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[发明专利]真空腔室密封结构-CN202310800245.1在审
发明人： 满卫东 -专利权人：上海铂世光半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于真空腔室的密封结构、一种用于等离子体反应室，以及一种微波等离子体化学气相沉积装置。该真空腔室包括从外部伸入腔体的基台结构，基台结构能绕轴线旋转并上下运动，密封结构用于基台结构与腔体壁之间的动密封，密封结构至少包括设于基台结构与腔体壁之间的第一密封圈，第一密封圈表面涂覆有润滑剂以构成湿式密封，在第一密封圈的真空端一侧设有吸附性填充物。本发明提供的用于真空腔室的密封结构能够提高真空腔室的密封性能、延长密封材料的使用寿命，同时还可以减少密封结构所带来的污染。
空腔密封结构

[实用新型]一种适用于CVD设备的进气装置-CN202320704628.4有效
发明人： 满卫东;龚闯;蒋梅荣;杨春梅;范冰庆 -专利权人：上海征世科技股份有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于CVD设备的进气装置，包括设备进气管，设备进气管的一端插接有过滤套筒，过滤套筒远离设备进气管一端的外壁开凿设有伸缩槽，伸缩槽的内部插接有限位块，设备进气管的内壁相对限位块的位置开凿设有限位插槽，限位块与限位插槽插接，本实用新型具有以下优点：本装置的过滤套筒通过限位块卡在设备进气管内壁的限位插槽中，实现过滤套筒安装的目的，在拆卸时，只需通过翘杆的转动挤压，将T形推杆向限位插槽中推动，即可将限位块从限位插槽中推出，失去限位块的限位后，即可直接将过滤套筒从设备进气管中拆除。
一种适用于 cvd 设备装置

[发明专利]一种用于生长单晶金刚石的基台结构-CN202310721966.3在审
发明人：龚闯;满卫东;蒋梅荣 -专利权人：上海征世科技股份有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于生长单晶金刚石的基台结构，包括：基台，基台上表面的中心设有单晶金刚石的生长区域，生长区域的外侧环绕有突起于基台上表面的多个遮挡件，多个遮挡件与生长区域隔开且相邻的两个遮挡件之间设有间隙，基台呈空心结构且空心部分设有冷却液，每个遮挡件的下部穿过基台上表面以浸入基台内部的冷却液中。
一种用于生长金刚石结构

[发明专利]一种具有脚踏板的省力土钻-CN202310379774.9在审
发明人：田桂娥;李富平;满卫东;夏冬;李小光;许永利 -专利权人：华北理工大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01N1/08 文献下载
摘要：本发明涉及土样采集技术领域，且公开了一种具有脚踏板的省力土钻，包括钻杆、套筒和折叠把手，所述折叠把手横向设置在套筒的上端，所述钻杆由多节钻管组成，所述钻管的管壁上设置有脚踏板，所述钻杆的上端插入套筒内，所述套筒内安装有固定机构，所述固定机构用于固定钻杆位于套筒中的位置，实现调节土钻插入土壤中的深度，所述套筒的上端设有固定连接有两个安装块，所述折叠把手设置在两个所述安装块之间，所述钻杆的下端设有钻头。该具有脚踏板的省力土钻，可以方便使用者发力将土钻插入土壤内进行采集作业，并且也方便收纳携带，同时也能够方便采集原状土壤。
一种具有脚踏板省力

[发明专利]一种制备高纯度单晶钻石片的装置及方法-CN202210668968.6有效
发明人： 满卫东;龚闯;蒋梅荣;杨春梅;范冰庆 -专利权人：上海征世科技股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高纯度单晶钻石片的装置及方法，属于人工钻石制造技术领域。该装置包括加压壳体，加压壳体内设置有上设置有第一注料口与第二注料口，第一注料口、第二注料口分别与烘干箱连接，烘干箱与运输轨道滑动接触，运输轨道上设置有若干个蜡盒安置槽，运输轨道上方设置有蜡盒制作仓，蜡盒制作仓设置在加压壳体内，加压壳体内设置有加压腔室，加压腔室内设置有顶压组件，加压腔室与烘干箱通过换热管道连接，换热管道上设置有控温器，加压壳体一侧设置有粉碎箱，烘干箱、运输轨道、顶压组件通过导线与控制面板连接，本发明具有自动加工成型人工钻石的功能。
一种制备纯度钻石装置方法

[发明专利]一种制备高纯度CVD钻石晶片的MPCVD装置及方法-CN202210668806.2有效
发明人：龚闯;满卫东;蒋梅荣;杨春梅;杨武 -专利权人：上海征世科技股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高纯度CVD钻石晶片的MPCVD装置及方法，所述MPCVD装置包括底座、微波发生器和反应箱，所述微波发生器和反应箱均设置在底座的上方，所述微波发生器的射出端设置有矩形波导管，所述矩形波导管的射出端与反应箱相连接，本发明相比于目前的MPCVD装置设置有调节器和第二磁场发生器，通过第二磁场发生器产生的磁场，能够使得等离子体在反应腔内作螺旋运动，一方面使得反应腔内的温度均匀，另一方面使得等离子体都能在基片上沉积，通过调节调节管的角度，能够改变等离子体进入到反应腔内速率，进而改变等离子体做螺旋运动的半径和掉落在基片上的位置，方便工作人员根据实际需要使得等离子体在预期的地方聚集。
一种制备纯度 cvd 钻石晶片 mpcvd 装置方法

