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[发明专利]基于垂直PIN二极管双向限幅电路及制作方法-CN201810811159.X在审
发明人：马晓华;杨凌;郭建新;郝跃;祝杰杰;周小伟;侯斌;宓珉翰 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于垂直PIN二极管双向限幅电路的制作方法，包括步骤：刻蚀AlGaN势垒层，在GaN缓冲层上形成正向PIN二极管制作区域和反向PIN二极管制作区域；在刻蚀后的AlGaN势垒层上制作GaN基高频器件；在正向PIN二极管制作区域制作正向PIN二极管；在反向PIN二极管制作区域制作反向PIN二极管；在GaN基高频器件、正向PIN二极管和反向PIN二极管上制作互联层，完成双向限幅电路的制作。
制作正向双向限幅电路高频器件刻蚀高功率电子器件大功率信号承受能力开态电阻高频率互联层电容关态垂直电路

[发明专利]一种多结太阳能电池的集成旁路二极管的制备方法-CN201510894699.5有效
发明人：刘冠洲;毕京锋;熊伟平;李明阳;杨美佳;宋明辉;李森林;陈文浚 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种多结太阳能电池的集成旁路二极管的制备方法，包括以下步骤在衬底上形成多结太阳能电池外延结构；形成太阳能电池制作区域与旁路二极管制作区域之间的隔离槽；对旁路二极管制作区域的外延层进行特定能量的离子注入，使其多结子电池中的至少一个子电池pn结的掺杂情况被改变；对上述旁路二极管制作区域的外延层进行特定波长的强光照射，使其多结子电池中的至少一个子电池pn结受到高温退火处理；制备太阳能电池与旁路二极管的正面、背面电极与减反射膜；按照互联规则封装太阳能电池与旁路二极管。
一种太阳能电池集成旁路二极管制备方法

[发明专利]发光二极管制作方法-CN201510819932.3有效
发明人：林泉;邵小娟;章小飞;朱立钦;林大铨 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了发光二极管制作方法，包括步骤从绝缘层蚀刻贯穿到N型层、同时部分区域的绝缘层蚀刻到反射层上的保护层，简化现有发光二极管制作的工艺流程，用简单光罩工艺替代现有复杂的制作工艺，缩短发光二极管的制作周期，降低制作成本。
发光二极管制作方法

[发明专利]一种氮化镓基宽摆幅线性化器件及制作方法-CN201810811364.6有效
发明人：马晓华;杨凌;王瑞泽;郝跃;周小伟;祝杰杰;侯斌;宓珉翰 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L21/8252 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓基宽摆幅线性化器件的制作方法，包括步骤：刻蚀AlGaN势垒层，在GaN缓冲层上形成PIN二极管制作区域；在刻蚀后的AlGaN势垒层上制作AlGaN/GaN HEMT器件，测试得到AlGaN/GaN HEMT器件的输入阻抗；在PIN二极管制作区域制作PIN二极管，使得PIN二极管的输出阻抗与输入阻抗共轭匹配；在PIN二极管和AlGaN/GaN HEMT器件上制作互联层，得到宽摆幅线性化器件本发明实施例在功率放大器前加入PIN二极管，既可以实现电路宽摆幅，又可以提高功率放大器的线性度。
一种氮化镓基宽摆幅线性化器件制作方法

[发明专利]一种发光二极管制作方法-CN201810206524.4在审
发明人：张强;许毅钦;陈志涛;张志清;古志良;龚政;洪宇;许平 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明实施例提出一种发光二极管制作方法，涉及半导体技术领域。通过制作带有极性识别点的发光二级管的底座板，然后在每个所述底座的凹槽内安装与极性识别点位置对应的发光芯片并进行固晶，接着通过固晶、烤干以及切割的工艺，制作形成包括极性识别点的发光二极管。本发明提供的发光二极管制作方法具有制作的发光二极管更加美观，不易出现电极反向的情况的优点。
发光二极管极性识别制作固晶半导体技术领域发光二级管发光芯片底座板点位置电极烤干底座切割美观

