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[发明专利]硼化钽粉体的制备方法-CN201110135960.5无效
发明人：唐竹兴;张鹤 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2011-05-25 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明提供一种硼化钽粉体的制备方法，包括配料、混合、固化、制粉、压块、烧成和制粉，其特征在于：将五氧化二钽粉体、碳化硼粉体和B2O3粉体与酚醛树脂混合，在40～100℃的温度下固化后制粉，将粉体压制成块体然后在1350℃～2000℃的温度氩气或氢气气氛烧制6～8小时制得硼化钽块体，经脱碳后粉碎制得硼化钽粉体。本发明具有工艺简单，硼化钽粉体纯度高，烧结性能好成本低的特点。
硼化钽粉体制备方法

[发明专利]一种改善铌酸锂薄膜晶圆稳定性的工艺方法-CN202210798473.5在审
发明人：侯松岩 -专利权人：侯松岩
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明提出一种的工艺制备过程，用来制作耐高温的单晶薄膜铌酸锂或钽酸锂晶圆。在进行离子注入之后，在晶片和硅衬底旋涂氢倍半硅氧烷聚合物光刻胶，然后在进行晶圆键合，通过调整热退火的温度、时间以及气体，使晶片内部形成损伤层膨胀，进而将薄膜剥离，同时将氢倍半硅氧烷聚合物光刻胶变性成为致密的二氧化硅薄膜利用此工艺制备的铌酸锂或钽酸锂薄膜晶圆的耐高温性能将会大大提高，极大拓展了铌酸锂或者钽酸锂薄膜材料在微纳器件领域的应用。
一种改善铌酸锂薄膜稳定性工艺方法

[发明专利]一种高电导率钽酸理晶片黑化的装置-CN202211328959.9在审
发明人：刘砚滨;赵中阳;赵春锋;于会永 -专利权人：大庆溢泰半导体材料有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电导率钽酸理晶片黑化的装置，包括基座，基座的顶部固定安装有反应罐，反应罐的一侧连通有通气组件，反应罐内腔的底部可拆卸安装有加热装置，加热装置的顶部可拆卸安装有顶出组件，顶出组件的顶部固定安装有振动组件本发明通过设置反应罐和坩埚，由于坩埚的材质为硅，即半导体材质，操作人员在将钽酸理晶片原料放入坩埚后，还可以向坩埚中加入部分耐高温掺杂物质(如陶瓷或沙子)，使得坩埚中的含杂质成分增高，可以使得坩埚中的电导率升高，这样钽酸理晶片原料在反应罐中进行氧化黑化反应时，电导率的升高可以使晶片体内载流子的浓度大量增加，提高了钽酸理晶片的成品质量。
一种电导率钽酸理晶片装置

[发明专利]用于铜互连金属化中的改善的阻挡结构及其形成方法-CN200910001875.2无效
发明人：野上毅;托马斯·M·肖;安德鲁·H·西蒙;琼·E·温;杨智超 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2009-01-14 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于铜互连金属化中的改善的阻挡结构及其形成方法。该方法在多层集成电路结构的低K绝缘层中图案化至少一个开口，从而铜导体在该开口的底部暴露。然后该方法在第一腔中用第一氮化钽层装衬该开口的侧壁和底部并在第一腔中在第一氮化钽层上形成钽层。接着，在第一腔中对该开口进行溅射蚀刻，从而在开口的底部暴露导体。仍在第一腔中，第二氮化钽层形成在导体、钽层和第一氮化钽层上。在第二氮化钽层形成之后，这里该方法在不同的第二腔中在第二氮化钽层上形成包括铂族金属的闪光层。
用于互连金属化中的改善阻挡结构及其形成方法

[发明专利]一种纳米聚晶二硼化钽块体材料及其制备方法-CN202210792020.1在审
发明人：刘世杰;马帅领;赵行斌 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米聚晶二硼化钽块体材料及其制备方法，其制备方法主要包括如下步骤：将钽粉和硼粉按照1：（2~4）的摩尔比混合均匀，得到混合粉末；利用液压机将混合粉末压制成型，得到块状坯体；将块状坯体置于加热容器中的合成腔体内，在5.0 GPa的压力下、1100~1400℃的温度下保温保压20min；到达设定时间后，停止加热，自然冷却至室温，然后卸压至常压，即得到二硼化钽块体材料。该制备方法不需要特殊的纳米前驱体与复杂的合成工艺，直接通过单质成分的混合，通过调节合成温度来调整二硼化钽材料的组份、纯度以及晶粒大小，一步制备出纳米聚晶二硼化钽块体材料。
一种纳米聚晶二硼化钽块体材料及其制备方法

