“二硅化钽”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果10834225个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]合脂分散硼化钽碳化硼-碳纤维摩擦材料的制备方法-CN201610014371.4有效
发明人：唐竹兴 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：合脂分散硼化钽碳化硼‑碳纤维摩擦材料的制备方法，其特征在于，将密度为0.1~1.8g/cm3石墨化的碳纤维毯进行渗碳处理后进行沉积碳化硼处理，再进行合脂分散硼化钽填充处理，再进行埋入渗硅处理，然后在氮气气氛中氮化处理制得合脂分散硼化钽碳化硼本发明是采用石墨化碳纤维毯通过渗碳、沉积碳化硅、填充硼化钽、埋入渗硅及氮化等步骤实现摩擦材料的制备，所制备的摩擦材料高强度、高韧性、高摩擦性能，适应各种气候条件下的摩擦材料。
硼化钽碳化硼制备碳纤维摩擦材料摩擦材料埋入渗硅沉积石墨化碳纤维氮化氮化处理气候条件渗碳处理填充处理高摩擦高韧性石墨化碳化硅碳纤维渗碳填充

[发明专利]合脂分散硼化钽碳化硅‑碳纤维摩擦材料的制备方法-CN201610014297.6有效
发明人：唐竹兴 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：合脂分散硼化钽碳化硅‑碳纤维摩擦材料的制备方法，其特征在于，将密度为0.1~1.8g/cm3石墨化的碳纤维毯进行渗碳处理后进行合脂分散硼化钽填充处理，再进行沉积碳化硅处理，再进行埋入渗硅处理，然后在氮气气氛中氮化处理制得合脂分散硼化钽碳化硅本发明是采用石墨化碳纤维毯通过渗碳、填充硼化钽、沉积碳化硅、埋入渗硅及氮化等步骤实现摩擦材料的制备，所制备的摩擦材料高强度、高韧性、高摩擦性能，是适应各种气候条件下的摩擦材料。
分散硼化钽碳化硅碳纤维摩擦材料制备方法

[发明专利]乙醇分散硼化钽碳化硅‑碳纤维摩擦材料的制备方法-CN201610014328.8有效
发明人：唐竹兴 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：乙醇分散硼化钽碳化硅‑碳纤维摩擦材料的制备方法，其特征在于，将密度为0.1~1.8g/cm3石墨化的碳纤维毯进行渗碳处理后进行乙醇分散硼化钽填充处理，再进行沉积碳化硅处理，再进行埋入渗硅处理，然后在氮气气氛中氮化处理制得乙醇分散硼化钽碳化硅本发明是采用石墨化碳纤维毯通过渗碳、填充硼化钽、沉积碳化硅、埋入渗硅及氮化等步骤实现摩擦材料的制备，所制备的摩擦材料高强度、高韧性、高摩擦性能，是适应各种气候条件的摩擦材料。
乙醇分散硼化钽碳化硅碳纤维摩擦材料制备方法

[发明专利]一种发动机气门阀座-CN201610163148.6在审
发明人：蔡建斌 -专利权人：蔡建斌
申请日： 2016-03-19 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： B22F5/00 文献下载
摘要：一种发动机气门阀座，首先按照上述比例称取镍粉，Ti粉，Si粉，碳化钨，Al粉，Co粉，氧化钴，Zn粉，碳化钽，氧化铪，二硅化钼原料粉末并混合烧制，本发明发动机气门阀座使用了镍粉，Ti粉，Si粉，碳化钨，Al粉，Co粉，氧化钴，Zn粉，碳化钽，氧化铪，二硅化钼原料粉末,该原料成分通过压制烧结提高了产品的强度；2）通过粉末混合，压制烧结，退火，淬火，回火等工序使制造流程集约化，降低了生产成本。
一种发动机门阀

[发明专利]超声波分散硼化钽碳化硅‑碳纤维摩擦材料的制备方法-CN201610014266.0有效
发明人：唐竹兴 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：超声波分散硼化钽碳化硅‑碳纤维摩擦材料的制备方法，其特征在于，将密度为0.1~1.8g/cm3石墨化的碳纤维毯进行渗碳处理后进行超声波分散硼化钽填充处理，再进行沉积碳化硅处理，再进行埋入渗硅处理，然后在氮气气氛中氮化处理制得超声波分散硼化钽碳化硅本发明是采用石墨化碳纤维毯通过渗碳、填充硼化钽、沉积碳化硅、埋入渗硅及氮化等步骤实现摩擦材料的制备，所制备的摩擦材料高强度、高韧性、高摩擦性能，是适应各种气候条件下的摩擦材料。
超声波分散硼化钽碳化硅碳纤维摩擦材料制备方法