[发明专利]有机发光二极管制造方法及有机发光二极管制造设备-CN201610565279.7在审
发明人：刘振宇;林熙乾;林建宏;刘正平;柯山文 -专利权人：宸鸿光电科技股份有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明揭露一种有机发光二极管制造方法及有机发光二极管制造设备。有机发光二极管制造方法包含以下步骤提供基板，其中基板上形成有多个发光材料；放置光罩于基板上方，其中光罩具有多个开口区；以及以闪烁光源经由开口区对发光材料进行照射，进而使得发光材料中的至少两相邻者之间的接触部分被气化或烧结借此，本发明的有机发光二极管制造方法与有机发光二极管制造设备即可制作高解析度的有机发光二极管元件，并有效解决以往因各种精度因素所造成的色偏差现象。
有机发光二极管制造方法设备

[发明专利]一种背照式图像传感器像素及其制作方法-CN201410449040.4有效
发明人：郭同辉;旷章曲 -专利权人：北京思比科微电子技术股份有限公司
申请日： 2014-09-04 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种背照式图像传感器像素及其制作方法，图像传感器像素中，复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管制作在半导体基体的正面，电荷传输晶体管制作在半导体基体的内部，光电二极管制作在晶体管器件下方的半导体基体中；电荷传输晶体管的沟道包括漂浮有源区、N型离子区、光电二极管N型区三部分，三部分相互接触，并且N型离子区位于漂浮有源区下方，光电二极管N型区位于N型离子区下方；相邻像素的光电二极管之间设置有P型离子隔离区光电二极管最大程度地占据了整个像素面积，扩大了光电二极管有源区的填充率，有效提高了背照式图像传感器像素的感光灵敏度。
一种背照式图像传感器像素及其制作方法

[发明专利]一种发光二极管制作方法及结构-CN200910265684.7无效
发明人：林忠正;陈逸勋;刘旭能 -专利权人：宝霖科技股份有限公司
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种发光二极管制作方法，其步骤包括：提供一晶圆片，该晶圆片由数组分布的数个发光二极管芯片所组成；在该晶圆片上均匀地形成一荧光胶层，该荧光胶层覆盖该晶圆片中的每个发光二极管芯片；进行精密加工，在每个发光二极管芯片上方形成穿透该荧光胶层的至少一打线孔；将该些发光二极管芯片彼此分离；将每个发光二极管芯片分别固定于一单元基板上；以及进行打线作业，将每个发光二极管芯片以至少一金属导线分别电性连接于对应的单元基板，藉此形成本发明的一种发光二极管结构。本发明另提供一种发光二极管制作方法及结构。
一种发光二极管制作方法结构

[发明专利]微型发光二极管巨量转移的方法及其发光面板组件-CN201811563456.3在审
发明人：李宏斌;邱奕翔 -专利权人：茂丞科技股份有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种微型发光二极管巨量转移的方法，包含微型发光二极管制作步骤、连接步骤、移除步骤、荧光粉层形成步骤、及滤光片形成步骤。微型发光二极管制作步骤是形成微型发光二极管于晶圆基板上，各微型发光二极管包含第一电极及第二电极。连接步骤是将包晶圆基板与电路载板连接。电路载板上包含第一电性连接部及第二电性连接部，第一电性连接部分别与微型发光二极管之第一电极连接，第二电性连接部分别与微型发光二极管之第二电极连接。接着，移除晶圆基板、在微型发光二极管的出光面形成荧光粉层、以及贴附复数个滤光片于荧光粉层上。
微型发光二极管巨量转移方法及其发光面板组件

[实用新型]一种背照式图像传感器像素结构-CN201420508898.9有效
发明人：郭同辉;旷章曲 -专利权人：北京思比科微电子技术股份有限公司
申请日： 2014-09-04 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种背照式图像传感器像素结构，图像传感器像素中，复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管制作在半导体基体的正面，电荷传输晶体管制作在半导体基体的内部，光电二极管制作在晶体管器件下方的半导体基体中；电荷传输晶体管的沟道包括漂浮有源区、N型离子区、光电二极管N型区三部分，三部分相互接触，并且N型离子区位于漂浮有源区下方，光电二极管N型区位于N型离子区下方；相邻像素的光电二极管之间设置有P型离子隔离区光电二极管最大程度地占据了整个像素面积，扩大了光电二极管有源区的填充率，有效提高了背照式图像传感器像素结构的感光灵敏度。
一种背照式图像传感器像素结构

