[发明专利]一种发光芯片及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202310602152.8 申请日: 2023-05-26
公开(公告)号: CN116344688B 公开(公告)日: 2023-07-28
发明(设计)人: 王嘉诚;张少仲;张栩 申请(专利权)人: 中诚华隆计算机技术有限公司
主分类号: H01L33/02 分类号: H01L33/02;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/10;H01L33/44;H01L33/00;B82Y40/00
代理公司: 北京格允知识产权代理有限公司 11609 代理人: 刘晓
地址: 100012 北京市朝*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种发光芯片及其制作方法,属于半导体器件技术领域。所述发光芯片依次包括衬底、连接第一电极的第一半导体层、光提取层、有源层和连接第二电极的第二半导体层;衬底中掺杂有铝,且衬底中铝的含量向生长侧递增;光提取层为氮化铝层,其靠近有源层一侧开设有纳米孔阵列,纳米孔的深度为光提取层厚度的40~60%;有源层为多个InxGa1‑xN层/AlyGa1‑yN垒层/GaN垒层交替结构,在InxGa1‑xN层中,0.3≤x≤0.4,x取值不变;在各AlyGa1‑yN垒层中,0.1≤y≤0.3,y取值沿生长方向递减,递减率为10~20%。本发明有效提高了发光芯片的发光效率以及稳定性。
搜索关键词: 一种 发光 芯片 及其 制作方法
【主权项】:
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