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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210117913.6在审
发明人：沈书文;陈振平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在半导体装置的制造方法中，形成鳍结构，鳍结构包含设置于底部鳍结构上方的第一半导体层和第二半导体层的堆叠层及位于堆叠层上方的硬遮罩层。在暴露的硬遮罩层和堆叠层的至少侧壁上方形成牺牲包覆层。进行蚀刻操作，以移除牺牲包覆层的横向部分，进而在暴露的硬遮罩层和堆叠层的侧壁上留下牺牲包覆层。形成第一介电层及第二介电层，第二介电层的材料不同于第一介电层的材料。将第二介电层凹陷，且在凹陷的第二介电层上形成第三介电层，第三介电层的材料不同于第二介电层的材料。在蚀刻操作期间，在牺牲包覆层上方形成保护层。
半导体装置制造方法

[发明专利]导体插塞及其制造方法-CN201510388940.7有效
发明人：李庆雄;蔡世昌 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-07-06 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种导体插塞及其制造方法，导体插塞包括基底、第一介电层、阻挡层、第二介电层、导体层以及衬层。基底具有导体区。第一介电层、阻挡层以及第二介电层依序配置于基底上，其中至少一开口贯穿第一介电层、阻挡层以及第二介电层。此外，开口具有实质上垂直的侧壁。导体层填入开口，并与导体区电性连接。衬层环绕导体层的上部。
导体及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201810653206.2在审
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体装置包括基板；半导体鳍片位于基板上，且纵向方向沿着第一方向；第一多介电层(MDL)鳍片和第二多介电层鳍片位于基板上，且纵向方向沿着第一方向，其中第一和第二多介电层鳍片与半导体鳍片交互混合配置，其中第一多介电层鳍片中的每一个和第二多介电层鳍片中的每一个包括外部介电层和内部介电层，其中外部介电层和内部介电层有不同的介电材料；而且栅极结构其纵向方向沿着大致垂直于第一方向的第二方向，其中栅极结构沿着第一方向彼此间隔，且沿着第二方向被第一多介电层鳍片隔开，其中栅极结构接合于半导体鳍片和第二多介电层鳍片。
介电层鳍片半导体鳍片栅极结构基板半导体装置混合配置介电材料接合隔开外部垂直

[发明专利]电容器和包括电容器的DRAM器件-CN202210656561.1在审
发明人：郑圭镐;白东官;赵哲珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：电容器可以包括：下电极；介电层结构，在下电极上；以及上电极，在介电层结构上。介电层结构可以包括多个介电层和在多个介电层中的介电层之间的至少一个插入层结构。插入层结构可以包括多个氧化锆层和至少一个插入层。插入层可以在多个氧化锆层中的氧化锆层之间。电容器可以具有高电容和低漏电流。
电容器包括 dram 器件

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201911211608.8在审
发明人：黄晋修;刘哲孝;邱柏豪;廖志成;许静宜 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包含：形成第一栅极结构于基底的低电位预定区中；形成第二栅极结构于基底的高电位预定区中；依序形成第一介电层以及第二介电层覆盖第一栅极结构以及第二栅极结构，其中第二介电层的材料不同于第一介电层；沿着第二栅极结构的侧壁形成第三介电层的一部分于第二介电层之上，其中第三介电层的材料不同于第二介电层；以及通过第三介电层的此部分作为刻蚀硬遮罩，刻蚀第一介电层以及第二介电层以形成第一复合间隔物覆盖第一栅极结构的侧壁以及第二复合间隔物覆盖第二栅极结构的侧壁
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体元件及其形成方法-CN202310067734.0在审
发明人：高琬贻;林洪正;张哲豪;卢永诚;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体元件及其形成方法，形成半导体元件的方法包含沉积第一介电层于第一半导体鳍和第二半导体鳍的多个侧壁上方并沿着多个侧壁，其中第一半导体鳍和第二半导体鳍从半导体基板向上延伸，沉积第二介电层于第一介电层上方，沉积第三介电层于第二介电层上方，其中第二介电层的材料不同于第三介电层的材料，且第一介电层的材料不同于第二介电层的材料，以及凹陷第一介电层和第二介电层以暴露出第一半导体鳍和第二半导体鳍的多个侧壁，并形成虚设鳍于第一半导体鳍和第二半导体鳍之间
半导体元件及其形成方法

