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[发明专利]一种带有空气间隙的大马士革制造方法-CN201210228259.2无效
发明人：李磊;陈玉文;胡友存;姬峰;梁学文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供的一种带有空气间隙的大马士革制造方法，包括以下步骤：在一半导体基体上形成第一金属互连线；刻蚀去除第一空气间隙区域的介电层形成第一金属互连线间间隙；淀积第二介电层形成第一空气间隙；在第二介电层上采用双大马士革刻蚀工艺形成第二金属互连线；刻蚀去除第二空气间隙区域的介电层形成第二金属互连线间间隙；淀积第三介电层，在第二金属互连线间间隙形成第二空气间隙。
一种带有空气间隙大马士革制造方法

[发明专利]内连线结构的双嵌工艺-CN01109523.7无效
发明人：张文彬 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-03-30 - 公布日： 2002-11-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种使用双嵌工艺制造内连线结构的方法。该内连线结构具有一介电层,且一光阻层形成于其上。本发明的方法系通过在光阻层中形成沟道图案与介层窗图案,且将该沟道图案与介层窗图案移转至介电层中,以在介电层中蚀刻出一沟道与一介层窗。只使用一单一光罩就可在光阻层中形成沟道图案与介层窗图案。该单一光罩包括有一具有一第一透光系数的沟道定义部分,以在光阻中定义做为沟道的图案,且包括有一具有一第二透光系数的介层窗定义部分,以在光阻中定义做为介层窗的图案。
连线结构工艺

[发明专利]一种控制双电层电容器介孔碳材料电容量的方法-CN201410381117.9在审
发明人：谷涛 -专利权人：无锡华臻新能源科技有限公司
申请日： 2014-08-05 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明公开一种控制双电层电容器电容量的方法，即对含氮前驱体介孔材料，在焙烧过程中，通过控制不同的碳化温度，进而控制氮的形态，从而获得不同电容量的氮掺杂介孔碳材料。当焙烧温度为800、850和900℃碳化得到的氮掺杂介孔碳样品,在1MH₂SO₄电解质溶液中，1Ag^-1电流密度下的比电容量最大为105本方法适用于制备双电层电容器。
一种控制双电层电容器介孔碳材料容量方法

[发明专利]单稳双电压输出电源动态调配假负载电压稳定电路-CN202210674972.3在审
发明人：郑录古 -专利权人：佛山市锐霸电子有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H02J3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种单稳双电压输出电源动态调配假负载电压稳定电路，包括：第一输入端，用于与电源电路的一个输出端电连接；第二输入端，用于与电源电路的另一个输出端电连接；第一输出电路，用于与第一输入端电连接，并调节第一输出电路内的假负载使第一输出电路的电压值压低或抬高；第二输出电路，用于与第二输入端电连接，并调节第二输出电路内的假负载使第二输出电路的电压值压低或抬高；本发明旨在提供一种单稳双电压输出电源动态调配假负载电压稳定电路，能够通过自动调配假负载，实现压低己路电压或抬高它路电压的功能
单稳双电压输出电源动态调配负载稳定电路

[发明专利]双功函数半导体装置及其制造方法-CN200910002600.0有效
发明人：赵学柱;安娜贝拉·费洛索;于洪宇;史蒂芬·库比塞克;张守仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;跨大学校际微电子卓越研究中心
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种双功函数半导体装置及其制造方法。其具有一第一栅极堆叠结构，第一栅极堆叠结构具有一第一有效功函数；以及一第二晶体管于基底的一第二区上，其具有一第二栅极堆叠结构，第二栅极堆叠结构具有一第二有效功函数；其中第一栅极堆叠结构与第二栅极堆叠结构各具有一主介电质、一栅极、与一第二介电顶盖层，且第二栅极堆叠结构还额外具有一第一介电顶盖层；第一介电顶盖层是决定第二介电顶盖层的第二有效功函数；第二介电顶盖层不会对第二栅极堆叠结构的第二有效功函数造成实质影响；以及金属层是与第二介电顶盖层一起决定第一栅极堆叠结构的第一有效功函数
函数半导体装置及其制造方法

[发明专利]氮化硅介电层的制作方法、约瑟夫森结及超导量子比特-CN201811080849.9有效
发明人：冯加贵;武彪;熊康林;孙骏逸;黄永丹;郑明昊;丁孙安;陆晓鸣 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅介电层的制作方法、约瑟夫森结及超导量子比特，所述氮化硅介电层的制作方法包括：在衬底上沉积硅薄膜；对所述硅薄膜进行氮化处理以形成第一氮化硅薄膜；利用等离子体辅助分子束外延共沉积法在所述第一氮化硅薄膜上制作形成第二氮化硅薄膜该方法利用微波损耗系数较低的氮化硅材料制作介电层，降低了介电层的微波损耗，同时基于该方法制作的氮化硅介电层的超导量子比特中，可采用氮化硅材料制作超导量子比特的保护层，有效减少了表界面引入的双能级缺陷和磁性杂质而且，所述氮化硅介电层的制作方法能以较低要求的工艺条件获得高性能的氮化硅介电层，有利于量产化。
氮化硅介电层制作方法约瑟夫超导量子比特

