[发明专利]一种半导体结构的制作方法有效
| 申请号： | 202310796752.2 | 申请日： | 2023-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN116544180B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 宋富冉;黄厚恒 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海汉之律师事务所 31378 | 代理人： | 林安安 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体制造技术领域。所述半导体结构的制作方法至少包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上设置有半导体器件，所述半导体器件包括第一连接结构和第二连接结构，在所述半导体器件上形成层叠结构；在所述层叠结构上形成顶部停止层；依次蚀刻层叠结构中的所述第二介质层、所述中间停止层、所述第一介质层和所述底部停止层，形成与所述第一连接结构和所述第二连接结构的第四接触孔；以及在所述第四接触孔内沉积导电材料，形成导电插塞，所述导电插塞连接所述第一连接结构和所述第二连接结构。通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法，可提高半导体结构的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥晶合集成电路股份有限公司，未经合肥晶合集成电路股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310796752.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电池能量状态监测方法和电池系统
- 下一篇：一种用于汽车隔音毡的剥离力测试装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
