专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种多孔结构薄膜的制备方法及应用-CN201510195664.2有效
  • 陶海征;朱本钦;赵修建 - 武汉理工大学
  • 2015-04-22 - 2017-06-13 - C23C14/35
  • 本发明公开了一种多孔结构薄膜的制备方法及应用。采用磁控溅射的方法,用石墨靶和金属靶,制备C掺杂金属膜;再将掺C的金属膜至于退火炉中,在大气条件下退火,得到有相变效果的多孔薄膜。通过控制两个靶材的溅射功率来调整C掺杂量,依据C掺杂量和金属膜的厚度选择最佳退火温度、退火时间,可以得到性能优异的薄膜,红外透过率调节幅度达到45%,可见光透过率可达70%。本发明采用的基片为普通玻璃、石英玻璃及透明导电氧化物玻璃,在智能窗、光存储器件与光电开关等领域具有广阔的应用前景。
  • 一种多孔结构氧化薄膜制备方法应用
  • [发明专利]绝热性能良好的多孔硅基氧化薄膜及制备方法-CN200610014903.0无效
  • 胡明;梁继然;吕宇强;张之圣;刘志刚 - 天津大学
  • 2006-07-25 - 2007-01-03 - H01L31/02
  • 本发明公开了一种绝热性能良好的多孔硅基氧化薄膜及制备方法,属于氧化薄膜热敏电阻技术。所述的多孔硅基氧化薄膜,包括单晶硅基层、多孔硅层、硅层和氧化薄膜层。制备过程包括:将单晶硅片依次在浓硫酸、去离子水、丙酮、乙醇中清洗;在氢氟酸与无水乙醇的混合液中电化学腐蚀,腐蚀后用去离子水洗涤,制得多孔硅层;在等离子体化学气相沉积设备中在多孔硅层表面生成硅层;利用磁控溅射方法在硅/多孔硅衬底上,溅射得到绝热性能良好的多孔硅基氧化薄膜层,从而得到绝热性能良好的多孔硅基氧化薄膜本发明的优点在于,工艺条件容易控制,制得的薄膜致密,与衬底粘附性好,面积大且均匀,具有良好的绝热性能。
  • 绝热性能良好多孔氧化薄膜制备方法
  • [发明专利]一种钛/酸铋光阳极及其制备方法与应用-CN202110969751.4在审
  • 李伟华;魏立诚;李万锋 - 中山大学
  • 2021-08-23 - 2022-02-11 - C23F13/14
  • 本发明公开了一种钛/酸铋光阳极的制备方法,具体地,通过电沉积法和高温煅烧在水热法制备的薄膜表面掺入酸铋,制备得到钛/酸铋光阳极材料。钛和酸铋具有不同的能带隙,形成异质结,有效抑制了光生电子‑空穴的复合,有效提升了水热法制备的钛的开路电压稳定性。本发明还通过调节电沉积法的电镀恒电压和电镀时间控制氧化杂质的引入以及碘化铋在钛表面的沉积量,进一步改善钛光阳极的开路电位稳定性。本发明进一步在电镀恒电压为‑2V、电镀时间为5min的条件下制备钛/酸铋光阳极材料,其开路电位稳定性显著优于钛材料,具有长效抑制金属腐蚀的作用。
  • 一种氧化钒酸铋光阳极及其制备方法应用
  • [发明专利]一种薄膜的制备方法-CN202110622643.X在审
  • 于陕升;杨俊;田宏伟;齐共金;王笑夷;徐念喜 - 吉林大学
  • 2021-06-04 - 2021-08-20 - C01G31/02
  • 本发明提供了一种薄膜的制备方法,涉及功能材料技术领域。本发明将五氧化粉末、肼单盐酸盐、盐酸和水混合进行氧化还原反应,得到氯氧前驱液;将氯氧前驱液与水混合,得到稀释前驱液;将稀释前驱液与聚乙烯吡咯烷酮混合,得到溶胶;将溶胶在衬底表面依次进行预涂覆、旋涂和干燥,得到凝胶涂层;将凝胶涂层在无氧条件下进行退火,得到薄膜。本发明采用溶胶‑凝胶法,严格控制各工艺参数,在无掺杂和单层膜条件下,即可实现薄膜在可见光透射与红外突变率之间较好的平衡,在2500nm红外波段处的红外突变率高达69.7%,可见光透射率高达38.1
  • 一种氧化薄膜制备方法
  • [发明专利]辅助可切换多功能超材料器件-CN202210775309.2在审
  • 严德贤;邱宇;李向军 - 中国计量大学
  • 2022-07-01 - 2022-09-09 - H01Q15/00
  • 本发明公开了一种辅助可切换多功能超材料器件。该多功能超材料器件由正方形周期单元结构在平面上按阵列形式连续拼接而成;每个正方形周期单元结构由不同的功能层叠加而组成,从上至下依次是顶部贴片阵列、上层介质层、金属光栅层、薄膜、下层介质层和底部金属层;顶部贴片阵列由四个六边形贴片在上层介质层表面按2×2的形式排列而成;所述超材料器件通过改变的相变特性,能够实现宽带吸收器、偏振转换器和全反射三种功能的切换。
  • 氧化辅助切换多功能材料器件
  • [发明专利]薄膜及其制备方法-CN201110358236.9无效
  • 黄富强;丁尚军;李德增;赵伟 - 中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 2011-11-14 - 2012-03-21 - C23C18/12
  • 本发明涉及薄膜及其制备方法,配制四价前驱生长液,将洗净的基片直接浸入到该生长液中并转入高压反应釜内,在150~250℃温度下进行水热反应0.5~96小时,通过基片的诱导作用制得具有片状VO2堆积的薄膜本发明所制备的薄膜具有特定的微观形貌(如片状或棒状VO2堆积),是具有一定纳米结构的薄膜,这是传统的薄膜制备工艺(比如sol-gel,溅射等)所不能实现的;另外薄膜的纳米结构与直接合成的粉体微观形貌是有一定差别的且水热生长的VO2薄膜不通过退火就具有较好的结晶性。
  • 氧化薄膜及其制备方法
  • [发明专利]一种W与Eu共掺杂的薄膜及其制备方法-CN201611033798.5有效
  • 李祥;潘国平;管楚云;程兴旺;刘吉平 - 北京理工大学
  • 2016-11-15 - 2019-08-23 - C01G31/02
  • 本发明方法涉及一种W与Eu共掺杂的薄膜及其制备方法,属于功能材料领域。所述薄膜原子百分比为:(W+Eu)/(W+Eu+V)≤5at.%。其制备方法为:将钨酸和氧化铕溶解于过氧化氢形成澄清透明的溶液,将所得溶液与五氧化分散溶解于异丁醇,得到悬浊液A;向悬浊液A中加入浓盐酸和草酸加热搅拌得到溶胶B,经陈化得到溶胶‑凝胶前驱液;将溶胶‑凝胶前驱液旋转涂于洁净的基底表面,烘干,并重复旋涂步骤,得到预沉积前驱体薄膜;然后真空退火处理得到一种W与Eu共掺杂的薄膜。该薄膜在大幅度降低相变温度的同时能够保持对红外透过的高效的调节能力。
  • 一种eu掺杂氧化薄膜及其制备方法

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