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[发明专利]二氧化钒微结构图案及激光直写制备方法-CN202310471238.1在审
发明人：周鑫;顾德恩;包翔;赵天成;刘云波;申淼;蔡丹;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化钒微结构图案及激光直写制备方法。先通过反应磁控溅射，利用纯V靶在衬底上制备非晶氧化钒薄膜，然后将非晶氧化钒薄膜固定于激光加工平台，利用激光照射物体表面产生的高温效应对非晶氧化钒薄膜进行直写退火，经过激光直写的区域将由非晶的氧化钒结构转化为具备相变特性的二氧化钒微结构图案，通过激光加工平台的位移装置能够对二氧化钒微结构图案的形状进行直接调控。激光直写退火可以直写制备线宽小于8μm的二氧化钒微结构图案，通过调整位移平台可以对图案结构进行任意搭配和变化，制备工艺简单，设备依赖低。
氧化微结构图案激光制备方法

[发明专利]利用稀硫酸刻蚀提高二氧化钒薄膜可见光透过率的方法-CN201811210682.3在审
发明人：梁继然;郭津榜;赵一瑞 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用稀硫酸刻蚀提高二氧化钒薄膜可见光透过率的方法，采用稀硫酸处理的方式对磁控溅射结合快速退火制备的二氧化钒薄膜进行刻蚀，在整个制备过程中利用酸处理的方式将连续的平面二氧化钒薄膜刻蚀成分离的颗粒，提高薄膜孔隙率。先溅射金属钒薄膜，再进行热退火氧化，最后利用稀硫酸进行浸泡刻蚀，制造成本低廉，适合大批量工业生产。
刻蚀二氧化钒薄膜稀硫酸可见光透过率金属钒薄膜薄膜孔隙磁控溅射工艺条件快速退火制备过程制造成本热退火酸处理溅射制备浸泡

[发明专利]一种通过金纳米颗粒调控二氧化钒透射光谱的方法-CN201810050333.3在审
发明人：胡明;周立伟;梁继然 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过金纳米颗粒调控二氧化钒透射光谱的方法，该种复合薄膜主要是由VO2/Au/VO2三明治结构组成，首先是通过磁控溅射的方法在蓝宝石沉底上沉积一层金属钒薄膜，然后利用小型溅射仪沉积金纳米颗粒，随后再次沉积一层金属钒薄膜，最后将其放入快速热退火设备中进行退火，形成VO2/Au/VO2三明治结构，与平面薄膜相比，该种薄膜可有效调节二氧化钒薄膜透射光谱，进而达到改善二氧化钒自身颜色缺陷的目的，使其在智能窗领域的应用更加广泛
金纳米颗粒二氧化钒透射光谱沉积金属钒薄膜三明治结构快速热退火设备退火二氧化钒薄膜蓝宝石磁控溅射复合薄膜平面薄膜颜色缺陷有效调节溅射仪智能窗调控放入薄膜应用

[发明专利]太赫兹宽带吸收与极化转换双功能超材料实现方法-CN202210452763.4在审
发明人：路远;沈先雨;陈友才;冯云松;周长祺;王津;金伟;张震 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明公开了太赫兹宽带吸收与极化转换双功能超材料实现方法，包括超材料单元，所述超材料单元内侧的底部固定安装有基底反射板，所述基底反射板的顶部填充有聚乙烯环烯烃共聚物ToPaS介质层，所述聚乙烯环烯烃共聚物ToPaS介质顶部固定安装有二氧化钒薄膜层，所述二氧化钒薄膜层的底部固定安装有矩形长条，所述聚乙烯环烯烃共聚物介质层的顶部安装有外二氧化钒同心圆环贴片，所述外二氧化钒同心圆环贴片的内侧固定安装有内二氧化钒同心圆环贴片。本发明提出了在太赫兹频段具有宽带吸收与极化转换双功能的超材料器件，通过改变外界条件，将二氧化钒在绝缘态与金属态之间变换，实现了超材料器件的双功能切换。
赫兹宽带吸收极化转换功能材料实现方法

[实用新型]太赫兹宽带吸收与极化转换双功能超材料-CN202220993395.X有效
发明人：路远;沈先雨;陈友才;冯云松;周长祺;王津;金伟;张震 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明公开了太赫兹宽带吸收与极化转换双功能超材料，包括超材料单元，所述超材料单元内侧的底部固定安装有基底反射板，所述基底反射板的顶部填充有聚乙烯环烯烃共聚物ToPaS介质层，所述聚乙烯环烯烃共聚物ToPaS介质顶部固定安装有二氧化钒薄膜层，所述二氧化钒薄膜层的底部固定安装有矩形长条，所述聚乙烯环烯烃共聚物介质层的顶部安装有外二氧化钒同心圆环贴片，所述外二氧化钒同心圆环贴片的内侧固定安装有内二氧化钒同心圆环贴片。本发明提出了在太赫兹频段具有宽带吸收与极化转换双功能的超材料器件，通过改变外界条件，将二氧化钒在绝缘态与金属态之间变换，实现了超材料器件的双功能切换。
赫兹宽带吸收极化转换功能材料

