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[发明专利]一种基于雷电网络和信誉值的停车交易方法-CN202211246322.5在审
发明人：李先贤;蒋剑勇;刘鹏;李东城;先有全;李欣 -专利权人：广西师范大学
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G07B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于雷电网络和信誉值的停车交易方法，包括如下步骤：步骤一:用户通过移动终端登录以太坊区块链客户端进行用户注册；步骤二：信息上传；步骤三：交易申请；步骤四：交易匹配；步骤五：停车；步骤六：交易。这种方法增强了对车位主和停车用户信息的保护，实现去信任的交易；在支付上实现高效，频繁，小额，低费交易；有效节省了管理费用，实现了停车位的高效共享。
一种基于雷电网络信誉停车交易方法

[发明专利]一种基于设备特性的异步联邦学习的任务调度方法-CN202211174103.0在审
发明人：刘鹏;先友全;李东城;蒋剑勇;霍浩 -专利权人：广西师范大学
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G06N20/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于设备特性的异步联邦学习的任务调度方法，包括如下步骤：阶段一：初始化模型，设置训练超参数；阶段二：选择设备，分配训练任务；阶段三：参与设备进行本地训练；阶段四：参数服务器聚合。这种方法收敛速度快，资源利用率高，提高了联邦学习中的资源利用率、增加设备与服务器的交互。
一种基于设备特性异步联邦学习任务调度方法

[实用新型]一种蒸馏塔尾气处理系统-CN202221041000.2有效
发明人：曾小东;陈昭龙;王传盟;徐成;蒋剑勇 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： B01D3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种蒸馏塔尾气处理系统，其可避免蒸馏塔损坏，其技术方案：包括蒸馏塔，还包括一尾气吸收装置，所述蒸馏塔的顶部设有尾气输送管，所述尾气输送管与所述尾气吸收装置连接，所述尾气吸收装置内放置有用于吸收尾气的金属，属于尾气处理领域。
一种蒸馏尾气处理系统

[发明专利]一种氯化物的除水及纯化方法-CN202210442334.9在审
发明人：曾小东;徐成;蒋剑勇 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C01G28/00 文献下载
摘要：本发明属于工业原料纯化技术领域，公开了一种氯化物的除水及纯化方法。所述方法包括如下步骤：往脱氯后的氯化物中加入浓硫酸，搅拌混合后静置分层，然后取下层氯化物通过分子筛深度除水，得到除水后的氯化物进一步进入金属精馏塔除杂，得到除水及纯化后的氯化物。本的除水及纯化方法流程简单，除水高效，有效的解决了由于氯化物带水而产生裂釜、管道堵塞、沉渣等一系列问题，提高了设备运行的稳定性，降低了安全风险。同时除水后的氯化物直接进入金属设备精馏除杂，经过金属设备除杂提纯后的氯化物同样可以满足6N以上纯度的要求。
一种氯化物纯化方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201510456364.5有效
发明人：张冠群;何朋;蒋剑勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其制造方法。所述方法包括：提供基底；在所述基底上形成钨层；在所述钨层表面形成金属互连层；刻蚀所述钨层和金属互连层，形成至少一个金属互连线；在所述金属互连线和所述基底上覆盖第二绝缘层；在所述第二绝缘层内形成第二金属互连结构，所述第二金属互连结构位于所述金属互连线上方。先形成一层较薄的钨层再形成金属互连层，构成金属互连线；所述钨层作为所述金属互连线的一部分材料，当器件导通时，所述钨层起到了电流分流作用，可以改善金属迁移失效现象。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]金属连线的制作方法及半导体器件-CN201510089967.6有效
发明人：何朋;蒋剑勇;张冠群 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供了一种金属连线的制作方法及半导体器件。其中，该制作方法包括：在半导体基体上形成具有通孔的介质层；通过溅射沉积在通孔的内壁上形成金属成核层；以及在通孔中的金属成核层上填充形成金属主体层，且金属成核层和金属主体层构成金属连线。由于溅射工艺中金属具有随着沉积时间逐渐上升的成核速率，从而使沉积形成的金属成核层能够均匀地覆盖于通孔中，同时也提高了通孔内金属成核层的沉积量；并且由于最终的成核速率够接近或达到金属主体层的成核速率，从而使金属成核层能够更好的与金属主体层结合，进而使最终形成的金属连线能够更充分地填充到位于晶圆不同位置上的通孔中，并且使得金属连线与通孔之间具有良好的粘结性。
金属连线制作方法半导体器件

[发明专利]金属互连层的金属化工艺-CN201510181835.6有效
发明人：何朋;蒋剑勇;杨益 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供了一种金属互连层的金属化工艺。该金属化工艺包括：步骤S10，在晶片的基底上形成具有开口的介质层；步骤S20，在介质层的表面和开口中设置扩散阻挡层；步骤S30，对具有介质层和扩散阻挡层的晶片进行热处理；步骤S40，真空状态下，在步骤S30形成的晶片的表面上设置铜籽晶层；以及步骤S50，对经过步骤S40处理的结构进行冷却。该金属化工艺，在步骤S30中对设置扩散阻挡层后形成的晶片进行热处理，使得晶片的各层之间的应力得到良好的释放，减小了晶片的曲翘程度，使得晶片的曲率半径较小，可利用静电吸盘对其进行固定完成金属互连层的制作，从而获得较好的金属化结构，避免了晶片的报废，提高了器件的良率。
金属互连金属化工艺

