[实用新型]一种外延生长用载盘有效
| 申请号： | 202320375483.8 | 申请日： | 2023-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN219315144U | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 沈淳;张文倩;张优优;陈一德;周长健;潘尧波 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C30B29/36;C30B25/16;C30B25/14 |
| 代理公司： | 上海汉之律师事务所 31378 | 代理人： | 陈强 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种外延生长用载盘，涉及半导体制造领域。所述外延生长用载盘至少包括：载台；至少一个凸部，设置在所述载台的一面，且所述凸部高出所述载台的平面；凹槽，环绕设置在所述载台的边缘，所述凹槽与所述凸部设置在所述载台的同一面；以及支撑部，设置在所述载台相对于所述凸部的一面。本实用新型提供的一种外延生长用载盘，能够改善晶圆外延层的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 生长 用载盘 | ||
【主权项】：
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- 本实用新型公开了一种具有碳化硅涂层的硅片外延基座，包括基座本体、口袋和应力槽，所述口袋内设置有用于顶出硅片的顶柱，所述顶柱的外部套设有与口袋相匹配的活动底座，所述活动底座的下部设置有弹性支撑组件，所述活动底座的上端设置有内壁呈阶梯状的环型支撑座，且在环型支撑座的阶梯面不低于顶柱的上端面。本实用新型便于硅片从基座上的口袋中取出，提高了制备硅片的生产效率。
- 一种MOCVD中外延生长的石墨盘-202223529208.1
- 丁杰;马鹏程;卢伟;叶伟民;陈晓铃 - 厦门银科启瑞半导体科技有限公司
- 2022-12-28 - 2023-07-14 - C30B25/12
- 本实用新型提供了一种MOCVD中外延生长的石墨盘，包括石墨柱、载片槽和缓冲层，所述载片槽设于石墨柱的中心，所述缓冲层为载片槽外围的石墨柱，所述载片槽的边沿高于缓冲层。本产品通过将载片槽与边缘的石墨柱在平面上设置高度差，相当于在生产加工时在挥发出的P元素和wafer之间增加一个壁垒，抑制了P元素往wafer表面的扩散；通过在生长时导致由边缘石墨传导的热量减少，保证了wafer表面波长均匀性达到阻止P元素的并入和优化小盘wafer边缘和中心温度均匀性的目的，保证wafer表面温度均匀性，从而改善波长均匀性。
- 一种外延生长用载盘-202320375483.8
- 沈淳;张文倩;张优优;陈一德;周长健;潘尧波 - 中电化合物半导体有限公司
- 2023-02-23 - 2023-07-07 - C30B25/12
- 本实用新型公开了一种外延生长用载盘，涉及半导体制造领域。所述外延生长用载盘至少包括：载台；至少一个凸部，设置在所述载台的一面，且所述凸部高出所述载台的平面；凹槽，环绕设置在所述载台的边缘，所述凹槽与所述凸部设置在所述载台的同一面；以及支撑部，设置在所述载台相对于所述凸部的一面。本实用新型提供的一种外延生长用载盘，能够改善晶圆外延层的均匀性。
- 一种沉积台及CVD设备-202310054729.6
- 鲁振海;王彩利;朱肖华;张东阳;常新磊 - 河南天璇半导体科技有限责任公司
- 2023-02-03 - 2023-07-04 - C30B25/12
- 本发明涉及化学气相沉积技术领域，具体涉及一种沉积台及CVD设备。CVD设备包括沉积室，沉积室内设置有沉积台，工作时，沉积台的正上方生成有等离子体球，沉积台包括圆台式基座，基座的上端面的中部区域为用于摆放籽晶的基础作业面，基座的至少部分边缘位置处的上侧面由内向外逐渐上升延伸形成扩展边缘，该扩展边缘整体用于被等离子体球覆盖并且其上侧面用于朝向上方的等离子体球布置，所述扩展边缘的上侧面为用于摆放籽晶的扩展作业面，扩展作业面上的籽晶距等离子体球的距离与基础作业面上的籽晶距等离子体球的距离相近，以利用扩展作业面提高沉积台摆放籽晶的数量,解决现有技术中的CVD设备的沉积台摆放籽晶数量较少、生产效率较低的技术问题。
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