[实用新型]一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板有效

专利信息
申请号: 202320103879.7 申请日: 2023-02-03
公开(公告)号: CN219226276U 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 周友军;陶天宇;刘莹;吴道勋;黄尔书;江树昌;林逢佺 申请(专利权)人: 中民(福建)电子制造有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/14;H01L23/38;H01L23/427;H01L23/467
代理公司: 福州市鼓楼区年盛知识产权代理事务所(普通合伙) 35254 代理人: 谢名海
地址: 352100 福建省宁德市东侨*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 实用新型公开了一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板,涉及IGBT基板技术领域,其包括:基板本体,所述基板本体的上部设置有铝合金层,所述铝合金层的上表面固定连接有散热底部,所述散热底部的上部固定连接有散热尖部,所述散热底部的内部设置有吸热液体,所述基板本体的两侧面设置有半导体制冷片,所述半导体制冷片的侧面设置有散热槽。通过设置的散热底部、散热尖部、吸热液体,可以提高铝合金层的散热效果,并且吸热液体可以从液体和气态相互转换,吸收更多的热量;设置的散热槽,可以提高空气与半导体制冷片之间的接触面积,进一步提高整体的散热效果。
搜索关键词: 一种 碳化硅 复合材料 制备 igbt 基板
【主权项】:
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