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[发明专利]一种空气复合介质微带线的制造方法-CN202210567871.6在审
发明人：代鲲鹏;张凯;范道雨;吴少兵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01P11/00 文献下载
摘要：本发明提出的是一种空气复合介质微带线的制造方法，包括以下步骤：1）器件制造完成后整个圆片通过旋涂的方法旋涂上一层电介质并固化；2）光刻形成刻蚀掩膜并刻蚀掉多余的电介质形成电介质支撑结构；3）旋涂光刻胶对圆片进行平坦化处理；4）溅射电镀种子层；5）光刻电镀图形并电镀形成微带线的导体带条；6）电镀去胶以及腐蚀电镀种子层；7）去除平坦化的光刻胶；8）通过背面工艺制备微带线的接地板；本发明采用半导体集成电路制造工艺，制造精度高且更加简便，采用低损耗的可旋涂电介质制作支撑结构，除了能降微带线的低介质损耗，还能对器件起到保护作用，适用范围广，应用前景广泛。
一种空气复合介质微带制造方法

[发明专利]一种空气桥互连条形阳极的准垂直肖特基二极管-CN202110047632.3有效
发明人：代鲲鹏;张凯;范道雨;吴少兵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种空气桥互连条形阳极的准垂直肖特基二极管，包括半绝缘衬底、高掺杂外延层、低掺杂外延层台面、阴极金属、条形阳极金属、保护介质、阳极加电金属平板和金属空气桥；高掺杂外延层和阳极加电金属平板之间相隔一段间距、均设于所述半绝缘衬底上；低掺杂外延层台面和阴极金属相距一段距离或相接触、均设于所述高掺杂外延层上；条形阳极金属设于所述低掺杂外延层台面上，条形阳极金属与阴极金属之间保持一段间距；金属空气桥位于所述阳极金属和阳极加电金属平板之上，将条形阳极金属和阳极加电金属平板相连接。本发明通过采用条形阳极结构降低了肖特基二极管串联电阻，提高了截至频率和散热能力。
一种空气互连条形阳极垂直肖特基二极管

[实用新型]一种分段式共面波导薄膜电路结构-CN202022433411.3有效
发明人：牛斌;范道雨 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种分段式共面波导薄膜电路结构，包括腔体、薄膜电路基板以及共面波导，腔体包括上壳体与下壳体，薄膜电路基板悬空设于由上壳体与下壳体构成的密闭空腔中，共面波导包括平行设于薄膜电路基板上的连续信号线以及设于连续信号线两侧的分段式地线，分段式地线上设有多个沿连续信号线信号传输方向设置的间隙；分段式地线远离连续信号线的一侧向伸出薄膜电路基板的方向延伸至嵌入腔体中，薄膜电路基板通过分段式地线与腔体焊缝连接。本实用新型通过释放薄膜电路共面波导中地线金属对薄膜电路基板产生的应力，从而可支持更大尺寸微米级厚度的薄膜电路设计与制作，提高太赫兹频段中薄膜电路的适用性。
一种段式波导薄膜电路结构

[发明专利]一种悬空型分段式共面波导薄膜电路结构-CN202011167831.X在审
发明人：牛斌;范道雨 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种悬空型分段式共面波导薄膜电路结构，包括腔体、薄膜电路基板以及共面波导；其中腔体包括由金属材料制成的上壳体与下壳体；薄膜电路基板悬空设于由上壳体与下壳体构成的密闭空腔中；共面波导包括平行设于薄膜电路基板上的信号线、第一分段式地线以及第二分段式地线，第一分段式地线与第二分段式地线关于信号线对称，包括多个沿信号线信号传输方向设置的地线单元，每个相邻地线单元之间存在断隙。本发明通过释放薄膜电路共面波导中地线金属对薄膜电路基板产生的应力，从而可支持更大尺寸微米级厚度的薄膜电路设计与制作，提高太赫兹频段中薄膜电路的适用性。
一种悬空段式波导薄膜电路结构

