[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202310517496.9 | 申请日： | 2023-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN116367540B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 黄猛 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：中间器件层，中间器件层具有第一面和第二面，第一面具有第一焊盘，第二面具有第二焊盘，中间器件层包括存储单元阵列，第一焊盘与存储单元阵列的字线电连接，第二焊盘与存储单元阵列的位线电连接；第一器件层位于第一面上，且第一器件层的表面具有第三焊盘，第三焊盘与相应的第一焊盘电连接，第一器件层包括字线驱动器，第三焊盘与字线驱动器电连接；第二器件层位于第二面上，且第二器件层的表面具有第四焊盘，第四焊盘与相应的第二焊盘电连接，第二器件层包括位线感测放大器，第四焊盘与位线感测放大器电连接。本公开实施例至少有利于提升半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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