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[发明专利]一种二氧化硅—二氧化钒多级阵列结构及其制备方法-CN202010132472.8在审
发明人：梁继然;张珂;樊雅婕;于立泽 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-02-29 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化硅—二氧化钒多级阵列结构及其制备方法，以自组装微米尺寸二氧化硅球为模板，用磁控溅射加快速退火的方式制备二氧化钒薄膜，形成球面上及球缝隙中的二氧化钒阵列结构。本发明制备应用于太赫兹吸收器的二氧化硅—二氧化钒多级阵列结构，使顶层阵列和中间介质层的制备过程相结合，方法较为简单，控制的工艺条件较少，比光刻法成本低廉。
一种二氧化硅氧化多级阵列结构及其制备方法

[发明专利]用于平面基底图形化的二氧化硅微球阵列及其制备方法-CN202010086318.1在审
发明人：梁继然;张珂;樊雅婕;于立泽 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： B05D1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于平面基底图形化的二氧化硅微球阵列及其制备方法，利用正丁醇包裹二氧化硅微米球，克服二氧化硅密度大于水溶液，从而防止其沉降，使其分布在液体表面，同时加热液面，利用分子间作用力将微球紧密排成均匀单层球膜；利用提拉镀膜机，在合适的提拉速率下可将其转移到基片表面完成自组装，实现平面基底图形化技术模板的制备。与表面活性剂辅助的方法相比，本发明节省了摸索改性工艺参数的时间，并且适用于多种微米尺寸的二氧化硅球；通过自组装二氧化硅微球阵列实现表面图形化技术模板，相比光刻法设备简单，成本低廉，且不存在边缘处因光刻胶涂布不匀影响图形完整的问题。
用于平面基底图形二氧化硅阵列及其制备方法

[发明专利]一种自动测量甲烷传感器阻值系统-CN201910042913.2在审
发明人：梁继然;张文旭;许延雷;樊雅婕 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种自动测量甲烷传感器阻值系统，所述系统包括阻值转换模块、数据处理模块、电源管理模块和数据传送模块；所述阻值转换模块是通过桥式电路和放大器电路将甲烷传感器采集二氧化钒薄膜的阻值信号转为电压信号；所述数据处理模块对接收的二氧化钒薄膜压电模拟信号进行转换输出二氧化钒薄膜的电阻值数字信号；所述电源管理模块分别向阻值转换模块和所述处理模块输送不同电压；所述数据传送模块将接收二氧化钒薄膜电阻值数字信号进行无线传送，该系统克服现有技术中通过简单监测、人工读取数据、软件成像等繁琐的程序造成测量数据误差大，效率低的技术问题。
二氧化钒薄膜阻值转换模块甲烷传感器电源管理模块数据处理模块数据传送模块数字信号自动测量测量数据误差放大器电路薄膜电阻处理模块电压信号二氧化钒模拟信号桥式电路人工读取无线传送阻值信号电阻压电成像采集输出监测转换