[实用新型]耐高电压的场效应功率晶体管固体组件无效
| 申请号： | 89212001.0 | 申请日： | 1988-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN2068725U | 公开（公告）日： | 1991-01-02 |
| 发明（设计）人： | 谭金发 | 申请（专利权）人： | 谭金发 |
| 主分类号： | H01L25/11 | 分类号： | H01L25/11;H01L29/784 |
| 代理公司： | 湖南省衡阳市专利事务所 | 代理人： | 杨代祯 |
| 地址： | 湖南省衡阳市黄*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型为一种耐高电压的场效应功率晶体管固体组件，它是由若干个VMOS增强型场效应功率晶体管互相串联，加上均压电阻和提供给各单个VMOS增强型场效应功率晶体管的栅极偏压的电阻网络共同组成的，以绝缘材料封装成一体。其功能相当于一个VMOS场效应功率晶体管，可承受万伏以上的高电压，额定输出电流达数安培，适合取代电子管作高电压放大、稳压和稳流之用。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 场效应 功率 晶体管 固体 组件 | ||
【主权项】：
1、一种耐高电压的场效应功率晶体管固体组件，其特征在于：它是由(N+1)个(N为大于1的整数)VMOS增强型场效应功率晶体管T1～TN+1依次串联起来，(N+1)个均压电阻R1～RN+1也依次串联起来，N对电阻R11和R12，R21和R22，……RN1和RN2它们也分别串联起来，按照(1)将电阻R11和R12的串联点，R21和R22的串联点，……RN1和RN2的串联点分别接到T1的栅极(C1)、T2的栅极(C2)，……TN的栅极(CN)各点上；(2)将电阻R11、R21……RN1的一端分别对应地接到(N+1)个依次串联的均压电阻R1～RN+1的N个串联节点(A1)、(A2)、……(AN)上；(3)将电阻R12、R22、……RN2的一端分别对应地接到(N+1)个依次串联的VMOS增强型场效应功率晶体管T1～TN+1的N个串联节点(B1)、(B2)、……(BN)上的方法连接它的内部连线；以T1的漏极作为该固体组件的等效漏极；以TN+1的栅极作为该固体组件的等效栅极，以TN+1的源极作为该固体组件的等效源极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于谭金发，未经谭金发许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/89212001.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：腰带用闭锁式艺术钥匙环扣
- 下一篇：音响首饰盒
- 同类专利
- 双芯片二极管模块-202010510460.4
- 聂俊波;曾仲 - 无锡尚德太阳能电力有限公司
- 2020-06-08 - 2023-09-01 - H01L25/11
- 本发明涉及一种双芯片二极管模块，包括第一导电体、第二导电体、第一芯片、第二芯片、第一塑封体与第二塑封体；在第一导电体的头端与第二导电体的尾端之间设有第一芯片，在第一芯片的外部设有第一塑封体，在第一导电体的尾端与第二导电体的头端之间设有第二芯片，在第二芯片的外部设有第二塑封体。本发明采用双芯片分流的方式降低芯片正向工作时的功耗，同样的电流输入功耗可以降低一半。本发明中，单个芯片的散热面积更大，芯片分开布局减少了互相热量的影响，在一定程度上提升了接线盒额定电流。本发明中，芯片与导电体直接连接减少了中间连接，减少了热传导的距离，散热更快。
- 用于可并行化集成功率芯片的方法以及电力电子模块-201780086323.9
- 弗里德瓦尔德·基尔 - 维迪科研究所
- 2017-12-05 - 2023-05-30 - H01L25/11