[发明专利]一种用于金刚石单晶生长的MPCVD装置及生长方法-CN202210668808.1有效
发明人：龚闯;满卫东;蒋梅荣;杨春梅;杨武 -专利权人：上海征世科技股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于金刚石单晶生长的MPCVD装置，包括反应室、样品台和进气道，所述反应室的内部设置有样品台，所述样品台的内部设置有冷却流道，所述样品台的上端与反应室之间设置有石英窗，所述反应室的侧面设置有混合气体导向排出结构，所述反应室的上端设置有进气道；夹持冷却结构吹出的冷却气体会使得限位杆与进气管之间的间隙增大，使得进气管受到的摩擦力减小，而当冷却气体进入到气囊的内部后会对混合气体进行冷却，同时进气管会对混合气体进行搅拌，使得混合气体的内部混合更加均匀，冷却气体还会带动进气管进行转动，从而随着金刚石膜的沉积进气管的高度随之上升，增加金刚石膜的沉积效果。
一种用于金刚石生长 mpcvd 装置方法

[发明专利]一种用微波等离子体技术生长单晶钻石的基台-CN202010837064.2有效
发明人： 满卫东;龚闯;朱长征;吴剑波 -专利权人：上海征世科技股份有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种用微波等离子体技术生长单晶钻石的基台，包含一呈圆形的微波等离子体基片台，所述基片台的上方紧贴着基片台表面有微波激发的一球形等离子体，所述基片台表面轴对称中心处有一个凹坑，该凹坑中能放置一个用于钻石生长的晶托。凹坑底部环绕晶托有一环形的金属细管，细管上有小孔，细管连接供气/抽气系统。凹坑顶部环绕晶托有一环形的金属细管，细管上有小孔，细管连接抽气/供气系统。凹坑内顶部细管与底部细管通过外部阀门控制可实现抽气与供气功能的互换。该方案能避免晶种侧面堆积的非金刚石碳影响到晶种上表面钻石的正常生长，同时能提高晶种表面生长速度。
一种微波等离子体技术生长钻石

[实用新型]一种用于MPCVD设备的冷却结构-CN202221470461.1有效
发明人：龚闯;满卫东;蒋梅荣;杨春梅;杨武 -专利权人：上海征世科技股份有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： F25D31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于MPCVD设备的冷却结构，包括设备外壳和冷凝管，设备外壳上开设有安装孔，冷凝管卡接在安装孔内，设备外壳外侧固定连接有散热器，冷凝管位于设备外壳外侧一端固定连接在散热器上，安装孔内固定连接有限位板，冷凝管上转动连接有螺纹套，螺纹套螺纹连接在安装孔内，安装孔内且位于限位板和螺纹套之间卡接有弹性圈，本实用新型的有益效果是：利用螺纹套的转动，将冷凝管插进安装孔内固定，同时可以通过挤压弹性环产生形变，使冷凝管和安装孔侧壁之间密封，可以在保证MPCVD设备外壳内部密封性的情况下，使冷凝管能够进行拆卸，从而方便冷凝管的更换和检修。
一种用于 mpcvd 设备冷却结构

[发明专利]一种管状材料内表面进行MPCVD的方法及装置-CN202210963517.5在审
发明人： 满卫东;龚闯;范冰庆;杨春梅 -专利权人：上海征世科技股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：本发明公开了一种管状材料内表面进行MPCVD的方法及装置，包括：操作台，所述操作台的上表面设置有支撑块，所述操作台的上表面放置有管材，所述管材的内部贯穿有金属丝，所述金属丝的表面安装有金属刺，所述金属丝连接着支撑块的侧表面，所述支撑块的侧表面连接有导向块，所述导向块的内部贯穿有导向杆。该管状材料内表面进行MPCVD的方法及装置，管材放在操作台表面，金属丝带动金属刺贯穿管材的内部并连接在支撑块的表面，然后可以转动螺纹杆，螺纹杆转动可以通过螺纹槽对支撑块的高度进行调节，支撑块运动可以带动金属丝进行纵向运动，当金属丝的位置位于管材的横向中轴线的位置时，方便对管材的内壁进行均匀的沉淀镀膜。
一种管状材料表面进行 mpcvd 方法装置

