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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]形成导电互连线的方法-CN201911236925.5在审
发明人：刘冲;严强生;曹秀亮 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成导电互连线的方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有导电层；刻蚀所述导电层以得到导电互连线；对形成有所述导电互连线的半导体器件执行湿法清洗工艺；执行烘烤工艺以及执行氧化工艺。在本发明中，执行湿法清洗工艺之后，增加烘烤工艺和氧化工艺，其中，所述烘烤工艺可以去除湿法清洗工艺后所述导电互连线表面的水汽，所述氧化工艺可以使得所述导电互连线的表面生长出致密的氧化膜，避免了所述导电互连线与残留的刻蚀副产物发生反应的情况，从而避免了导电互连线的腐蚀缺陷的情况，提高了产品的良率和产品的可靠性。
形成导电互连方法

[发明专利]用于减少关键的芯片上互连线的表面凹陷的器件和方法-CN200510070268.3无效
发明人：雷切尔·戈丁;戴维·戈瑞恩;休·埃伦·斯特朗;库尔特·艾伦·塔尔曼;尤里·V.·特里迪亚科夫 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-05-13 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：提供了一种用于集成电路的关键互连线(300)，其中处理铜表面凹陷的问题。对于集成电路，按照模拟成传输线的关键互连线的形式提供了互连线(300)。互连线(300)由具有宽度(302)和长度(303)的导电材料形成。互连线(300)包括至少两个伸出互连线(300)长度(303)的指状物(304、305、306)，在导电材料中隔开两个相邻的指状物(304、305、306)的细长开孔(309)，以及一个或多个沿互连线(
用于减少关键芯片互连表面凹陷器件方法

[发明专利]包含要求金属层与衬底之间的电压阈值的工艺的用于制造集成电子电路的工艺-CN200780027712.0无效
发明人：洛朗·G·戈塞 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2007-07-31 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造包括多层互连堆叠的电子集成电路的工艺。通过需要产生跨接近旁的基本互连线(36)和衬底的局部电压的工艺来形成诸如MIM电容器之类的结构(26)。提供了与基本互连线(36)交叉的第二互连路径(42)，在已经形成所述结构(26)之后去除基本互连线，从而在基本互连线(36)中产生开路。因此，提高了电路的性能。
包含要求金属衬底之间电压阈值工艺用于制造集成电子电路

[发明专利]高密度互连转接板、封装结构及其制作方法-CN202211189675.6在审
发明人：李斌;吴过 -专利权人：上海为旌科技有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及芯片封装制造领域，公开了一种高密度互连转接板、封装结构及其制作方法。高密度互连转接板的制作方法，包括：将多个单颗硅转接板转移至第一临时键合晶圆上；使用填料，对不同所述硅转接板之间的间隙进行填充；在第二临时键合晶圆上制作互连线路和焊接垫；将所述硅转接板上与所述第一临时键合晶圆相对的一面贴到所述第二临时键合晶圆上；取下所述第一临时键合晶圆；在非硅区域制作连接孔；通过重布线技术布置完成所需要的金属互连线及所需要的层数至所述焊接垫的位置，以形成混合转接板。通过在有机介质的重布线层上嵌入不带硅通孔的局部硅转接板，实现了一种既进行高密度互连又进行次高密度互连的转接板，降低了成本。
高密度互连转接封装结构及其制作方法

[实用新型]一种新型精密型内层互连线路板-CN201720852581.0有效
发明人：马卓;韩志强 -专利权人：信丰迅捷兴电路科技有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型精密型内层互连线路板，包括氧化铝陶瓷基板、聚酰亚胺覆铜板、绝缘涂层和芯片，所述氧化铝陶瓷基板底部固定设置有绝缘涂层，所述绝缘涂层底部固定设置有聚酰亚胺覆铜板，所述氧化铝陶瓷基板表面固定设置有过孔本实用新型通过氧化铝陶瓷基板表面镀有化学沉铜，增强了氧化铝陶瓷基板表面的导热性，并将热量通过化学沉铜传递到散热槽进行散热，安装孔贯穿氧化铝陶瓷基板、聚酰亚胺覆铜板和绝缘涂层，可有效将线路板在工作时产生的高温通过铜制螺栓传导至线路板的固定装置上
一种新型精密内层互连线路板