- 本发明涉及一种方法，其包括：1)制造第一基板(EB1)和第二基板，该制造包括使用空间预留装置(HM1、HM2)，该第一基板和第二基板通过在形成基底(MB1)的铜制板上层压绝缘和导电内层(PP、CP)而制成，至少一个电子芯片夹设在基板中，该基板制造成上层压表面具有匹配的轮廓；2)通过基板的匹配轮廓而堆叠并接合基板；并且3)对所述基板进行压力组装，以制造用于集成电力电子设备的所述层压分总成。该方法需要使用称为IMS类型的技术。
- 微电子装置、相关电子系统及形成微电子装置的方法-202180049876.3
- A·S·叶;K·R·帕雷克;合田晃 - 美光科技公司
- 2021-06-18 - 2023-04-11 - H01L25/11
- 一种微电子装置包括第一裸片，第一裸片包括存储器阵列区，存储器阵列区包括：堆叠结构，其包括竖直交错的导电结构与绝缘结构；及存储器单元的竖直延伸串，其位于堆叠结构内。第一裸片进一步包括第一控制逻辑区，第一控制逻辑区包括包含至少字线驱动器的第一控制逻辑装置。微电子装置进一步包括第二裸片，第二裸片附接到第一裸片，第二裸片包括第二控制逻辑区，第二控制逻辑区包括第二控制逻辑装置，第二控制逻辑装置包含经配置以实现存储器单元的竖直延伸串的控制操作的一部分的至少一个页缓冲器装置。还描述了相关微电子装置、电子系统及方法。
- 具有半导体电路的电气设备-201680084318.X
- M.卡佩尔克;M.苏达 - 西门子能源全球有限公司
- 2016-04-06 - 2022-09-09 - H01L25/11
- 本发明涉及一种具有半导体电路(7)的电气设备(6)，所述电气设备设计用于高压并且布置在壳体(8)中。本发明的特征在于，壳体包括彼此电气绝缘的多个壳体部分(81‑86)，其中，可以为所述壳体部分分配不同的电势。此外，本发明涉及一种具有根据本发明的电气设备的变换器(1)。
- 一种大功率双向TVS器件-202123057319.2
- 陈思太;王明涛 - 淄博晨启电子有限公司
- 2021-12-08 - 2022-04-08 - H01L25/11
- 本实用新型公开了一种大功率双向TVS器件，包括双向TVS晶粒，所述双向TVS晶粒的两侧均设置有第一铜片，所述第一铜片与双向TVS晶粒之间设置有锡片，所述第一铜片的外侧设置有第二铜片，所述第二铜片与第一铜片之间设置有焊锡膏，所述第二铜片的底部设置有镀银引线，所述第二铜片的底部开设有焊接区，所述焊接区上插接有绝缘座，所述绝缘座上设置有便于固定的控制组件；有益效果：本实用新型将第一铜片采用多颗铜片叠加组成的，解决了单颗厚铜片的应力，并且采用镀银引线解决了生产中高温焊接时引线氧化问题，锡片是具有厚度的结构，特定厚度的锡片解决了双向晶粒在焊接时的保护层损伤，从而保证双向TVS器件焊接加工时的稳定性。
- 电力电子系统-201980087577.1
- 伊万·维纳斯 - 格勒诺布尔理工学院
- 2019-11-05 - 2021-08-13 - H01L25/11
- 本发明涉及一种电子系统，包括多个通过电模块连接彼此连接的相邻的基本电力电子模块，每个基本模块包括集成在印刷电路上的至少一个功率器件，印刷电路插入两个导电散热器之间。有利地，电模块连接是通过在其侧面和/或中心连接表面处的散热器提供的。
- 逆导可控硅-202021861332.6
- 唐兴军;王亚 - 苏州兴锝电子有限公司
- 2020-08-31 - 2021-04-06 - H01L25/11
- 本实用新型公开一种逆导可控硅，其陶瓷绝缘片开有第一通孔、第二通孔，此第一通孔、第二通孔内分别设置有一第一导电柱、第二导电柱；可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极的阳极焊接部、阴极电极的阴极焊接部和栅极电极的栅极焊接部位于环氧封装体内，所述阴极电极的阴极焊接部与可控硅芯片的阴极区通过第一导线连接；二极管芯片的正极通过焊膏层与所述第二导电柱一端电连接，所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与二极管芯片相背的表面，此阳极电极的阳极焊接部与第二导电柱另一端电连接。本实用新型逆导可控硅大大提高了器件耐高压性能且关断时间短，也有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上，便于热量扩散。
