[发明专利]用以形成半导体装置的中间层绝缘薄膜的方法

摘要

一种用以形成半导体装置的中间层绝缘薄膜的方法被揭示。第一中间层绝缘薄膜被淀积在一具有高的阶梯元件区域与低的阶梯周边区域的半导体装置的整个上表面之上，接着做热处理。较该第一中间层绝缘薄膜更能抵抗蚀刻的第二中间层绝缘薄膜被淀积。再者，第三中间层绝缘薄膜被淀积，接着做热处理。这些中间层绝缘薄膜借助于一CMP工艺而被平坦化。在该CMP工艺中，该第一中间层绝缘薄膜被快速蚀刻，而该第二中间层绝缘薄膜则被缓慢除去。

主权项

1.一种用以形成半导体装置的中间层绝缘薄膜的方法，其包含步骤：提供一包括较低结构层的半导体基板，该半导体基板具有元件区域和周边区域，在元件区域和周边区域之间具有高台阶覆盖；在该较低结构层的整个上表面之上形成一第一中间层绝缘薄膜并且将该第一中间层绝缘薄膜做热处理，上述第一中间绝缘薄膜具有第一蚀刻选择性；在第一中间层绝缘薄膜上形成高密度的等离子体氧化物薄膜，该高密度的等离子体氧化物薄膜具有与第一蚀刻选择性不同的第二蚀刻选择性；在高密度的等离子体氧化物薄膜上形成第二中间层绝缘薄膜并且将该该第二中间层绝缘薄膜做热处理，上述第二中间层绝缘薄膜具有第一蚀刻选择性；以及利用化学机械抛光工艺蚀刻第二中间层绝缘薄膜、高密度的等离子体氧化物薄膜和第一中间层绝缘薄膜以平坦化，而暴露出在较低结构的周边区域的高密度的等离子体氧化物薄膜。