[发明专利]一种二极管及制作方法-CN201910723885.0在审
发明人：陈建星;林易展;邱文宗;王淋雨;郑波涛;林伟;林伟铭;章建清;郭一凡 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种二极管及制作方法，其中一种二极管制作方法，包括如下步骤：在器件完成NM的金属NC的制作之后，对器件衬底和NM的外侧利用离子植入进行隔离，使得NM台面和SUB衬底的外侧形成绝缘区域，制得的器件由上往下依次具有PC、PM、I、NM、SUB层结构，NC结构在NM结构上面以及I结构的外侧；在PC和绝缘区域制作M1金属。本发明还提供一种二极管，由以上制作方法制得。本发明可以在进行二极管制作时使台面为单台面结构，减小了二极管台面的高低差，这样可以降低光阻涂覆过程中产生溅影的风险，后续的BR连线也不易断裂。
二极管二极管制作绝缘区域台面制作衬底金属涂覆过程层结构单台面高低差光阻减小连线植入离子断裂隔离

[发明专利]用于多相调压器的间歇二极管制动的系统和方法-CN201110087479.3有效
发明人：裘卫红;C·程;F·阿迈德 -专利权人：英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2011-03-31 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：一种操作用于执行间歇二极管制动的调压器控制器IC以控制多相调压器的方法。该方法包括：接收用于检测重复负载瞬变的至少一个信号；确定重复负载瞬变的速率；产生二极管制动控制信号，当重复负载瞬变低于第一速率时，每个二极管制动控制信号针对至少一次负载瞬变将二极管制动施加于多个相中的相应一个相；以及控制二极管制动控制信号以当重复负载瞬变至少处于第一速率时针对至少一个负载瞬变丢弃至少一个相的二极管制动的施加。该方法还包括在相继施加二极管制动期间在各相间轮转二极管制动的施加。该方法可包括随着重复负载瞬变速率增长而对于二极管制动丢弃增加数目的相。
用于多相调压器间歇二极管制动系统方法

[发明专利]一种微发光二极管制备方法及微发光二极管-CN202210005295.6在审
发明人：张珂;陈家华 -专利权人：深圳市思坦科技有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种微发光二极管制备方法及微发光二极管，涉及半导体技术领域。微发光二极管制备方法包括：提供或制备外延层；在外延层的一侧表面制备透明导电层；刻蚀透明导电层和外延层，并获得台面结构和发光凸台，发光凸台上保留透明导电层；进行第一次退火处理，使透明导电层与发光凸台欧姆接触；清洗外延层，以清除外延层表面的晶粒凸起；在台面结构上制作第一电极层，并进行第二次退火处理，使第一电极层与台面结构欧姆接触；在透明导电层一侧表面制作第二电极层。本申请提供的微发光二极管制备方法可使电极层与外延层具有良好的欧姆接触，延长微发光二极管使用寿命。
一种发光二极管制备方法

[发明专利]具有磁隧道结单元和远程二极管的磁随机存取存储器阵列-CN99110367.X有效
发明人：罗伊·艾德文·雪尔莱恩 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1999-07-15 - 公布日： 2000-01-26 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种非易失性存储单元,它包含衬底、二极管、第一导线、磁隧道结器件、旁路导体和第二导线。二极管制作在衬底中,且包括n型区和p型区。第一导线制作在衬底上且电连接于二极管的n型区。磁隧道结器件制作在第一导线上。旁路导体将二极管的p型区电连接到磁隧道结器件。第二导线制作在磁隧道结器件上且电连接于磁隧道结器件。
具有隧道单元远程二极管随机存取存储器阵列

[发明专利]一种微发光二极管、显示面板及制备方法-CN202210554330.X在审
发明人：吴涛;管云芳 -专利权人：深圳市思坦科技有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种微发光二极管、显示面板及制备方法，涉及微发光二极管技术领域。微发光二极管制备方法包括：在衬底上依次制作N型半导体层、发光层和P型半导体层，以在所述衬底上制得外延片；将所述外延片由所述P型半导体层刻蚀至所述N型半导体层，以获得多个发光台阶和一N型半导体空置区，使所述多个发光台阶相间隔地环绕于所述N型半导体空置区的周向；在所述发光台阶远离所述衬底的一侧制作第一电极，在所述N型半导体空置区制作第二电极，同一微发光二极管中的所述多个发光台阶共用一所述第二电极。本申请提供的微发光二极管制备方法，可在后续微发光二极管转移时，减少转移次数，提升转移效率。
一种发光二极管显示面板制备方法

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