[发明专利]超声波分散硼化钽碳化硼-碳纤维摩擦材料的制备方法-CN201610014382.2有效
发明人：唐竹兴 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：超声波分散硼化钽碳化硼‑碳纤维摩擦材料的制备方法，其特征在于，将密度为0.1~1.8g/cm3石墨化的碳纤维毯进行渗碳处理后进行沉积碳化硼处理，再进行超声波分散硼化钽填充处理，再进行埋入渗硅处理，然后在氮气气氛中氮化处理制得超声波分散硼化钽碳化硼本发明是采用石墨化碳纤维毯通过渗碳、沉积碳化硅、填充硼化钽、埋入渗硅及氮化等步骤实现摩擦材料的制备，所制备的摩擦材料高强度、高韧性、高摩擦性能，是适应各种气候条件的摩擦材料。
硼化钽超声波分散碳化硼制备碳纤维摩擦材料摩擦材料埋入渗硅沉积石墨化碳纤维氮化氮化处理气候条件渗碳处理填充处理高摩擦高韧性石墨化碳化硅碳纤维渗碳填充

[发明专利]一种硼化铪-碳化硅-石墨-硅化钽复合陶瓷发热体及其制备方法-CN201610419928.2有效
发明人：陈亚西;朱文彬;王向阳;任兰正;郑娇玲;葛秀涛;郑建东 -专利权人：滁州学院
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼化铪‑碳化硅‑石墨‑硅化钽复合陶瓷发热体及其制备方法，按以下步骤进行：按比例配取硼化铪、碳化硅、石墨及硅化钽混合粉末作为球磨物料，将球磨物料与无水乙醇按体积比为1：(1～2)的比例加入球磨机中球磨；其中，硼化铪体积百分比为60vol％～83vol％，碳化硅的体积百分比10vol％～20vol％，石墨的体积百分比为5vol％～15vol％，硅化钽的体积百分比为2vol％～5vol％；采用旋转蒸发器对混合浆料予以干燥本发明以硼化铪、碳化硅、石墨及硅化钽为原料，制备的发热体致密度高、使用温度高、在氧化性环境中最高使用温度达2500℃、抗氧化和机械强度优异，在安装使用过程不易发生断裂，且工艺简单，生产周期短，适合工业化生产
一种硼化铪碳化硅石墨硅化钽复合陶瓷发热及其制备方法

[发明专利]一种在钽合金材料表面制备抗氧化涂层的方法-CN201510041211.4有效
发明人：李海庆;陈道勇;徐方涛;张绪虎;贾中华;何开民;张春基;胡国林;贾文军 -专利权人：航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院
申请日： 2015-01-27 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种在钽合金材料表面制备抗氧化涂层的方法，属于高温涂层技术领域。本发明采用真空电弧沉积方法实现了钼涂层制备，并通过真空热处理工艺技术实现了钼涂层与钽合金基体之间发生扩散，提高涂层与基体之间的结合力，真空活化包渗工艺技术实现了硅化钼梯度涂层的制备，同时在硅化过程中，通过硅扩散反应形成以硅化钼复合涂层为抗氧化层，中间层为硅化钽的中间过渡层；该涂层在1800℃下抗氧化寿命达到50小时，1800℃至室温的热震寿命达到1300次。
一种合金材料表面制备氧化涂层方法

[发明专利]一种掺硅钽丝的制备方法-CN202010571093.9有效
发明人：王帆;郑浩宇;朱德忠;廖志刚;程钢 -专利权人：江门富祥电子材料有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺硅钽丝的制备方法，不同于传统的固态混料掺硅，本发明将掺硅步骤提前至制备氟钽酸钾的结晶步骤，利用硅易溶于氢氟酸，而氟硅酸钾在体系中溶解度微的性质，采用液态掺硅，达成硅能均匀进入氟钽酸钾中采用该氟钽酸钾生产钽丝，在还原、垂熔等后续工序中，硅不会损耗，最终均匀地进入钽丝中。采用本发明方法，能实现硅的均匀掺入，提升掺硅钽丝产品的性能。
一种掺硅钽丝制备方法