[发明专利]具有接触插塞的半导体结构及其制作方法-CN201710224689.X有效
发明人：冯立伟;王嫈乔;何建廷;陈凯评 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种具有接触插塞的半导体结构及其制作方法，该具有接触插塞的半导体结构包含一基底，基底上定义有一存储器区以及一周边电路区，存储器区内包含有至少一存储单元，存储单元包含有一晶体管和一电容结构，一平坦化第一堆叠介电层覆盖周边电路区，平坦化第一堆叠介电层包含二第一介电层和一第二介电层，第一介电层和第二介电层以第一介电层、第二介电层和第一介电层的顺序由下至上依序排列，其中在最下方的第一介电层延伸至存储器区并且覆盖电容结构，一接触插塞位于周边电路区并且贯穿平坦化第一堆叠介电层
具有接触半导体结构及其制作方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201711239729.4有效
发明人：何俊德;陈建汉;邱建智;梁明中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：上述方法包括形成第一导线于基板上、沉积第一介电层于上述第一导线上、沉积第二介电层于上述第一介电层上。上述第二介电层包括不同于上述第一介电层的介电材料。上述方法也包括于第一介电层以及第二介电层中图案化出导孔开口，其中使用第一蚀刻工艺参数图案化第一介电层以及使用上述第一蚀刻工艺参数图案化第二介电层。上述方法也包括于第二介电层中图案化出沟槽开口。上述方法也包括于上述导孔开口的底部上、沿着上述导孔开口的侧壁、于上述沟槽开口的底部上以及沿着上述沟槽开口的侧壁沉积扩散阻挡层以及使用导电材料填充上述导孔开口以及上述沟槽开口。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]晶片结构及其制造方法-CN202210201943.5在审
发明人：吕俊麟;张守仁;朱影璁;蔡明勋 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：晶片结构包括基底结构、第一介电层、多个测试垫、第二介电层以及多个接合垫。第一介电层设置于基底结构上。多个测试垫设置于第一介电层中且暴露于第一介电层外。各个测试垫具有凹陷。第二介电层设置于第一介电层上。第二介电层具有远离多个测试垫的顶表面。多个接合垫设置于第二介电层中且暴露于第二介电层外。各个接合垫电连接至对应的测试垫。多个接合垫具有远离多个测试垫的接合面。接合面与顶表面齐平。
晶片结构及其制造方法

[发明专利]一种氧化硅钝化PERC双面电池及其制备方法-CN202011628235.7在审
发明人：刘银生;乐雄英;陆祥 -专利权人：江苏润阳世纪光伏科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：包括硅衬底、设置在硅衬底正面的正面介电层、依次设置在背面的第一介电层和第二介电层；正面介电层包括二氧化硅层和氮化硅层；第一介电层为氧化硅层或氮氧化硅层；第二介电层包括至少一层氮化硅层；第一介电层厚10‑100nm；第二介电层厚60‑180nm。制备：S1硅衬底表面预清洗及制绒；S2磷扩散制备P‑N结；S3硅衬底边缘刻蚀及背面抛光；S4正面介电层中二氧化硅层制备；S5正面介电层中氮化硅层制备；S6背面第一介电层制备；S7背面第二介电层制备；S8
一种氧化钝化 perc 双面电池及其制备方法

[发明专利]内连线结构及其制造方法-CN202210230338.0在审
发明人：卢超群 -专利权人：发明与合作实验室有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种内连线结构，包括第一介电层、第一导电层、导体柱、上方介电层和上方导电层。第一介电层位于元件的第一端上方。第一导电层位于第一介电层上方。导体柱连接至第一端。上方介电层位于第一导电层上方。上方导电层位于上方介电层上方。导体柱连接到上方导电层但与第一导电层断开。
连线结构及其制造方法

[发明专利]金属绝缘体金属电容器与其制造方法-CN201410621397.6有效
发明人：周志飙;吴少慧;古其发 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：制造金属绝缘体金属电容器的方法包括以下步骤：提供五层双介电质结构于基板上。五层双介电质结构包括底部金属层、第一介电层、中间金属层、第二介电层以及上部金属层依序堆叠而上。第一介电层与第二介电层具有不同厚度。
金属绝缘体电容器与其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202110652469.3在审
发明人：黄吉河;谈文毅 -专利权人：联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，包括形成一第一介电层于一基底上，在该第一介电层中形成多个第一互连结构，在该多个第一互连结构之间的该第一介电层中形成至少一沟槽，进行一溅镀沉积制作工艺于该第一介电层上形成一第二介电层，其中该第二介电层至少部分封口该沟槽中的一气隙，以及于该第二介电层上形成一第三介电层。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]一种DMF介电层覆膜方法、系统及数字微流控芯片-CN202111553097.5在审
发明人：张帅龙;李恭;高伟博;李凤刚;覃珊 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种DMF介电层覆膜方法、系统及数字微流控芯片，DMF介电层覆膜方法，包括：将数字微流控芯片的基板放置在抽真空板上；在所述基板上覆盖介电层薄膜，得到带有介电层的基板；将所述带有介电层的基板利用抽真空板进行抽真空，得到介电层覆膜后的基板；在所述介电层覆膜后的基板的介电层上覆膜疏水层，得到疏水层覆膜后的基板。
一种 dmf 介电层覆膜方法系统数字微流控芯片

[发明专利]一种芯片内埋的模块结构-CN202310137300.3在审
发明人：张鑫;卢赟;张钰 -专利权人：捷蒽迪电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片内埋的模块结构，包括：第一介电层、第二介电层、第三介电层，设置在第一介电层的内埋芯片；设置在第二介电层远离第一介电层一面的储能器件；设置在第三介电层远离第一介电层一面的对外引脚，通过将内埋芯片的芯片引脚背离对外引脚方向并朝向储能器件方向设置减小敏感回路的路径
一种芯片模块结构

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