- 一种便于拆卸维护的IGBT基板-202021543317.7
- 邓泽龙;冯小平;许新星 - 苏州圭石科技有限公司
- 2020-07-30 - 2021-02-19 - H01L25/11
- 实用新型公开了一种便于拆卸维护的IGBT基板，包括基板，基板的正面均匀的设置有多个安装槽，安装槽的内腔设置有IGBT模块，IGBT模块的左右两侧均开设有插孔，安装槽内壁的顶部开设有放置口，基板的顶部均匀的开设有多个活动槽，活动槽的内腔插接有插条，插条的顶部设置有拨块，插条靠近安装槽的一侧设置有卡条，卡条卡接于插孔的内腔，基板的背面开设有冷却槽，冷却槽的内腔设置有换热水管，基板的背面设置有后盖，后盖的右侧通过铰链与基板的右侧铰接，如果IGBT模块出现损坏，可向两侧拨动拨块并将卡条抽出插孔，然后可将IGBT模块取出并进行维修，如果换热水管出现损坏，可通过铰链将后盖打开，然后对其进行维修，拆卸方便，便于维修。
- 功率模块以及制造功率模块的方法-201980022355.1
- J·莫兰德;R·佩林;R·姆莱德;J·万楚克;S·莫洛夫 - 三菱电机株式会社
- 2019-03-05 - 2020-11-10 - H01L25/11
- 公开了一种功率模块(1)，该功率模块(1)包括：‑第一基板和第二基板(10)，各个基板包括导电材料构图层(12)；‑定位在基板之间的多个预包装功率单元(20)，各个单元包括：○嵌入有至少一个功率管芯(21)的电绝缘芯(21)，以及○在电绝缘芯(21)的相对侧的两个导电材料外层(23)，所述外层分别连接到基板的各个构图层，其中，预包装功率单元的各个外层包括通过布置在电绝缘芯(21)中的连接来连接到功率管芯的相应触点(220)的接触焊盘(230)，所述接触焊盘的表面积大于与其连接的功率管芯电触点的表面积。
- 具有功率半导体开关的功率半导体模块-202010323056.6
- M·克劳斯;K·本克特 - 赛米控电子股份有限公司
- 2020-04-22 - 2020-10-30 - H01L25/11
- 本发明涉及一种功率半导体模块，其具有：第一和第二中间电路轨道、交流电势轨道和封装的第一和第二功率半导体开关，相应功率半导体开关具有第一和第二负载电流端子以及控制端子，第一和第二功率半导体开关分别布置在第一中间电路轨道和交流电势轨道之间以及第二中间电路轨道和交流电势轨道之间，第一功率半导体开关的第一和第二负载端子分别与第一中间电路轨道和交流电势轨道导电接触，第二功率半导体开关的第一和第二负载端子分别与交流电势轨道和第二中间电路轨道导电接触，第一功率半导体开关的控制端子布置成从交流电势轨道突出，第二中间电路轨道具有第一通孔和第二通孔，其分别与第一和第二功率半导体开关的控制端子平齐对准。
- 半导体设备子组件-201780000603.3
- R·A·辛普森 - 丹尼克斯半导体有限公司;株洲中车时代电气股份有限公司
- 2017-01-23 - 2020-08-28 - H01L25/11
- 本发明公开一种半导体设备子组件，包括：彼此之间横向间隔开的多个半导体单元，多个导电块，其中，每一导电块与每一半导体单元操作地耦连；与每一导体块操作地耦连的导电可延展层，其中，所述多个导电块位于导电可延展层和所述多个半导体单元之间。在使用时，所述多个导电块的至少一些配置成当预定压力被施加在半导体设备子组件时，将压力施加在导电可延展层上。
- 压接型半导体器件堆叠-201580079287.4
- 表健一郎;中岛亮;椋木诚;吉泽大辅;市仓优太;饭尾尚隆 - 东芝三菱电机产业系统株式会社;东芝能源系统株式会社
- 2015-04-27 - 2020-07-10 - H01L25/11
