[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

中间器件层，所述中间器件层具有相对的第一面和第二面，所述第一面具有第一焊盘，所述第二面具有第二焊盘，所述中间器件层包括存储单元阵列，所述第一焊盘与所述存储单元阵列的字线电连接，所述第二焊盘与所述存储单元阵列的位线电连接；

第一器件层，所述第一器件层位于所述第一面上，且所述第一器件层朝向所述中间器件层的表面具有第三焊盘，所述第三焊盘与相应的所述第一焊盘电连接，所述第一器件层包括字线驱动器，所述第三焊盘与所述字线驱动器电连接；

第二器件层，所述第二器件层位于所述第二面上，且所述第二器件层朝向所述中间器件层的表面具有第四焊盘，所述第四焊盘与相应的所述第二焊盘电连接，所述第二器件层包括位线感测放大器，所述第四焊盘与所述位线感测放大器电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括外围电路，所述外围电路位于所述第一器件层或所述第二器件层中的至少一者。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述外围电路包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第一器件层，所述第二部分位于所述第二器件层。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一面指向所述第二面的方向上，所述中间器件层包括依次堆叠的第一重布线层、芯片层以及第二重布线层，所述存储单元阵列位于所述芯片层内；

所述第一焊盘位于所述第一重布线层内，所述第一重布线层包括第一走线，所述存储单元阵列的字线通过所述第一走线与所述第一焊盘连接；

所述第二焊盘位于所述第二重布线层内，所述第二重布线层包括第二走线，所述存储单元阵列的位线通过所述第二走线与所述第二焊盘连接。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述芯片层包括朝向所述第一面的第一侧以及朝向所述第二面的第二侧，所述第一侧具有字线接口，所述存储单元阵列的字线通过所述字线接口与所述第一走线相连接；

所述第二侧具有位线接口，所述存储单元阵列的位线通过所述位线接口与所述第二走线相连接。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一面指向所述第二面的方向上，所述第一器件层包括依次堆叠的第二芯片层以及第三重布线层，所述字线驱动器位于所述第二芯片层内；

所述第三焊盘位于所述第三重布线层内，且所述第三重布线层包括第三走线，所述字线驱动器通过所述第三走线与所述第三焊盘连接；

沿垂直于所述第一面指向所述第二面的方向上，所述第二芯片层包括多个间隔排布的第一区，所述字线驱动器位于所述第一区。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一器件层包括外围电路，所述外围电路位于所述第二芯片层，所述第二芯片层包括所述第一区以外的第二区，所述外围电路位于所述第二区。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一面指向所述第二面的方向上，所述第二器件层包括依次堆叠的第四重布线层以及第三芯片层，所述位线感测放大器位于所述第三芯片层内；

所述第四焊盘位于所述第四重布线层内，且所述第四重布线层包括第四走线，所述位线感测放大器通过所述第四走线与所述第四焊盘连接；

沿垂直于所述第一面指向所述第二面的方向上，所述第三芯片层包括多个间隔排布的第三区，所述位线感测放大器位于所述第三区。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第二器件层包括外围电路，所述外围电路位于所述第三芯片层，所述第三芯片层包括所述第三区以外的第四区，所述外围电路位于所述第四区。

10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供中间器件层，所述中间器件层具有相对的第一面和第二面，所述第一面具有第一焊盘，所述第二面具有第二焊盘，所述中间器件层包括存储单元阵列，所述第一焊盘与所述存储单元阵列的字线电连接，所述第二焊盘与所述存储单元阵列的位线电连接；

提供第一器件层，所述第一器件层的第一表面具有第三焊盘，所述第一器件层包括字线驱动器，所述第三焊盘与所述字线驱动器电连接，将所述第一器件层的第一表面与所述第一面相固定，所述第三焊盘与相应的所述第一焊盘电连接；

提供第二器件层，所述第二器件层的第一表面具有第四焊盘，所述第二器件层包括位线感测放大器，所述第四焊盘与所述位线感测放大器电连接，将所述第二器件层的第一表面与所述第二面相固定，所述第四焊盘与相应的所述第二焊盘电连接。