[实用新型]一种新型高密度互连线路板-CN201720847256.5有效
发明人：马卓;李培渊 -专利权人：信丰迅捷兴电路科技有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型高密度互连线路板，包括板体和铆眼，所述板体外侧表面设置有纳米碳管层，所述板体内部设置有铜网，所述板体上下两端固定连接有铜箔，所述板体一端活动连接有铆眼，所述铆眼上端设置有滑动柱，本实用新型通过设置铜网，将铜网设置在板体的内部，达到增加板体稳定性与硬度的作用，能够有效的避免线路板折断损坏，提升了线路板的使用寿命，并且铜材质具有坚硬，不易腐蚀，并且耐高温，耐高压，可在各种的坏境下使用
一种新型高密度互连线路板

[实用新型]一种微型高密度互连线路板-CN201821368842.2有效
发明人：丁会 -专利权人：深圳市中信华电子有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型所涉及一种微型高密度互连线路板，其包括PCB基板，分别焊接于PCB基板上面的复数各种电子元件。
铜箔层基板主体高密度互连保护膜芯板层棕化层线路板粗糙表面光滑表面焊接过程化学处理上下表面导通孔铜箔片粘合力爆板复数埋孔盲孔排出无铅焊接侵蚀

[发明专利]一种用于图像传感器的结构的制造方法-CN201310747025.3有效
发明人：顾学强;周伟;陈力山 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于图像传感器的结构的制造方法，其包括在衬底上形成多个像素单元的光电二极管、MOS晶体管和悬浮漏极；形成接触孔和第一层金属互连线，所述第一层金属互连线包括通过所述接触孔与所述MOS晶体管和所述悬浮漏极电连接的部分；可选择地形成第一通孔及第二层金属互连线，其中所述第二层金属互连线未和所述第一层金属互连线与所述悬浮漏极电连接的部分相连；以及形成第二通孔及第三层金属互连线，其中所述第二通孔位于所述第一层金属互连线与所述悬浮漏极电连接的部分的正上方，所述第三层金属互连线通过所述第二通孔与所述第二通孔下方的金属互连线电连接。
一种用于图像传感器结构制造方法

[发明专利]导电无电镀沉积刻蚀停止层、衬垫层及通孔插塞在互连结构中的使用-CN03800585.9无效
发明人：瓦莱丽·迪宾;展常·程;马卡连姆·候赛因;披·源;吕特·布雷恩 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2003-04-25 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了多层互连结构和用于制造所述互连结构的方法。该互连结构可以包含互连线、在互连线上面形成的无电镀沉积金属层、在金属层上面形成的通孔以及在通孔上面形成的第二互连线。金属层可以向下面的互连线提供保护，并可以取代传统的保护性电介质层。金属层是导电的而非电介质，并为通孔和互连线之间的电流通过提供分路。还可以在互连结构中使用类似金属层作为通孔衬垫层与通孔插塞。
导电电镀沉积刻蚀停止衬垫通孔插塞互连结构中的使用

[实用新型]集成电路金属互连线结构-CN201420413106.X有效
发明人：甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本实用新型提供一种集成电路金属互连线结构，包括半导体衬底及形成于其上的至少一层金属层，相邻金属层之间形成有层间介质层；所述金属层包括至少一条金属互连线，所述金属互连线中形成有若干纵向长条形通槽或倾斜长条形通槽，所述金属互连线的长度大于布莱什长度。本实用新型通过在金属互连线中设置纵向或倾斜长条形通槽，使得金属互连线类似于由若干段短导线连接而成，每一段短导线的长度均小于布莱什长度，从而有效抑制金属互连线的电迁移，而总的金属互连线长度又可以远大于布莱什长度，从而大幅减少互连金属层的层数，降低集成电路复杂性，提高器件可靠性；横向长条形通槽可以使应力分布更加均匀，进一步降低晶界扩散，改善电迁移。
集成电路金属互连结构