- 提供了一种压接型半导体器件堆叠，利用所述压接型半导体器件堆叠，不管压接型半导体器件中存在还是不存在切口部，压接型半导体器件都能够被均匀地加压，并且利用所述压接型半导体器件堆叠，能够防止压接型半导体器件的热破坏。用于加压以堆叠形式布置的压接型半导体器件和散热器的加压装置设置有：设置在上表面和下表面的加压件；绝缘座固定件，用于将由加压件施加的压力分配到外周面；以及绝缘座，其通过施加到绝缘座固定件的按压表面的压力给散热器加压，其中当在收集器端面或发射器端面的柱端面的周边部分的一部分设置有切口部时，压接型半导体器件设置有用于使从最上绝缘座固定件的按压表面到芯片的顶面的距离与从由下表面加压件加压的绝缘座固定件的按压表面到另一芯片的后表面的距离相等的装置。
- 包含互连的叠加封装体的半导体装置-201610532093.1
- 邱进添;H.塔吉娅 - 晟碟信息科技(上海)有限公司
- 2016-07-04 - 2020-01-07 - H01L25/11
- 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包含垂直堆叠且互连的至少第一半导体封装体和第二半导体封装体。所述第二半导体封装体和主机装置之间的信号通信通过所述第一半导体封装体发生。本公开提高了产品的良率。
- 具有升高的共源极电感的直接敷铜电源模块-201910392451.7
- 徐竹娴;陈靖奇 - 福特全球技术公司
- 2019-05-13 - 2019-11-22 - H01L25/11
- 本公开提供了“具有升高的共源极电感的直接敷铜电源模块”。一种具有升高的共源极电感的直接敷铜(DBC)电源模块适合用作电动车辆的电驱动装置中的半桥。所述DBC基板上的蚀刻图案提供缩进凹口，用于集中所述功率回路中的磁通量。蚀刻的栅极迹线形成栅极回路，其中线圈绕组设置在所述凹口内或与所述凹口重叠，以增强每个开关晶体管(诸如IGBT)的所述共源极电感。这样，电动车辆的开关损耗降低，燃料经济性得到改善，对封装尺寸的影响最小，并且无需额外成本。
- 功率切换模块、集成该功率切换模块的转换器及制造方法-201780076935.X
- 弗里德瓦尔德·基尔;奥利维尔·贝努里 - 维迪科研究所;埃尔维亚PCB集团
- 2017-12-05 - 2019-10-11 - H01L25/11
- 一种功率切换模块，其包括第一分总成和第二分总成，该第一分总成和第二分总成彼此叠置以形成堆叠并分别包括形成桥臂的第一电子功率开关和第二电子功率开关。该模块包括中间金属板(LW7)以及第一金属端板和第二金属端板(LW2、LW12)，该第一金属端板和第二金属端板形成该堆叠的上端和下端。根据本发明，该模块还包括第一接线终端金属杆、第二接线终端金属杆和第三接线终端金属杆(1、2、3)，该第一接线终端金属杆、第二接线终端金属杆和第三接线终端金属杆在堆叠中延伸并穿过该堆叠的上端和下端中的至少一个，第一接线终端金属杆、第二接线终端金属杆和第三接线终端金属杆分别与第一金属端板和第二金属端板以及中间金属板电连接。
- 用于集成功率芯片的方法和电子功率模块-201780076945.3
- 弗里德瓦尔德·基尔;奥利维尔·贝努里 - 维迪科研究所;埃尔维亚PCB集团
- 2017-12-05 - 2019-10-11 - H01L25/11
- 一种方法，其包括1)通过在形成金属基底(MB1、MB2)的板上层叠绝缘内层和导电内层(PP、CP、EI)来制造第一基板和第二基板(EB1、EB2)，至少一个电子芯片(MT、MD)夹设在基板之间，该基板制造成其上层叠表面具有匹配的轮廓，2)通过基板的具有匹配的轮廓的上表面而堆叠并接合基板；并且3)对基板进行压力组装，以制造用于集成电子功率装置的层叠分总成。该方法要求使用称为IMS类型的技术。
- 一种IGBT串联压接封装单元及使用该封装单元的直流断路器-201610684150.8
- 吴军辉;耿杰;刘恒;赵芳帅;钟建英;程铁汉;高树同;王鹏;邓渊;袁婷婷;张培园 - 平高集团有限公司;北京平高清大科技发展有限公司;国家电网公司;国网山东省电力公司电力科学研究院