[发明专利]一种具有铒掺杂氧化钽脊形结构的波导放大器制备方法-CN201610518117.8有效
发明人：华平壤;陈朝夕 -专利权人：派尼尔科技（天津）有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G02F1/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有铒掺杂氧化钽脊形结构的波导放大器制备方法，通过本发明产生的放大器包括硅衬底、二氧化硅下包层、掺铒铌酸锂薄膜层、二氧化硅缓冲层、掺铒氧化钽脊形波导结构和二氧化硅上包层，采用硅基铌酸锂薄膜作为基片，利用与铌酸锂折射率相近的铒掺杂氧化钽作为脊形结构，在通信波段，通过铒离子的放大作用，能够弥补光传输和调制的过程中带来的光损耗；相对于干法刻蚀技术，制备的脊形结构工艺成本低，成品率高，提高了器件的稳定性
一种具有掺杂氧化钽脊形结构波导放大器制备方法

[发明专利]一种铌铁中铌、钽、硅、磷、铝成分含量测定方法-CN202210869008.6在审
发明人：陈德;朱文军;马婕;严毕 -专利权人：攀钢集团西昌钢钒有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01N23/223 文献下载
摘要：本发明属于冶金检化验技术领域，具体公开了一种铌铁中铌、钽、硅、磷、铝成分含量测定方法，通过将待测试样进行预氧化；将预氧化后的试样制成待测定样片；采用X射线荧光光谱仪测定待测定样片铌、钽、硅、磷和铝的强度，并根据所述强度计算对应的铌铁中铌、钽、硅、磷、铝的含量。不需要使用强腐蚀液体试剂氢氟酸，可以显著提高操作的安全性，处理过程简单且所用的设备简单、成本低，实验条件方便控制，不会因实验条件的细微变化造成成分含量测定不准、精密度差，提高了检测精密度和准确度，并且可以同时测定铌铁中铌、钽、硅、磷、铝成分含量，检测时间缩短至5h以内，显著提高了检测效率。
一种铌铁中铌成分含量测定方法

[发明专利]具有改进微型结构的层状超晶格材料的制造方法-CN01818340.9无效
发明人：柄泽润一;维克伦·荷西 -专利权人：塞姆特里克斯公司;精工爱普生株式会社
申请日： 2001-10-30 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在第一实施例中，在第一电极(48)的顶部形成钽酸锶铋层(5)和第二电极(52)。在最后晶化退火之前，对第一电极(48)、钽酸锶铋层(50)和第二电极(52)进行构图。然后在衬底(28)上进行最后晶化退火。在第二实施例中，在第一和第二层(50)、(132)的顶部形成第二电极(52)之前，在钽酸锶铋层(50)的顶部淀积第二层钽酸锶铋层(132)。在第三实施例中，在钽酸锶铋层(50)上进行精细控制的UV烘焙工艺。在第四实施例中，在构图工艺之后和最后晶化退火工艺之前，在衬底上进行附加的快速热退火工艺。
具有改进微型结构层状晶格材料制造方法

[发明专利]从甘油制备丙烯醛的方法-CN201610190995.1有效
发明人：维吉妮·贝利埃尔-巴卡;斯特凡·洛里当;让-马克·米莱;帕斯卡兰·洛里奥尔-加尔贝 -专利权人：安迪苏法国联合股份有限公司;国家科学研究中心
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： C07C45/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于从甘油制备丙烯醛的方法，包括在催化剂的存在下实现甘油的脱水，所述催化剂至少由以下组成a)锆和至少一种金属M的混合氧化物，所述金属M选自铌、钽和钒，b)氧化锆和至少一种金属M氧化物，所述金属M选择铌、钽和钒，c)氧化硅、锆和至少一种金属M的混合氧化物，所述金属M选自钨、铈、锰、铌、钽、钛、钒和硅，d)氧化硅以及锆和至少一种金属M的混合氧化物，所述金属M选自钨、铈、锰、铌、钽、钒和钛，e)氧化钛、锆和至少一种金属M的混合氧化物，所述金属M选自钨、铈、锰、铌、钽、钛、钒和硅，f)氧化钛以及锆和至少一种金属M的混合氧化物，所述金属M选自钨、铈、锰、铌、钽、钛、钒和硅。
甘油制备丙烯醛方法