[发明专利]导电插塞结构及其形成方法-CN201510736229.6在审
发明人：张冠群;何朋;蒋剑勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种导电插塞结构及其形成方法，其中方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成接触孔；形成填充满所述接触孔的钨导电层，所述钨导电层包括至少两层层叠的钨导电单元层，所述钨导电单元层为钨成核层和位于钨成核层表面的钨体层。所述导电插塞的形成方法提高了钨导电层填充接触孔的能力。
导电结构及其形成方法

[发明专利]铜金属化工艺-CN201510144461.0在审
发明人：何朋;蒋剑勇;孙日辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供了一种铜金属化工艺。该铜金属化工艺包括：步骤S1，在形成预通孔的晶片的表面上设置金属阻挡层；步骤S2，在金属阻挡层的表面上设置铜籽晶层；步骤S3，在铜籽晶层上设置铜层；以及步骤S4，去除预通孔以外的金属阻挡层、铜籽晶层与铜层，形成通孔；其中，步骤S2包括：步骤S21，在金属阻挡层的表面上淀积铜籽晶层；步骤S22，将铜籽晶层冷却的同时向铜籽晶层通氧气，形成铜氧化层；步骤S23，去除铜氧化层。该铜金属化工艺使得铜层与铜籽晶层之间不再具有氧化铜和有机杂质气体，二者的粘结性较好，大大减小了铜层拔出现象的发生的几率，甚至从根本上消除铜层拔出现象的产生。
金属化工艺

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201310739683.8在审
发明人：张继伟;李志超;蒋剑勇;林保璋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法包括提供晶圆，晶圆分为器件区和晶圆边缘；在晶圆上形成第一介质层；在第一介质层中形成对应器件区的第一接触孔、和对应晶圆边缘的第二接触孔；形成导电层，导电层覆盖第一介质层、填充满第一接触孔，并填充第二接触孔，第二接触孔中的导电层具有连通第二接触孔开口和底部的孔洞；形成填充层，填充层覆盖导电层、填充满孔洞；去除第一介质层上的导电层和填充层，第一接触孔中剩余的导电层作为第一层插塞层，第二接触孔中剩余的填充层和导电层作为第一层伪插塞层。第一层伪插塞层能够承受较大的应力，多层伪插塞层和伪金属层不会出现剥落现象。这样，第一介质层的绝缘隔离性能较佳。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]检测MOCVD反应系统情况的方法-CN201010619752.8有效
发明人：韩亮;李志超;欧阳东;蒋剑勇;林保璋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G01M3/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测MOCVD反应系统情况的方法，该方法通过在制备有氧化物的半导体衬底上先制备金属钛膜，再将制备有金属钛膜的半导体衬底传送至MOCVD反应腔内，同时关闭MOCVD反应系统的加速泵及第二阀门，开启初始泵及第一阀门，并在高温情况下将所述半导体衬底在MOCVD反应腔内保持第一时间，之后再利用MOCVD法在所述金属钛膜上制备氮化钛膜，通过测量氮化钛膜与金属钛膜组合结构的薄膜电阻，并与标准电阻范围进行比较，从而判断MOCVD反应系统是否存在漏气及气体倒流情况，该方法简单方便，并可全面检测MOCVD反应系统的情况。
检测 mocvd 反应系统情况方法

[发明专利]一种MOCVD加热装置、其形成方法和一种MOCVD形成薄膜的方法-CN201010245306.5有效
发明人：钟飞;蒋剑勇;林艺辉;欧阳东;李志超 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本发明提供一种MOCVD加热装置形成方法，包括：提供MOCVD加热部，所述加热部具有上表面，所述上表面用于放置待沉积薄膜的基底；形成覆盖所述加热部上表面的隔离层；去除所述隔离层的杂质元素。本发明还提供一种所述MOCVD加热装置形成方法所形成的加热装置，及使用所述加热装置进行MOCVD形成薄膜的方法，以解决对位于加热部上的基底进行膜层基底时，出现的膜层厚度不均匀的问题。
一种 mocvd 加热装置形成方法薄膜

[发明专利]电化学电镀设备和方法-CN200910195634.6有效
发明人：孙日辉;倪百兵;蒋剑勇;张继伟;王鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种电化学电镀设备和方法，其中电镀设备包括：机械手臂，用于晶片的运输；电镀槽，用于对晶片进行电镀；清洗槽，用于对电镀后的晶片进行清洗；控制装置，用于对机械手臂、电镀槽及清洗槽进行控制，且当对晶片进行电镀的电镀时间小于清洗时间时，控制装置用于对晶片在电镀槽内的停留时间进行调整，从而延长晶片在电镀槽内的停留时间。本发明通过对电镀设备和方法进行改进，提高了电镀设备的利用率。
电化学电镀设备方法

[发明专利]增加钽圈使用寿命的处理方法-CN200810038387.4无效
发明人：郑晖;吴廷斌;蒋剑勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提出一种集成电路制造工艺涂覆制程中增加钽圈使用寿命的处理方法，将使用后的钽圈放入到氮气柜内隔离，将上述钽圈取出放入烘烤箱内进行烘烤，然后对上述冷却后的钽圈进行重组装，再对上述钽圈进行预烧处理以及溅镀处理，这样处理后的钽圈又可被再次使用，有效的增加了钽圈的使用寿命以及钽圈再次利用的次数，从而降低了涂覆制程中使用钽圈的运行成本。
增加使用寿命处理方法

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