- 2016-08-18 - 2019-05-10 - H01L25/11
- 本发明提供了一种IGBT串联压接封装单元及使用该封装单元的直流断路器，IGBT串联压接封装单元包括支撑框架和位于支撑框架中的IGBT阀串，支撑框架上于IGBT阀串的一端设置有压装应力锥，支撑框架包括靠近压装应力锥一端的第一法兰板，第一法兰板上螺纹连接有与第一法兰板形成丝杠螺母机构的压力适配器，压力适配器上设置有供压装应力锥的顶杆穿过的穿孔，压力适配器具有与压装应力锥顶压配合的顶压端。本发明的有益效果在于：压力适配器与第一法兰板螺纹配合，从而可以通过压力适配器的旋转使其在第一法兰板上精确向内移动，直至间隙被精确填满，保证了所施加的压力与保持的压力完全一致，实现了压装力的精确控制，保证了压装效果，提高了压装质量。
- 半导体器件-201610127875.7
- 佐藤幸弘;宇野友彰 - 瑞萨电子株式会社
- 2009-06-10 - 2019-05-07 - H01L25/11
- 本发明提供一种半导体器件。在半导体器件(SM1)的封装(PA)内包装了形成有功率金氧半场效晶体管的半导体芯片(4PH，4PL)、和形成有控制其动作的控制电路的半导体芯片(4D)，半导体芯片(4PH，4PL，4D)各自被搭载在印模焊垫(7D1，7D2，7D3)上。高边的半导体芯片(4PH)的源电极用的接合焊垫(12S1，12S2)，经由金属板(8A)与印模焊垫(7D2)电连接。在印模焊垫(7D2)的上表面设有形成于搭载了半导体芯片(4PL)的区域的电镀层(9b)、以及形成于接合有金属板(8A)的区域的电镀层(9c)，电镀层(9b)和电镀层(9c)经由未形成有电镀层的区域被隔开。本发明可提高半导体器件的可靠性。
- 一种功率模块-201510820876.5
- 徐文辉;王玉林;滕鹤松 - 扬州国扬电子有限公司
- 2015-11-23 - 2019-05-03 - H01L25/11
- 本发明公开的一种功率模块，包括底板、正电极、负电极、输出电极和设置在底板上的绝缘基板，正电极、负电极和输出电极与底板之间均设有绝缘层，绝缘基板包括导热绝缘层以及形成于该导热绝缘层上的铜层，绝缘基板的铜层上设有多个相互独立的环形绝缘槽，每个绝缘槽所包围的铜层为下桥臂铜层，绝缘槽外侧的铜层为上桥臂铜层，上桥臂铜层上设有上桥臂芯片单元，下桥臂铜层上设有下桥臂芯片单元；上桥臂铜层在靠近正电极的一端设有接线区，接线区与下桥臂铜层之间设有下桥臂源极接线排，下桥臂源极接线排包括接线排导热绝缘层和形成于接线排导热绝缘层上的接线排铜层；本发明减小了续流回路面积，减小了杂散电感和开关损耗，提高了模块的可靠性。
- 一种功率模块-201510819525.2
- 徐文辉;王玉林;滕鹤松 - 扬州国扬电子有限公司
- 2015-11-23 - 2019-05-03 - H01L25/11
- 本发明公开的一种功率模块，包括底板、正电极、负电极、输出电极和设置在底板上的绝缘基板，正电极、负电极和输出电极与底板之间均设有绝缘层，绝缘基板包括导热绝缘层以及形成于该导热绝缘层上的铜层，绝缘基板的铜层上设有多个相互独立的环形绝缘槽，每个绝缘槽所包围的铜层为下桥臂铜层，绝缘槽外侧的铜层为上桥臂铜层，上桥臂铜层上设有上桥臂芯片单元，下桥臂铜层上设有下桥臂芯片单元；上桥臂铜层在靠近正电极的一端设有接线区，接线区与下桥臂铜层之间设有下桥臂源极接线排，下桥臂源极接线排包括接线排导热绝缘层和形成于接线排导热绝缘层上的接线排铜层；本发明减小了续流回路面积，减小了杂散电感和开关损耗，提高了模块的可靠性。
- 用于HVDC功率转换器的阀装置-201580041940.8
- M·李;E·佩尔森;陈楠;M·海蒂南;C·托恩克维斯特;O·乔斯塔姆 - ABB瑞士股份有限公司
- 2015-01-19 - 2019-04-23 - H01L25/11