[发明专利]一种基于二氧化钒的微纳光纤温度传感器及其制备方法-CN202211241787.1在审
发明人：甘霖;贠铭;郭新 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G01K11/324 文献下载
摘要：本发明属于微纳光纤制备相关技术领域，其公开了一种基于二氧化钒的微纳光纤温度传感器及其制备方法，包括以下步骤：(1)将单模光纤表面的涂覆层去掉一部分后，刻蚀去掉涂覆层区域的光纤包层或者采用熔融拉伸法对去掉涂覆层区域加热及拉伸以得到微纳光纤；(2)通过磁控溅射将金属钒镀到微纳光纤的刻蚀区域或者拉伸区域以得到纳米级别厚度的金属钒膜；(3)将镀膜后的微纳光纤在惰性气氛下进行退火处理以使得金属钒膜转变成M相二氧化钒膜，得到微纳光纤温度传感器。本发明采用磁控溅射镀金属膜后用管式炉退火的方法得到二氧化钒薄膜，可控的制备二氧化钒薄膜，纯净的二氧化钒M相薄膜可以稳定重复的制备，而且可以自主选择镀膜的厚度。
一种基于氧化光纤温度传感器及其制备方法

[发明专利]一种光控可调太赫兹波衰减装置-CN201410788576.9在审
发明人：王昌雷;李丹丹;武帅 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明提供一种光控可调太赫兹波衰减装置，所述衰减装置包括硅基-二氧化钒薄膜、激光发射器、准直器以及电源接口。所述硅基-二氧化钒薄膜垂直于太赫兹波束方向，所述激光发射器设置在硅基-二氧化钒薄膜一侧，所述激光发射器与准直器相连，所述电源接口与激光发射器相连。本发明通过调节电源端口的注入电流的大小，使激光发射器输出的光功率发生连续调节，由于硅基-二氧化钒薄膜在激光发射器作用下会发生半导体-金属相变，改变硅基-二氧化钒薄膜的电导率，从而使太赫兹波的吸收率发生变化
一种光控可调赫兹衰减装置

[实用新型]一种光控可调太赫兹波衰减装置-CN201420805372.7有效
发明人：王昌雷;李丹丹;武帅 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本实用新型提供一种光控可调太赫兹波衰减装置，所述衰减装置包括硅基-二氧化钒薄膜、激光发射器、准直器以及电源接口。所述硅基-二氧化钒薄膜垂直于太赫兹波束方向，所述激光发射器设置在硅基-二氧化钒薄膜一侧，所述激光发射器与准直器相连，所述电源接口与激光发射器相连。本实用新型通过调节电源端口的注入电流的大小，使激光发射器输出的光功率发生连续调节，由于硅基-二氧化钒薄膜在激光发射器作用下会发生半导体-金属相变，改变硅基-二氧化钒薄膜的电导率，从而使太赫兹波的吸收率发生变化
一种光控可调赫兹衰减装置

[发明专利]掺杂二氧化钒粉体和薄膜及其制备方法-CN201310072205.6有效
发明人：高彦峰;周家东;罗宏杰;曹传祥;金平实 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： C01G31/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺杂二氧化钒粉体和薄膜及其制备方法，所述掺杂二氧化钒粉体的化学组成为V_1-xM_xO₂，0<x≤0.5，其中M为掺杂元素，所述掺杂元素M是Mg或Al，且所述掺杂元素M用于改善所述掺杂二氧化钒粉体的光学性能和调节所述掺杂二氧化钒粉体的相变温度。
掺杂氧化钒粉体薄膜及其制备方法

[发明专利]一种钨掺杂二氧化钒薄膜及其制备方法和应用-CN202010017835.3在审
发明人：刘保顺;张军 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C03C17/245 文献下载
摘要：本发明公开一种钨掺杂二氧化钒薄膜及其制备方法和应用，该钨掺杂二氧化钒薄膜的膜厚为20～40nm，相变温度为25～45℃，可见光透过率为50～60％。本发明的钨掺杂二氧化钒薄膜相变温度低，能在人类生活最适宜的温度下发生相转变，满足智能玻璃窗的需求；本发明的制备方法采用金属钒靶和钨靶同时混合溅射，溅射时间短，简单易操作，后续退火时不需要加入其他气体，便于大规模生产
一种掺杂氧化薄膜及其制备方法应用