[实用新型]铁磁合金Co-Fe-C薄膜器件-CN201921612557.5有效
发明人：王嘉维;林现庆 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L41/12 文献下载
摘要：铁磁合金Co‑Fe‑C薄膜器件，由第一钽层、合金层、第二钽层和硅衬底层组成；所述的第一钽层、合金层、第二钽层和硅衬底层由上而下依次重叠，其中所述的第一钽层的厚度为5纳米，所述的合金层的厚度为20纳米，所述的第二钽层的厚度为5纳米，所述的硅衬底层的厚度为0.2和0.5毫米。
合金 co fe 薄膜器件

[发明专利]一种制作磁性随机存储器反应离子束刻蚀硬掩膜的方法-CN201610283967.4在审
发明人：张云森 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种制作磁性随机存储器反应离子束刻蚀硬掩膜的方法，包括如下步骤(1)提供包括磁性隧道结多层膜的衬底；(2)在衬底上依次形成钽膜层和硅化合物膜层；(3)图形化转移磁性隧道结图案到硅化合物膜层，使用光刻胶和有机抗反射层完成对磁性隧道结图案的图形化定义；(4)采用CF4干刻蚀硅化合物膜层；(5)采用Cl2/Ar混合气体或者CH4/Ar混合气体干刻蚀钽膜层；(6)除去残留的光刻胶和有机抗反射层。本发明中，钽对硅化合物的选择比高达5以上，是现有技术的10倍，有效改善了钽膜层刻蚀过后的图案和轮廓，消除了钽膜层在磁性隧道结刻蚀之前的消耗，降低了磁性随机存储器电路位线和磁性隧道结单元短路的风险。
一种制作磁性随机存储器反应离子束刻蚀硬掩膜方法

[发明专利]一种铝-硅-钽中间合金及其制备方法-CN201710120405.2有效
发明人：石磊;宋文婷 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：一种铝‑硅‑钽中间合金及其制备方法。本发明是铝‑硅‑钽中间合金，包含铝、硅、钽三种主要元素，各组分的质量百分比分别是：铝60.00%‑95.00%，硅1.00%‑30.00%，钽0.50%‑10.00%。该中间合金的制备工艺简单，成本低，适宜工业化生产,所制备的铝‑硅‑钽合金中间合金对过共晶铝硅合金中硅相有孕育变质作用。
中间合金制备共晶铝硅合金变质作用制备工艺钽合金

[发明专利]一种钽硅合金溅射靶材及其制备方法-CN201911167255.6在审
发明人：姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;马国成 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种钽硅合金溅射靶材及其制备方法。所述制备方法包括：(1)将钽粉和硅粉混合；(2)装入模具并封口；(3)对封口后的模具进行冷等静压处理，得到钽硅坯料；(4)将得到的钽硅坯料进行脱气处理；(5)在1050‑1350℃下对脱气后的包套进行热等静压处理，得到钽硅合金溅射靶材粗品；(6)经机加工得到钽硅合金溅射靶材。所述制备方法不仅有效防止了硅粉氧化，保证了产品纯度，还可使制备得到的钽硅合金溅射靶材达到99％以上的致密度，满足了钽硅合金溅射靶材致密度和内部组织结构均匀的要求，为后续溅射使用提供更优良的性能保障，而且具有工艺简单
一种合金溅射及其制备方法

[发明专利]铁磁合金Co-Fe-C薄膜器件及其制备方法-CN201910915402.7在审
发明人：王嘉维;林现庆 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L41/12 文献下载
摘要：本发明的铁磁合金Co‑Fe‑C薄膜器件，由第一钽层、合金层、第二钽层和硅衬底层组成；所述的第一钽层、合金层、第二钽层和硅衬底层由上而下依次重叠，其中所述的第一钽层的厚度为5纳米，所述的合金层的厚度为20纳米，所述的第二钽层的厚度为5纳米，所述的硅衬底层的厚度为0.2和0.5毫米。
钽层硅衬底层合金层薄膜器件铁磁合金自旋电子学器件磁致伸缩系数能量衰减系数磁电耦合热稳定性碳元素制备合金应用

[发明专利]一种使用碳化钽包覆钽丝为催化剂制备硅薄膜的方法-CN201010238694.4无效
发明人：李灿;程士敏;任通;高惠平;应品良 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2010-07-28 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种以碳化钽包覆钽丝为催化剂用于热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法。将此热丝催化剂用于硅薄膜的制备，催化剂表面的碳化钽层得到了很好的保持，没有观测到硅化物的生成，即表现出很好的抗老化性能，具有明显延长热丝催化剂使用寿命的潜力。本催化剂制备方法简单，条件易于控制，适用于热丝化学气相沉积制备各种晶化度的本征、掺杂及化合物硅薄膜。
一种使用碳化钽包覆钽丝催化剂制备薄膜方法