- 本公开涉及一种包括串联电连接的多个阀单位(410‑450)的阀装置(400)。第一阀单位(410)包括容器(130)，容器(130)中布置有至少一个转换器单元(120)的堆叠。容器至少部分地填充有电绝缘气体(115)。阀装置还包括至少一个第一连接器(460)，其包括将容器一端处的第一阀单位的单元(421)电连接到第二阀单位(420)的单元(441)的第一汇流条元件(420)。第一连接器通过电绝缘气体(465)绝缘。此外，阀装置包括至少一个第二连接器(470)，其包括用于在容器的另一端处的第一阀单位的另一单元的连接的汇流条元件(471)。
- 一种功率模块-201510816485.6
- 徐文辉;王玉林;滕鹤松 - 扬州国扬电子有限公司
- 2015-11-23 - 2019-02-01 - H01L25/11
- 本发明公开了一种功率模块，包括底板、正电极、负电极、输出电极和绝缘基板，绝缘基板设于底板上，正电极、负电极和输出电极与底板之间均设有绝缘层，绝缘基板包括导热绝缘层以及形成于该导热绝缘层上的铜层；所述绝缘基板的铜层上设有多个相互独立的环形绝缘槽，绝缘槽包围的铜层为下桥臂铜层，绝缘槽外侧的铜层为上桥臂铜层，下桥臂铜层上设有下桥臂功率芯片单元，上桥臂铜层上设有上桥臂功率芯片单元；由正电极流出的工作电流通过上桥臂铜层流入上桥臂功率芯片单元，最后流至输出电极；由负电极流出的续流电流通过下桥臂功率芯片单元流入下桥臂铜层，最后流至输出电极。
- 用于多个压紧接触式半导体器件的改良型盘形单元-201580020447.8
- M·申克;J·普日比拉;R·巴特尔梅斯;J·多恩 - 英飞凌科技有限两合公司;西门子股份有限公司
- 2015-02-17 - 2018-12-11 - H01L25/11
- 本发明涉及一种盘形单元(1)，其作用是借助产生夹紧力(F)的夹紧装置(4、13)，使多个半导体器件实现压紧接触，所述盘形单元包括：壳体(2、3、7、8)；至少一个安装在壳体中的第一类型的第一半导体器件(6)；至少一个安装在壳体中的第二类型(不同于第一类型)的第二半导体器件(5)；其中壳体(2、3、7、8)至少包含一块覆盖第一半导体器件(6)和第二半导体器件(5)的、与夹紧力(F)基本垂直的金属压板(2)，用于夹紧第一和第二半导体器件，夹紧力(F)以局部限制的方式(9)施加到压板(2)上，以便通过压板(2)夹紧第一半导体器件(6)和第二半导体器件(5)，其中第一半导体器件(6)设置在夹紧力(F)的局部作用区(9)下方，第二半导体器件(5)至少部分设置在局部作用区(9)之外。
- 一种便于维修的三相二极整流器-201721468054.6
- 方爱俊 - 常州港华半导体科技有限公司
- 2017-11-06 - 2018-06-12 - H01L25/11
- 本实用新型涉及整流器的技术领域，特别地涉及一种便于维修的三相二极整流器，包括底板，底板上固定连接有三个电极芯片单元，电极芯片单元包括：陶瓷基板，第一电极固定连接于底板上方，第一半导体芯片固定连接于第一电极上，第二电极包括：依次一体设置的延伸部、第二焊接部、第二连接部和第二折弯部，第二焊接部固定连接于底板上方，第二半导体芯片固定连接于第二焊接部上方，第三电极，第三电极固定连接于第二半导体芯片上方，连接桥两端分别与第一半导体芯片的上端面和延伸部连接，本实用新型提供了一种便于维修的三相二极整流器，解决了整流器损坏后需更换整个整流器成本太高的问题，节约了成本，给生产带来更好的连续性。
- 一种大功率二极管整流桥-201721686445.5
- 孔凡伟;段花山;陆新城 - 山东晶导微电子有限公司
- 2017-12-07 - 2018-06-05 - H01L25/11
- 本实用新型公开了一种大功率二极管整流桥,包括安装套，所述安装套上端开设有空腔，所述空腔内设有二极管，所述二极管两端对称设有平角，所述空腔内对称设有焊锡，每个所述平角远离二极管的一端均与焊锡固定连接，所述二极管上下两端均对称设有弹簧，所述安装套上端设有盖板，所述空腔两侧对称设有卡槽，且盖板两端均设置在卡槽内，并与卡槽滑动连接，所述盖板下端设有支撑板，且支撑板设置在二极管上方，所述位于二极管上端的弹簧远离二极管的一端与支撑板连接，所述安装套两侧对称设有安装板，本实用新型结构简单，整体稳定性好，二极管便于更换，整流桥整体散热性好。
