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[发明专利]半导体量子点/量子阱导带内跃迁材料结构-CN200610064882.3无效
发明人：金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-03-16 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种半导体量子点/量子阱导带内跃迁材料结构，其特征在于，其中包括：一下势垒层，该下势垒层是下述量子阱层的势垒；一量子阱层，该量子阱层位于下势垒层上面，并且该量子阱层的带隙小于上述下势垒层以及下述间隔势垒层的带隙；一间隔势垒层，该间隔势垒层位于量子阱层上面，该间隔势垒层同时作为上述量子阱层和下述量子点层的势垒将量子阱层与量子点层分开；一量子点层，该量子点层位于间隔势垒层上面，在上述间隔势垒层与下述上势垒层共同作用下，在该量子点层内将形成三维量子化的分立能级；一上势垒层，该上势垒层位于量子点层上面，是量子点层的势垒。
半导体量子阱导带内跃迁材料结构

[发明专利]p-GaN基增强型HEMT器件-CN201810220253.8有效
发明人：金峻渊;魏进 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种p‑GaN基增强型HEMT器件，包括：衬底；在所述衬底上的过渡层；在所述过渡层上的沟道层；在所述沟道层上的势垒层；在所述势垒层上的p‑GaN层；以及，在所述势垒层和所述p‑GaN层上的源极、漏极、栅极和介质层；所述势垒层包括势垒层A和势垒层B，所述势垒层A与所述势垒层B交替层叠；所述势垒层A的禁带宽度大于所述势垒层B的禁带宽度。在势垒层较厚的情况下，获得了较大正值的阈值电压，提高了HEMT器件的工作效率。
gan 增强 hemt 器件

[发明专利]一种制造AlGaN/AlInN复合势垒氮化镓场效应管的方法-CN200810155399.5有效
发明人：薛舫时 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2008-10-28 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明是一种制造AlGaN/AlInN复合势垒氮化镓场效应管的方法，工艺步骤分为，在衬底上依次生长成核层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层和AlInN下势垒层；在AlInN下势垒层上覆盖AlGaN上势垒层，构成复合势垒；用微电子工艺减薄AlGaN上势垒层上除预留制作栅电极的区域以外的AlGaN上势垒层；在其被减薄部分上制作源电极和漏电极；在AlGaN上势垒层上的预留制作栅电极的区域上制作栅电极。优点：展宽和提高势垒，完善沟道阱结构，增强电子气的二维特性，而且AlGaN/AlInN异质界面上的强负极化电荷提高能带剪裁的力度，满足欧姆接触、肖特基势垒、栅下沟道和栅外沟道各处不同异质结构的要求。
一种制造 algan alinn 复合氮化场效应方法

[发明专利]互补势垒超晶格长波红外探测器-CN202110222852.5在审
发明人：崔素宁;蒋洞微;李勇;陈伟强;蒋俊锴;王国伟;徐应强;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本公开提供了一种互补势垒超晶格长波红外探测器自下而上顺次包括：衬底、缓冲层、n型InAsSb层、电子势垒层、吸收层、空穴势垒层、n型接触层和盖层；所述空穴势垒层自下而上包括：p型掺杂空穴势垒区和n型掺杂空穴势垒区；所述互补势垒超晶格长波红外探测器还包括上电极和下电极，上电极设置在所述盖层上；下电极设置在所述缓冲层上。
互补势垒超晶格长波红外探测器

[实用新型]一种高电子迁移率晶体管及电子装置-CN201920556887.0有效
发明人：陈道坤;史波;曾丹;陈兆同;何昌 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子技术领域，公开一种高电子迁移率晶体管及电子装置，其中，高电子迁移率晶体管包括：依次设置的衬底、缓冲层和GaN沟道层，GaN沟道层包括栅极区和位于栅极区周围的非栅区域；AlGaN栅下势垒层，形成于GaN沟道层的栅极区背离缓冲层的一侧；栅电极，形成于AlGaN栅下势垒层背离GaN沟道层的侧面；AlGaN势垒层，形成于GaN沟道层的非栅区域，其中，AlGaN势垒层表面形成源极和漏极；其中，AlGaN栅下势垒层的铝含量低于AlGaN势垒层的铝含量，和/或，AlGaN栅下势垒层的厚度小于AlGaN势垒层的厚度。
高电子迁移率晶体管下势垒层栅极区电子装置缓冲层栅区域背离电子技术领域本实用新型表面形成依次设置电压低栅电极衬底漏极源极侧面缓解开通

[实用新型]一种掺杂的肖特基势垒器件-CN201420442005.5有效
发明人：洪旭峰 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种掺杂的肖特基势垒器件；该肖特基势垒器件的势垒层是采用了掺杂磷的金属硅化物(P-MSi)作为肖特基势垒层，而传统的肖特基势垒器件的势垒层是无掺杂的金属硅化物(M-Si)作为肖特基势垒层，掺杂磷的金属硅化物势垒层（P-MSi）较传统的无掺杂的金属硅化物(M-Si)势垒层，具有低的势垒高度，因此采用掺杂磷的金属硅化物(P-MSi)作为肖特基势垒层的肖特基器件较传统的肖特基势垒器件，同等面积下
一种掺杂肖特基势垒器件

