平行于第一方向延伸。此外，源极/漏极部件在第一高度具有沿着第一方向的第一宽度，且在第二高度具有沿着第一方向的第二宽度，以及其中第一宽度大于第二宽度。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]形成半导体器件的方法和半导体结构-CN202110341037.0在审
发明人： 刘格成;李明轩;郑铭龙;刘昌淼 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种方法包括提供了一种结构，该结构具有从衬底延伸的两个鳍和与该鳍相邻的隔离结构；在隔离结构的上方和鳍的顶部和侧壁上方形成覆盖层；使用覆盖层作为蚀刻掩模使隔离结构凹进以暴露衬底；在使隔离结构凹进之后，在衬底、隔离结构和覆盖层上方沉积密封层；在密封层上方和两个鳍之间形成牺牲塞；并且在牺牲塞上方沉积介电顶部覆盖件并且横向地在两个鳍之间。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。
形成半导体器件方法半导体结构

[发明专利]制造垂直型高功率氮化镓PIN二极管的方法-CN201410116140.5在审
发明人：黄智方;张庭辅;刘格成;曾裕誊;邱绍谚 -专利权人：郑克勇
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种制造垂直型高功率氮化镓PIN二极管的方法，其包含以下步骤：提供半导体积层或异质基板；以及在该半导体积层或该异质基板上形成平台。与一般Si和GaAs材料相比，宽能隙具材料(三氮化合物)有较佳的电子特性，因而操作稳定性和对温度的灵敏度低；非常具有适用于高功率电子的应用。本发明开发出垂直式氮化镓高功率元件提供反向击穿电压超过600V以上、较低的导通电组5-mΩ-cm²一下和顺向电流高达3-A/mm²。
制造垂直功率氮化 pin 二极管方法

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