[发明专利]从甘油制备丙烯醛的方法-CN200980149804.5无效
发明人：维吉妮·贝利埃尔-巴卡;斯特凡·洛里当;让-马克·米莱;帕斯卡兰·洛里奥尔-加尔贝 -专利权人：安迪苏法国联合股份有限公司;国家科学研究中心
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C07C45/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于从甘油制备丙烯醛的方法，包括在催化剂的存在下实现甘油的脱水，所述催化剂至少由以下组成a)锆和至少一种金属M的混合氧化物，所述金属M选自铌、钽和钒，b)氧化锆和至少一种金属M氧化物，所述金属M选择铌、钽和钒，c)氧化硅、锆和至少一种金属M的混合氧化物，所述金属M选自钨、铈、锰、铌、钽、钛、钒和硅，d)氧化硅以及锆和至少一种金属M的混合氧化物，所述金属M选自钨、铈、锰、铌、钽、钒和钛，e)氧化钛、锆和至少一种金属M的混合氧化物，所述金属M选自钨、铈、锰、铌、钽、钛、钒和硅，f)氧化钛以及锆和至少一种金属M的混合氧化物，所述金属M选自钨、铈、锰、铌、钽、钛、钒和硅。
甘油制备丙烯醛方法

[发明专利]经过锭冶金的细粒铌片-CN200510118520.3无效
发明人： P·R·艾莫内;K·D·莫塞;R·A·多维;R·巴特 -专利权人： H.C.施塔克公司
申请日： 2005-10-27 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： C22C1/04 文献下载
摘要：一种制造铌或钽的含硅合金的方法，包括：A)形成包含铌或钽粉末和硅粉末的混合物，并挤压该混合物形成压制混合物；B)将该压制混合物附着到包含铌或钽的电极上；C)在真空电弧再熔条件下熔融该电极和压制混合物，使得该混合物与该熔融的电极混合该方法提供了粒径比ASTM 5细的完全再结晶的铌或钽锻件，其可用于制造深拉杯和溅射靶。
经过冶金细粒

[发明专利]一种磨削机用抗冲击材料-CN201610245786.2在审
发明人：顾云龙;王小平 -专利权人：苏州市相城区明达复合材料厂
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种磨削机用抗冲击材料，所述磨削机用抗冲击材料由铁、铬、铝、锰、钒、钽、硼以及硅八种成分组成，所述磨削机用抗冲击材料中各成分所占重量份数分别为：所述铁占80‑87份，所述铬占40‑45份，所述铝占23‑28份，所述锰占11‑14份，所述钒占8‑12份，所述钽占6‑10份，所述硼占13‑17份，所述硅占15‑19份。本发明采用铁、铬、铝、锰、钒、钽、硼以及硅八种成分组成，具有硬度高、强度高、耐磨损、抗冲击、使用寿命长的特点。
一种磨削机用抗冲击材料

[实用新型]一种采用脊形波导的马赫曾德光调制器晶片结构-CN201620724898.1有效
发明人：华平壤;姜城 -专利权人：派尼尔科技（天津）有限公司
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种采用脊形波导的马赫曾德光调制器晶片结构，包括硅衬底、二氧化硅下包层、铌酸锂薄膜、二氧化硅缓冲层、二氧化硅上包层、氧化钽脊形波导和行波电极。本实用新型旨在克服现有技术中存在的不足，提供了一种基于硅基铌酸锂薄膜氧化钽脊形波导的马赫曾德光调制器，在实现低功耗驱动的同时降低了调制器的尺寸，提高了器件的稳定性，具有制作工艺简便，器件尺寸小，弯曲半径小
一种采用脊形波导马赫曾德光调制器晶片结构

[发明专利]一种钽靶材及其制备方法与应用-CN202210583501.1在审
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;周友平;余婷 -专利权人：同创（丽水）特种材料有限公司;丽水元能电子材料研究院有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种钽靶材及其制备方法与应用，所述钽靶材的制备方法包括：将钽锭依次进行第一冷锻、第一热处理、第二冷锻、第二热处理和冷轧，得到钽靶材。通过两次冷锻、两次热处理和冷轧，实现了靶材再结晶度的调控，操作简便，易工业化；且制得的钽靶材纯度高，内部组织均匀。
一种钽靶材及其制备方法应用

[发明专利]靶及靶的生产方法-CN201980026624.1在审
发明人：皮特·波尔契克 -专利权人：普兰西复合材料有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种用于物理气相沉积的靶，所述靶具有以下化学成分：‑以下化合物中的至少两种化合物的混合物：二硼化钽(TaB2)和/或硼化钨(WB2和/或W2B5)和/或二硼化钽(TaB2)和硼化钨(WB)和/或二硼化钽(TaB2)和硼化钨(WB2和/或W2B5)的混合相以外的硼化物，其中就金属纯度而言，二硼化钽(TaB2)和/或硼化钨(WB2和/或W2B5)和/或二硼化钽(TaB2)和硼化钨(WB
生产方法