[发明专利]一种无衬底垂直型肖特基二极管的制作方法-CN202010702327.9在审
发明人： 范道雨;牛斌 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种无衬底垂直型肖特基二极管的制作方法，包括：1)制作T形肖特基接触阳极；2)制作阳极台面；3)旋涂BCB介质并固化；4)BCB刻蚀，电镀制作压块和介质桥；5)背面减薄去除全部砷化镓衬底；6)背面欧姆接触制作；7)背面刻蚀BCB，最终实现无衬底垂直型肖特基二极管的制作。本发明通过正面的BCB保护，在背面全部去除砷化镓衬底后，再制作背面阴极欧姆接触，在保证一定机械强度下降低了肖特基二极管的串联电阻和寄生电容，大幅提升器件性能。
一种衬底垂直型肖特基二极管制作方法

[发明专利]一种BCB薄膜太赫兹电路及其制作方法-CN202010671626.0在审
发明人：牛斌;范道雨 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种BCB薄膜太赫兹电路及其制作方法，方法包括：1)在半导体衬底上外延生长带有腐蚀停止层的太赫兹二极管或三极管外延材料，2)完成二极管、三极管等有源器件及电阻、电容等无源器件工艺制作，3)旋涂总厚度覆盖所有片上器件的BCB并固化，4)在所有器件电极接触上方处制作BCB通孔，5)在BCB上方制作电路金属布线，连接BCB通孔中的器件电极，6)完全去除半导体衬底及腐蚀停止层，完成BCB薄膜太赫兹电路制作。通过本方法可制作微米级厚度的BCB薄膜电路金属布线基板，且BCB材料具有极低的介电常数及太赫兹损耗，可提高太赫兹电路性能。
一种 bcb 薄膜赫兹电路及其制作方法

[发明专利]一种BCB辅助增强的肖特基二极管阳极空气桥制作方法-CN201711412264.8有效
发明人：牛斌;范道雨 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-12-23 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种BCB辅助增强的肖特基二极管阳极空气桥制作方法，其步骤为：光刻形成空气桥下层胶；光刻形成空气桥上层胶；制作空气桥金属，连接阳极接触金属与阳极电极板；台面电隔离腐蚀；旋涂并固化BCB介质；光刻并刻蚀出BCB支撑结构，完成BCB辅助增强的肖特基二极管阳极空气桥制作。本发明采用BCB支撑结构，为空气桥与阳极电极板之间提供机械固定，降低了空气桥被拉扯变形的风险，提高器件成品率。
一种 bcb 辅助增强肖特基二极管阳极空气制作方法

[发明专利]一种材料结构倒置型异质衬底肖特基二极管电路制作方法-CN201911111024.3在审
发明人：牛斌;范道雨;戴家赟 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种材料结构倒置型异质衬底肖特基二极管电路制作方法，包括在原衬底材料外延生长腐蚀停止层、n‑掺杂层，n+掺杂层，在通过光刻、金属化并退火形成正面欧姆接触,然后将材料正面与异质衬底键合，再完全去除原材料衬底及腐蚀停止层，然后翻转晶圆，以异质衬底为器件底部制作连接欧姆接触与n‑掺杂层表面的垂直互联金属，再在n‑掺杂层表面制作肖特基接触、空气桥等结构，完成肖特基二极管制作，最后在异质衬底上制作微波传输线、空气桥等结构，并减薄异质衬底，完成材料结构倒置型异质衬底肖特基二极管电路制作。本发明肖特基二极管为准垂直结构，便于减小串联电阻，提高了器件截止频率。
一种材料结构倒置型异质衬底肖特基二极管电路制作方法

[发明专利]一种肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极制作方法-CN201611157185.2有效
发明人：牛斌;吴少兵;范道雨 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明是一种肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极制作方法：包括在轻掺杂半导体材料上光刻出A直径的阳极接触孔；在A直径阳极接触孔上套刻出B直径阳极接触孔；采用蒸发剥离工艺形成T型阳极接触金属；光刻形成空气桥下层胶；光刻形成空气桥上层胶；采用蒸发剥离工艺形成空气桥金属,连接T型阳极接触金属与阳极电极板,完成肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极制作；优点：采用T型阳极空气桥电极制作方法,可有效降低阳极电极寄生电容,提升肖特基二极管截止频率。
一种肖特基二极管阳极接触空气电极制作方法

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