[实用新型]一种带有InAlP势垒层的增强型PHEMT结构-CN201420770306.0有效
发明人：蒋建;杜全钢;李维刚;谢小刚;冯巍;姜炜;郭永平 -专利权人：新磊半导体科技（苏州）有限公司
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种带有InAlP势垒层的增强型PHEMT结构，该结构自下而上依次为GaAs衬底、GaAs缓冲层、AlGaAs下势垒层、下平面掺杂Si层、AlGaAs下空间隔离层、InGaAs沟道层、AlGaAs上空间隔离层、上平面掺杂Si层、AlGaAs势垒层、InAlP势垒层、GaAs重掺杂帽层。InAlP作为势垒层的肖特基势垒高度比原本作为势垒的AlGaAs的肖特基势垒高大约0.27eV，栅极最大正向偏压也可以相应增加约0.27V，这样会大幅度增加饱和电流密度。
一种带有 inalp 势垒层增强 phemt 结构

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管、其制备方法及电子装置-CN201910323441.8在审
发明人：陈道坤;史波;曾丹;陈兆同;何昌 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及电子技术领域，公开一种高电子迁移率晶体管、其制备方法及电子装置，其中，高电子迁移率晶体管包括：依次设置的衬底、缓冲层和GaN沟道层，GaN沟道层包括栅极区和位于栅极区周围的非栅区域；AlGaN栅下势垒层，形成于GaN沟道层的栅极区背离缓冲层的一侧；栅电极，形成于AlGaN栅下势垒层背离GaN沟道层的侧面；AlGaN势垒层，形成于GaN沟道层的非栅区域，其中AlGaN势垒层表面形成源极和漏极；其中，AlGaN栅下势垒层的铝含量低于AlGaN势垒层的铝含量，和/或，AlGaN栅下势垒层的厚度小于AlGaN势垒层的厚度。
一种电子迁移率晶体管制备方法装置

[发明专利]一种肖特基势垒接触的超势垒整流器及其制造方法-CN201710052574.7在审
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;刘建 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基势垒接触的超势垒整流器及其制造方法。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区、上电极金属层和下电极金属层。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
一种肖特基势垒接触超势垒整流器及其制造方法

[实用新型]一种肖特基势垒接触的超势垒整流器-CN201720104249.6有效
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;刘建 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基势垒接触的超势垒整流器。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区、上电极金属层和下电极金属层。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
一种肖特基势垒接触超势垒整流器

[发明专利]一种基于极化效应多异质结光电探测器及其制备方法-CN202310310674.0在审
发明人：江灏;刘珂岐;卢家冰;吕泽升 -专利权人：中山大学
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于极化效应多异质结光电探测器，包括探测器以及制备于探测器上的器件，所述探测器所用材料为Ⅲ族氮化物材料，所述器件包括从下到上依次设置的衬底、缓冲层、下接触层、下势垒层、上势垒层和上接触层；所述上接触层和下接触层表面分别设有上接触电极和下接触电极；所述上势垒层和下势垒层构成主异质结结构，且所述上势垒层和下势垒层的界面上累积负极化电荷；所述上势垒层为单一组分层，所述下势垒层为多组分层。
一种基于极化效应多异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器及其制造方法-CN201710101799.7在审
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;刘建;陆泽灼 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器及其制造方法；所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器包括上电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、第二导电类型埋层、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区和下电极层。所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
一种肖特基势垒接触沟槽型超势垒整流器及其制造方法

[实用新型]一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器-CN201720168934.5有效
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;刘建;陆泽灼 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器；所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器包括上电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、第二导电类型埋层、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区和下电极层。所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
一种肖特基势垒接触沟槽型超势垒整流器

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN201710636270.5在审
发明人：吴绍飞 -专利权人：吴绍飞
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)、势垒层(4)、介质层(13)；势垒层(4)顶端两侧分别为源极(10)和漏极(12)，中间为栅极(11)，势垒层(4)上依次增加有辅沟道层(5)、缓变势垒层(6)、高势垒层(7)、隔离沟道层(8)和隔离势垒层(9)；栅极(11)位于势垒层与隔离势垒层之间的凹槽(14)中，栅极的两侧及底部设有介质层(13)。隔离势垒层与隔离沟道层界面上，缓变势垒层与辅沟道层界面上，势垒层和主沟道层界面上分别形成有二维电子气2DEG。本发明可避免高场应力下的电流崩塌，降低源漏极欧姆接触电阻，可用作高温高频高可靠大功率器件。
势垒层隔离势垒层高电子迁移率晶体管欧姆接触电阻隔离沟道层缓变势垒层电流崩塌辅沟道层主沟道层介质层源漏极大功率器件二维电子气高势垒层成核层高可靠衬底高场可用漏极源极

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN201710884530.0在审
发明人：刘梅 -专利权人：南京誉凯电子科技有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)、势垒层(4)、介质层(13)；势垒层(4)顶端两侧分别为源极(10)和漏极(12)，中间为栅极(11)，势垒层(4)上依次增加有辅沟道层(5)、缓变势垒层(6)、高势垒层(7)、隔离沟道层(8)和隔离势垒层(9)；栅极(11)位于势垒层与隔离势垒层之间的凹槽(14)中，栅极的两侧及底部设有介质层(13)。隔离势垒层与隔离沟道层界面上，缓变势垒层与辅沟道层界面上，势垒层和主沟道层界面上分别形成有二维电子气2DEG。本发明可避免高场应力下的电流崩塌，降低源漏极欧姆接触电阻，可用作高温高频高可靠大功率器件。
势垒层隔离势垒层高电子迁移率晶体管欧姆接触电阻隔离沟道层缓变势垒层电流崩塌辅沟道层主沟道层介质层源漏极大功率器件二维电子气高势垒层成核层高可靠衬底高场可用漏极源极

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