[发明专利]一种改善双大马士革结构介电质膜刻蚀形貌的方法-CN201210432477.8无效
发明人：黄海;黄君;盖晨光 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善双大马士革结构介电质膜刻蚀形貌的方法，属于介电质膜刻蚀成型技术领域。具体步骤包括：在介电质膜中厚度为第一预设值的位置生长膜内刻蚀阻挡层；对膜内刻蚀阻挡层进行光刻工艺，定义出需要被刻蚀的区域；对膜内刻蚀阻挡层进行干刻工艺，将需要被刻蚀的区域移除；在膜内刻蚀阻挡层上方生长介电质膜；在介电质膜上方生长氮化钛，并在氮化钛上方涂布光刻胶；对TiN进行曝光显影和刻蚀和通孔的曝光显影；对介电质膜进行一体化刻蚀；上述技术方案的有益效果是：通过在局部区域应用刻蚀阻挡层，在不影响整个介电质膜的介电常数
一种改善大马士革结构质膜刻蚀形貌方法

[发明专利]具有超厚顶层金属的集成电路的制作方法及集成电路-CN201110391181.1无效
发明人：李磊;胡友存;姬峰;张亮;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出一种具有超厚顶层金属的集成电路的制作方法及具有超厚顶层金属的集成电路，制作方法包括：在半导体基板的金属层上依次沉积刻蚀阻挡层、介电层和介电硬掩模层；在介电硬掩模层上旋涂第一光刻胶层，通过金属层光掩模版光刻形成沟槽图形；刻蚀介电硬掩模层和部分刻蚀介电层，形成深度为20,000-40,000A的沟槽；在介电硬掩模层旋涂第二光刻胶层，通过通孔光掩模版光刻形成通孔图形和冗余沟槽图形；刻蚀介电层、阻挡层，露出铜互连线，形成通孔和冗余沟槽本发明能兼容沟槽优先双大马士革工艺，制作工艺简单，在改善超厚顶层金属诱导的基板扭曲变形的同时不会恶化研磨工艺。
具有顶层金属集成电路制作方法

[发明专利]双镶嵌式开口结构的制作方法-CN03156045.8无效
发明人：吴孟韦;梁恩山;李铿尧;吴素华 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2003-08-29 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种双镶嵌式开口结构的制作方法。包括下列步骤：提供一制有介电层的半导体基底；制一具接触孔开口图案的第一光阻层于该介电层上；制一牺牲层于第一光阻层上，且填入上述接触孔开口图案；制一具内连线开口图案的第二光阻层于牺牲层上，且第二光阻层露出接触孔开口图案上方的牺牲层；以第二光阻层为罩幕蚀刻牺牲层，将内连线开口图案转移至牺牲层；以第二光阻层为罩幕，依序蚀刻第一光阻层与介电层，将内连线开口图案转移至介电层，并沿接触孔开口图案蚀刻介电层，以于介电层中形成一接触孔开口。本发明具有简化的制作步骤，可降低制造成本，并避免介电层间的寄生电容增加，降低元件在运作时的RC延迟。
镶嵌开口结构制作方法

[实用新型]一种单极板、双极板及电堆-CN202320170634.6有效
发明人：邹柏强;胡鹏;姜天豪;毕飞飞;蓝树槐 -专利权人：上海治臻新能源股份有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01M8/0258 文献下载
摘要：本申请涉及一种单极板、双极板及电堆，单极板包括进口和出口，进口包括：第一介质进口、第二介质进口和第三介质进口，出口包括第一介质出口、第二介质出口和第三介质出口，其中至少一个进口和/或出口设置有加强筋，加强筋将进口和本申请中，加强筋设置于进口和出口能够加强进口和出口处的抗弯强度，使得在对电堆进行装配时，单极板的进口和出口处不易发生变形，从而提高单极板的机械稳定性，保证电堆的工作稳定性。
一种极板

