[发明专利]一种半导体器件连线结构及其制备方法、半导体器件在审
| 申请号： | 202310340948.0 | 申请日： | 2023-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116314091A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 郑坤;郭佳衢;吴伟鑫 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/485;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王震 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件连线结构及其制备方法、半导体器件，涉及半导体器件技术领域，本申请的半导体器件连线结构，包括同层设置且一侧贴合的第一金属层和有机材料层，第一金属层上还设置有第二金属层，第二金属层延伸至有机材料层上，第二金属层和有机材料层上沉积有钝化层，其中，第二金属层靠近有机材料层的侧壁包括靠近有机材料层的第一侧面、远离有机材料层的第二侧面以及连接在第一侧面和第二侧面之间的至少一个第三侧面，其中，θ1、θ2和θ3均小于90°，且θ2θ1θ3。本申请提供的半导体器件连线结构及其制备方法、半导体器件，能够降低钝化层拐角处的应力，进而降低钝化层开裂的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 连线 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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