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201510456364.5有效
发明人：张冠群;何朋;蒋剑勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：所述方法包括：提供基底；在所述基底上形成钨层；在所述钨层表面形成金属互连层；刻蚀所述钨层和金属互连层，形成至少一个金属互连线；在所述金属互连线和所述基底上覆盖第二绝缘层；在所述第二绝缘层内形成第二金属互连结构，所述第二金属互连结构位于所述金属互连线上方。先形成一层较薄的钨层再形成金属互连层，构成金属互连线；所述钨层作为所述金属互连线的一部分材料，当器件导通时，所述钨层起到了电流分流作用，可以改善金属迁移失效现象。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]集成电路制作过程中冗余金属填充的方法及半导体器件-CN201110172941.X有效
发明人：周隽雄;陈岚;阮文彪;李志刚;王强;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-24 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路制作过程中冗余金属填充的方法，涉及半导体器件技术领域，能够减小因冗余金属填充带来的耦合电容的影响，该方法包括：在包含介质层的半导体基片上分别形成互连线沟槽和冗余金属沟槽，所述冗余金属沟槽的深度小于所述互连线沟槽的深度；对所述互连线沟槽和所述冗余金属沟槽进行电镀并对电镀表面进行平坦化处理，形成厚度小于互连线金属厚度的冗余金属。本发明还公开一种半导体器件，所述半导体器件包括多层互连结构，每层所述互连结构包括介质层和在所述介质层上制成的互连线金属和冗余金属，其中，所述冗余金属厚度小于所述互连线金属厚度。本发明用于集成电路制作。
集成电路制作过程冗余金属填充方法半导体器件

[发明专利]一种TSV耦合和RDL互连的片上无源巴伦及制作工艺-CN202010964493.6有效
发明人：董刚;熊伟;朱樟明;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H03H7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种TSV耦合和RDL互连的片上无源巴伦及制作工艺，巴伦结构包括硅基片以及依次设置在其上的TSV耦合单元、底部RDL互连线、顶部互连线和接地通孔。TSV耦合单元由TSV两两电容性耦合形成。顶部互连线设置在硅基片的顶部，RDL互连线则设置在硅基片的底部，每段均由两条平行的矩形导体组成。多组顶部互连线、耦合单元与RDL互连线连接形成曲折线形的巴伦总耦合路径。本发明可用于实现将单端非平衡信号转换为双端平衡输出信号的巴伦电路功能，与现有技术相比具有集成密度更高、垂直互连串扰与噪声更小、可选频率范围广的优点。
一种 tsv 耦合 rdl 互连无源制作工艺

[发明专利]一种带有空气间隙的大马士革制造方法-CN201210228259.2无效
发明人：李磊;陈玉文;胡友存;姬峰;梁学文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供的一种带有空气间隙的大马士革制造方法，包括以下步骤：在一半导体基体上形成第一金属互连线；刻蚀去除第一空气间隙区域的介电层形成第一金属互连线间间隙；淀积第二介电层形成第一空气间隙；在第二介电层上采用双大马士革刻蚀工艺形成第二金属互连线；刻蚀去除第二空气间隙区域的介电层形成第二金属互连线间间隙；淀积第三介电层，在第二金属互连线间间隙形成第二空气间隙。本发明减小了铜互连线间寄生电容，降低了金属互连RC延迟问题，并且同时改善了铜互连电子迁移和应力迁移可靠性。
一种带有空气间隙大马士革制造方法

[发明专利]一种大马士革制造工艺-CN201110265236.4无效
发明人：李磊;陈玉文;胡友存;姬峰;张亮 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种大马士革制造工艺，通过在铜互连线上覆盖可防铜扩散的金属保护层，并且不在铜互连线上覆盖介电阻挡层，不仅相应提高了铜互连线电子迁移和应力迁移的可靠性，而且能够改善铜互连线
一种大马士革制造工艺

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