[发明专利]一种双脊波导法液晶介电测试装置-CN201910377410.0有效
发明人：赵青;赵怿哲;陈宗;汪相如 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种双脊波导法液晶介电测试装置，包括波导腔体、矢量网路分析仪、同轴传输线、脊波导同轴转换器、耦合孔、双脊波导腔端板、聚四氟乙烯管和连接孔，所述波导腔体上表面固定有脊波导同轴转换器，所述脊波导同轴转换器上连接有同轴传输线，所述双脊波导腔端板之间形成耦合孔，所述聚四氟乙烯管穿插在波导腔体竖向中轴线处内部，所述连接孔设置在波导腔体上。该双脊波导法液晶介电测试装置用脊波导测量液晶材料在加磁场作用下介电参数的变化，具有测试液晶的样品的体积小可节约成本，可靠性高，频带较宽，可调谐范围大，该测试设备不仅方便更换液晶样品，实现宽带快速测试，而且提供了对低损耗液晶材料的准确测量
一种波导液晶测试装置

[实用新型]一种存储式双谱型自然伽马能谱测井仪-CN202021059977.8有效
发明人：张金洲;张峰 -专利权人：吉艾（天津）石油工程有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： E21B49/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种存储式双谱型自然伽马能谱测井仪。该测井仪包括仪器主体、数据采集处理器、高压模块、存储模块和电源模块，仪器主体内设置有探测元件和稳谱元件；数据采集处理器分别与探测元件和稳谱元件电连接；高压模块与数据采集处理器电连接；存储模块与数据采集处理器电连接；电源模块包括储能电池，该储能电池分别与仪器主体、数据采集处理器、高压模块和存储模块电连接。本实用新型实施例能够根据稳谱元件提供的井内参考信号，校正探测元件接收的井内探测信号，并能够对校正后的存储数据进行实时存储。
一种存储式双谱型自然伽马能谱测井

[发明专利]基于LED和LD复合泵浦Nd：YAG晶体的激光器-CN202210384932.5在审
发明人：沈建平;黄鑫 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01S3/0933 文献下载
摘要：本发明公开了基于LED和LD复合泵浦Nd：YAG晶体的激光器，是一种双波长近红外全固态激光器，通过设计一款新型的腔体耦合装置，实现LD端面泵浦和LED侧面泵浦的有效复合泵浦和双温控功能。采用大模式体积平‑平腔介稳型结构，直接复合泵浦高掺杂浓度为1.5 at.%的Nd：YAG晶体，同步实现938 nm和946nm双波长激光输出。通过复合泵浦结构、双温控功能和提高激光晶体掺杂浓度等方式显著提升光‑光转换效率，有效提高双波长激光输出效率。本发明装置具有成本低、寿命长、系统结构简单、工作稳定等特点。
基于 led ld 复合 nd yag 晶体激光器

[发明专利]一种低轮廓宽轴比波束的双感双频圆极化天线-CN202310604209.8在审
发明人：涂治红;许媛媛 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明提供的一种低轮廓宽轴比波束的双感双频圆极化天线，包括第一介质板、第二介质板、圆形金属贴片、矩形金属贴片、金属地板和同轴线；所述第二介质板设置于第一介质板的上方；圆形金属贴片印刷于第二介质板的上表面，矩形金属贴片印刷于第一介质板的上表面，金属地板印刷于第一介质板的下表面；所述同轴线从第一介质板的下方引入，同轴线的外导体与金属地板电性连接，同轴线的内导体依次穿过第一介质板和第二介质板，并且与矩形金属贴片和圆形金属贴片电性连接本发明具备双频、双圆极化和宽轴比波束的特性，能更好地满足北斗导航卫星系统的要求；本发明还具有结构简单、低剖面和尺寸小的优点，易于生产制造，有利于相关技术的推广和使用。
一种轮廓波束双频极化天线

[发明专利]一种微型发光二极管双极静电吸头及其阵列-CN202010127004.1在审
发明人：张良玉;朱充沛;高威;周宇;王俊星 -专利权人：南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种微型发光二极管双极静电吸头及其阵列，双极静电吸头包括呈圆环状且未完全闭合的第一电极、位于第一电极内部且呈圆形的第二电极、位于第一电极和第二电极之间的缝隙、填充在缝隙内的第一介电层、与第一电极连接的第一电极连接线、与第二电极连接的第二电极连接线以及第二介电层，其中，所述第二介电层覆盖在第一电极、第二电极、第一介电层、第一电极连接线和第二电极连接线上，所述第一电极和第二电极同时吸附一个微型发光二极管。本发明采用双极静电吸头并利用静电吸附力对微型发光二极管进行巨量转移，并简化静电吸头与静电发生器的连接结构，从而减小吸头与微型发光二极管表面的间隙(gap)，利用静电吸头高效的对微型器件进行转移。
一种微型发光二极管静电吸头及其阵列