- 一种防潮红外传感器-201721319399.5
- 胡金华 - 深圳市军硕电子科技有限公司
- 2017-10-13 - 2018-05-01 - H01L25/11
- 本实用新型涉及一种防潮红外传感器，包括安装壳，安装壳内设置有PIN二极管、铝基板和场效应管；PIN二极管与场效应管电连接；安装壳上设置有与PIN二极管正对的透镜和安装透镜的安装孔；安装孔内壁下端设置有对透镜定位的定位环；安装孔内壁还设置有多个注胶口、与注胶口一一对应连通的螺旋型流道槽和环形连接槽；多个流道槽相互交叉连通，且下端均与连接槽连通；通过设置多个注胶口，注胶时余留至少一个注胶口作为透气口，其余注胶口注胶，注入胶水呈多层螺旋交叉螺旋状，大大增加防水防潮性能，同时保证了透镜安装紧固程度。
- 一种混合型高压增强型器件结构及其封装件-201610458471.6
- 姜元祺 - 中航（重庆）微电子有限公司
- 2016-06-22 - 2017-12-29 - H01L25/11
- 本发明提供一种混合型高压增强型器件结构及其封装件，所述混合型高压增强型器件结构包括低压增强型晶体管及高压耗尽型晶体管，所述低压增强型晶体管的源端与所述高压耗尽型晶体管的栅端共同连接于源极输出端；所述低压增强型晶体管的栅端连接于栅极输出端；所述高压耗尽型晶体管的漏端连接于漏极输出端；所述高压耗尽型晶体管的源端与所述低压增强型晶体管的漏端相连。本发明用于解决现有技术中传统的工艺很难获得高可靠性的高压增强型晶体管且制作工艺要求高的问题。
- 一种硅器件/散热器堆叠组件以及一种用于将所述叠组中有缺损的硅器件拆离的方法-201480009771.5
- 罗曼·劳博;马雷克·福瑞克;约翰·施瓦岑贝格 - 通用电气技术有限公司
- 2014-02-19 - 2017-12-15 - H01L25/11
- 本发明涉及一种硅器件/散热器堆叠组件以及一种用于将所述堆叠组件中有缺损的硅器件拆离的方法。所述硅器件/散热器堆叠组件包括多个硅器件盘(20)的布置，两个相邻的硅器件盘(20)通过扁平散热器装置(22)分隔，每个硅器件盘(20)和每个散热器装置(22)包括其两个面上的对中孔，硅器件盘与相邻的散热器装置的相邻对中孔之间放置有对中销。每个散热器装置(22)在其相对的两端穿透有两个引导孔(24)。
- 具有弹簧装置的夹紧组件-201490001522.7
- M.勃姆;H.S.布雷姆;D.施密特 - 西门子公司
- 2014-07-03 - 2017-12-15 - H01L25/11
- 本实用新型涉及一种夹紧组件(1)，其具有机械地拉紧的、以堆叠方式相互贴靠的构件的结构(2)，所述构件具有弹簧装置以及用于在构件的结构(2)上产生机械压力的夹紧装置。本实用新型的特征在于，弹簧装置是由多个并列布置并且相互连接的膜片弹簧元件(31)构成的弹簧板(3)。本实用新型还涉及一种变流器的子模块，其具有功率半导体开关单元的至少一个串联电路和相对于其并联布置的能量存储器，其中在夹紧装置中实现功率半导体开关单元的串联电路。
- 星形电路封装结构-201720162385.0
- 黎永阳 - 东莞市阿甘半导体有限公司
- 2017-02-23 - 2017-11-17 - H01L25/11
- 提供了一种星形电路封装结构，包括第一连接件；第一芯片，该第一芯片的下表面与该第一连接件电连接；第二芯片，设置在该第一芯片上方并且该第二芯片的上表面与第二连接件的下表面电连接；第三芯片，设置在该第二芯片上方并且该第三芯片的下表面与第三连接件的上表面电连接；以及第四连接件，将该第三芯片的上表面与第一芯片的上表面和第二芯片的下表面进行电连接，其中该第一芯片、该第二芯片和该第三芯片三者中的至少一个芯片位于另外一个芯片的垂直投影中，以及该第二连接件的上表面和该第三连接件的下表面之间电气绝缘隔离。
- 专利分类
