专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种记忆复合材料TiNaB合金及其制造方法-CN201410378513.6在审
  • 丁义存 - 丁义存
  • 2014-08-04 - 2016-02-03 - C22C38/54
  • 本发明公开了一种记忆复合材料TiNaB合金及其制造方法,该合金材料包括以下质量百分比的材料:钨元素1.0%、镍元素6.3%、钼元素2.1%、铬元素10.0%、钒元素3.2%、元素0.6%、钕元素0.6%、硼元素0.3%、元素1.10%、钚元素5.2%、金元素1.6%、钛元素5.3%、钴元素2.10%、以及余量的铁元素。本发明合金包含有钕元素,钛元素,硼元素,金元素,元素及镍钼铬锰钴钒铁材料元素于挤压等热成形时,钨镍钼铬锰钴钒铁元素反应析出钨化合物。借以提高钨基钕硼钛金合金的刚性强度和记忆性无甚损其延展性,同时降低钨铬锰合金的密度,以减轻钨基合金的重量,满足目前钨基钕硼钛金合金必须轻质且兼具碰记录性,反回弹性,与延展性的要求。
  • 一种记忆复合材料tinab合金及其制造方法
  • [发明专利]包括多晶金刚石膜的接合衬底-CN202210419514.5在审
  • 徐文清;蓝迪;克里斯托弗·克彭 - II-VI特拉华有限公司
  • 2022-04-21 - 2022-10-25 - H01L21/02
  • 一种晶片具有含层、沉积在所述含层上的多晶金刚石层以及在所述含层的另一侧上的用于减小晶片弯曲的弯曲补偿层。一种制造接合结构的方法包括用于在一个衬底的表面上产生悬空键的活化过程,随后在低温下使所述表面与第衬底进行接触接合。接合结构可包括彼此接触接合的两个衬底,一个衬底包括含层、多晶金刚石层、用于减小所述第一衬底的晶片弯曲的弯曲补偿层,并且另一个衬底包括氮化镓、碳化硅、铌酸锂、酸锂、砷镓、磷化铟或除金刚石以外的另一合适材料
  • 包括多晶金刚石接合衬底
  • [发明专利]一种表面增强拉曼散射基底及其制备方法和应用-CN202210062699.9在审
  • 葛源才;王毅;杨莹 - 温州医科大学
  • 2022-01-19 - 2022-11-04 - G01N21/65
  • 一种表面增强拉曼散射基底,包括基片和设置在基片一侧的硒薄膜,该基底的制备方法包括以下步骤:S1,硒粉体的准备;S2,制备硒分散液:在保护气体氛围中,对硒粉末进行锂离子插层反应,在40‑70℃条件下反应24‑72h,对所得混悬液进行超声分散,离心去除大颗粒粉末后获得硒纳米分散液;S3,制备表面增强拉曼散射基底:将硒分散液稀释至溶液介质中,去除团聚的纳米片,将硒/溶液介质分散液抽滤到基片表面硒薄膜原料易得,价格便宜,且SERS信号均匀性更好,是理想的SERS基底材料。
  • 一种表面增强散射基底及其制备方法应用

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