[发明专利]电驱动主动VO2-CN202211550010.3在审
发明人：马赫;李媛;张新平 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明涉及电驱动主动VO2/MXene超表面太赫兹调制器的制备方法，利用真空抽滤法制备MXene薄膜。利用激光直写法制备MXene超表面。利用磁控溅射技术制备二氧化钒薄膜。将上述制备的石英基底上的二氧化钒薄膜完全浸泡于缓冲氧化物刻蚀液(BOE)利用上述制备的MXene超表面从水中打捞自支撑二氧化钒薄膜，使得二氧化钒薄膜悬空于MXene超表面上，然后将VO2/MXene复合超表面静置1小时等待二者贴合晾干，得到VO2/MXene复合超表面。
驱动主动 vo base sub

[发明专利]一种节能建筑红外防护用复合隔热薄膜及制备方法-CN201811553477.7在审
发明人：陈庆;昝航 -专利权人：成都新柯力化工科技有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： B29D7/01 文献下载
摘要：本发明提出一种节能建筑红外防护用复合隔热薄膜及制备方法，所述复合隔热薄膜是将氯化铝、成膜剂、纳米二氧化钒、分散稳定剂、还原剂、流平剂先后加入均三甲苯溶剂中，分散均匀得到涂覆液，接着将涂覆液旋涂于基膜表面本发明提供的复合隔热薄膜，纳米二氧化钒在隔热薄膜表面分散均匀，并且简化了对纳米二氧化钒的表面处理，工艺简单，同时粘结强度更高，不易脱落，同时利用铝与纳米二氧化钒协同作用，具有良好的红外反射效果，适用于节能建筑红外防护领域
纳米二氧化钒复合隔热薄膜红外防护节能建筑涂覆液制备采暖和空调分散稳定剂保温反应表面分散分散均匀隔热薄膜红外反射基膜表面均三甲苯成膜剂还原剂流平剂氯化铝溶剂旋涂粘结能耗

[发明专利]一种二氧化钒和二维半导体的结型光探测器及制备方法-CN202010126431.8在审
发明人：王建禄;蒋伟;孟祥建;沈宏;林铁;褚君浩 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化钒和二维半导体的结型光探测器及制备方法。该探测器首先通过磁控溅射在氧化铝衬底上生长了一层均匀的二氧化钒薄膜，然后利用光刻掩膜和氩等离子体刻蚀技术将二氧化钒薄膜刻蚀成阵列，随后通过干法转移将二维半导体转移到二氧化钒材料上，形成垂直结构的异质结，随后运用电子束光刻的方法结合剥离工艺在二氧化钒和二维半导体上制备金属电极，形成垂直结构的异质结型光探测器件。器件结构自下而上为衬底、二氧化钒、二维半导体和金属源漏电极。通过调控偏压，该器件可实现P‑N结和Bolometer转换，从而实现可见光至远红外波段光谱的探测，功耗低，灵敏度高，而且可在高温环境中工作。
一种氧化二维半导体结型光探测器制备方法

[实用新型]一种二氧化钒和二维半导体的结型光探测器-CN202020222999.5有效
发明人：王建禄;蒋伟;孟祥建;沈宏;林铁;褚君浩 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本专利公开了一种二氧化钒和二维半导体的结型光探测器。该探测器首先通过磁控溅射在氧化铝衬底上生长了一层均匀的二氧化钒薄膜，然后利用光刻掩膜和氩等离子体刻蚀技术将二氧化钒薄膜刻蚀成阵列，随后通过干法转移将二维半导体转移到二氧化钒材料上，形成垂直结构的异质结，随后运用电子束光刻的方法结合剥离工艺在二氧化钒和二维半导体上制备金属电极，形成垂直结构的异质结型光探测器件。器件结构自下而上为衬底、二氧化钒、二维半导体和金属源漏电极。通过调控偏压，该器件可实现P‑N结和Bolometer转换，从而实现可见光至远红外波段光谱的探测，功耗低，灵敏度高，而且可在高温环境中工作。
一种氧化二维半导体结型光探测器

[发明专利]一种二氧化钒涂层的制备方法-CN201610584648.7在审
发明人：丁发柱;商红静;古宏伟;张慧亮;董泽斌;屈飞;张贺;高召顺 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：一种二氧化钒涂层的制备方法。首先对金属铜轧带进行电化学抛光，使其粗糙度小于5nm；随后采用离子束辅助沉积法在抛光过的铜基带上沉积一层厚度为5～10nm的氧化铝(Al₂O₃)薄膜；然后在氧化铝薄膜上采用化学溶液浸涂法制备二氧化钒(VO₂)薄膜；再依次重复沉积Al₂O₃薄膜和VO₂薄膜，制备出结构为Cu/Al₂O₃/VO₂/Al₂O₃/VO₂的二氧化钒涂层。本发明二氧化钒涂层可以应用于谐振型限流器，在常温时呈大电阻状态，发生故障短路时电压和电流增大，温度升高，二氧化钒涂层中的VO₂发生相变，呈小电阻状态，此时的VO₂
一种氧化涂层制备方法