[实用新型]一种用于单晶钻石片制造设备的真空检测装置-CN202221481820.3有效
发明人：龚闯;满卫东;蒋梅荣;杨春梅;杨武 -专利权人：上海征世科技股份有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：一种用于单晶钻石片制造设备的真空检测装置，包括真空计，真空计的底端固定连接有软管，真空计的外壁固定连接有固定盒，软管插接于固定盒，固定盒中间开设有孔洞，且孔洞设置在真空计显示器的上方，且固定盒的内壁固定连接有橡胶软垫，本实用新型具有以下优点：通过橡胶软垫和固定盒的保护，使得真空计具有防摔防晒的效果，固底盒上孔洞的设计，使得不打开固定盒就可以看到真空计显示器上的数据，底盒和盖盒的设计，使得可以让真空计可以方便进出，插销和套块可以将底盒和盖盒固定住，防止在测试的时候，真空计从固定盒中掉落。
一种用于钻石制造设备真空检测装置

[发明专利]一种单晶金刚石生产设备的控温装置-CN202210666071.X在审
发明人： 满卫东;龚闯;蒋梅荣;杨春梅;范冰庆 -专利权人：上海征世科技股份有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶金刚石生产设备的控温装置，包包括装置外壳，所述装置外壳的顶部一侧固定安装有冷水机。本发明中通过利用冷却盘管对进入进单晶金刚石生产设备的空气进行冷却，再由风扇将冷却后的空气经过滤网送往单晶金刚石生产设备内部，完成对单晶金刚石生产设备的风冷降温，本发明中的凹字形结构的冷却管进行水冷降温，降温效果好，根据单晶金刚石生产设备的温度来控制电磁阀关闭，只保留一个风冷散热，可以对单晶金刚石生产设备进行控温，满足不同单晶金刚石生产设备的不同温度需求，出风口内固定安装有干燥剂，吸收冷气中的水分，防止水气使单晶金刚石生产设备内的元件短路，保护单晶金刚石生产设备。
一种金刚石生产设备装置

[发明专利]一种MPCVD装置生长台的升降控制系统-CN202210669027.4在审
发明人：蒋梅荣;龚闯;满卫东;蒋剑宏;杨武 -专利权人：上海征世科技股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：本发明公开了一种MPCVD装置生长台的升降控制系统，包括装置底座，所述装置底座的顶部固定安装有装置外壳，所述装置外壳的内部安装有生长台，所述装置底座的顶部开凿有安装槽。本发明中通过螺纹丝杆与安装槽的内部两侧转动连接，且螺纹丝杆穿过安装槽并与从动轴固定连接，方便使转动轴带动从动轴进行转动从而带动螺纹丝杆转动，同时螺纹丝杆为两段螺纹相反的螺纹杆组合而成，可以使两个生长台在水平方向上向反方向移动，方便拿取并且进行观察，同时第二升降杆的底端与移动座的内部底侧转动连接，且所述电动伸缩杆的底端与移动座的内部底侧转动连接，方便对生长台进行升降控制。
一种 mpcvd 装置生长升降控制系统

[发明专利]一种单晶金刚石及其MPCVD制备方法-CN202210333424.4在审
发明人：龚闯;满卫东;蒋梅荣;杨春梅;杨武 -专利权人：上海征世科技股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶金刚石及其MPCVD制备方法，MPCVD制备方法包括：提供多个晶种，各晶种为薄片状的正多边形的金刚石籽晶，正多边形的边数大于四；将多个晶种紧密地平铺在微波等离子体装置的基片台上，以铺满基片台的有效生长区域；对相邻晶种之间的接壤区域进行刻蚀，以形成凹槽，并在凹槽内形成填充结构；以及采用微波等离子体化学气相沉积法在多个晶种的上表面同质外延生长多个单晶金刚石。本发明通过正多边形晶种在在基片台上贴合有效生长区域的排列、通过减少边角料来有效提高生长效率，并且通过在接壤区域形成填充结构来抑制单晶金刚石在接壤区域的同质外延生长，保证正多边形排列的方式不会影响单晶金刚石正常生长面的生长。
一种金刚石及其 mpcvd 制备方法

[发明专利]一种人造金刚石提纯方法-CN202011371313.X有效
发明人： 满卫东;朱长征;龚闯;吴剑波;蒋剑宏 -专利权人：上海征世科技股份有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C01B32/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种人造金刚石提纯方法。将将粗制人造金刚石在气氛炉中，通入氮气，后通入二氧化碳气体，在此气氛下反应30‑60min，然后降温后将此物料取出，得到反应物料,将反应物料放入高压反应釜内，升温至温度为50‑120℃，通入一氧化碳使得压力为1‑10MPa，然后反应30‑60min，然后泄压，将产生的气体通入到乙醇中，然后降温至温度＜25℃后将高压反应釜中的物料加入无水乙醇，混合搅拌10‑20min,得到固液混合料；将固液混合料进行固液分离，然后用无水乙醇洗涤后，采用真空烘干，即得。本发明可以有效的对其中的金属、未转化的碳等进行提纯，效率高，最终金刚石的纯度高。
一种人造金刚石提纯方法

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