[发明专利]半导体结构、半导体结构的制备方法及制备装置在审
| 申请号： | 202310843560.2 | 申请日： | 2023-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN116864390A | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 占康澍 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/32;H01L21/3213;H01L21/311;H01L21/768;H01L23/488;H01L23/52 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 成亚婷 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及一种半导体结构、半导体结构的制备方法及制备装置。该半导体结构的制备方法包括：于衬底上沿垂直于衬底的方向形成掩膜材料层及图形化牺牲层，图形化牺牲层包括间隔设置的多个牺牲图形；形成侧墙结构，侧墙结构包括覆盖于牺牲图形侧壁的第一部分及覆盖于暴露出的掩膜材料层表面的第二部分；第二部分上形成有填充介质层，填充介质层填充相邻第一部分之间的间隔；去除侧墙结构的第一部分且保留第二部分；基于牺牲图形及填充介质层刻蚀侧墙结构的第二部分及掩膜材料层。该半导体结构的制备方法有利于避免半导体结构出现线摆动缺陷，提升制备方法的生产良率以及半导体结构的使用可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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